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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STTH8R04DI STTH8R04DI STMicroelectronics stth8r04.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 8A; tube; Ifsm: 120A; TO220ACIns; 25ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 0.9V
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Reverse recovery time: 25ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.70 EUR
50+1.43 EUR
250+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH8R04G-TR STTH8R04G-TR STMicroelectronics en.CD00156055.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 8A; 25ns; D2PAK; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 120A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 120A
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.9V
Reverse recovery time: 25ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH8R06D STTH8R06D STMicroelectronics stth8r06.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220AC; 25ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.4V
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Reverse recovery time: 25ns
Max. load current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.57 EUR
65+1.12 EUR
85+0.85 EUR
106+0.67 EUR
110+0.65 EUR
113+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH8R06DIRG STTH8R06DIRG STMicroelectronics stth8r06.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220ACIns; 25ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Reverse recovery time: 25ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
5+14.30 EUR
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
40+1.79 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH8R06FP STTH8R06FP STMicroelectronics stth8r06.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220FPAC; 25ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO220FPAC
Max. forward voltage: 1.4V
Reverse recovery time: 25ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
73+0.97 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH8R06G-TR STTH8R06G-TR STMicroelectronics stth8r06.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 8A; 25ns; D2PAK; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 80A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 25ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
67+1.08 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH8S06D STMicroelectronics en.CD00180034.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 60A; TO220AC; Ir: 20uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 60A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 3.4V
Reverse recovery time: 12ns
Leakage current: 20µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH8S06FP STMicroelectronics en.CD00180034.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 60A; TO220FPAC; 18ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 60A
Case: TO220FPAC
Max. forward voltage: 3.4V
Reverse recovery time: 18ns
Leakage current: 0.2mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH8S12D STTH8S12D STMicroelectronics stth8s12.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 70A; TO220AC; 32ns
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 32ns
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
68+1.06 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH8ST06DI STTH8ST06DI STMicroelectronics STTH8ST06DI.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 55A; TO220ACIns; 13ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 55A
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 14A
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Reverse recovery time: 13ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.42 EUR
32+2.29 EUR
37+1.97 EUR
39+1.86 EUR
250+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH8T06DI STTH8T06DI STMicroelectronics STTH8T06DI.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220ACIns; 15ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 2.05V
Max. load current: 14A
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Reverse recovery time: 15ns
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH9012TV1 STTH9012TV1 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B4F086DB60D2&compId=stth9012tv.pdf?ci_sign=4c774328b2bc1c9aa20a0e7bb9b874904a2fb6c0 description Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 45Ax2; ISOTOP; screw
Max. forward impulse current: 420A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 150A
Type of semiconductor module: diode
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 45A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 50ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+33.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH9012TV2 STMicroelectronics en.CD00096474.pdf description STTH9012TV2 Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTN6050H-12M1Y STMicroelectronics sttn6050h-12m1y.pdf STTN6050H-12M1Y SMD/THT thyristors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTS22HTR STMicroelectronics stts22h.pdf STTS22HTR Temperature transducers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTS75M2F STMicroelectronics en.CD00153513.pdf STTS75M2F Temperature transducers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU10NM60N STU10NM60N STMicroelectronics STD10NM60N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.19 EUR
68+1.06 EUR
89+0.81 EUR
94+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU13NM60N STMicroelectronics en.CD00226101.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU1HN60K3 STMicroelectronics en.DM00080877.pdf STU1HN60K3 THT N channel transistors
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.83 EUR
57+1.26 EUR
157+0.46 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU2NK100Z STMicroelectronics en.CD00159991.pdf STU2NK100Z THT N channel transistors
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.60 EUR
73+0.97 EUR
5025+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3N62K3 STMicroelectronics en.CD00204091.pdf STU3N62K3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU4N52K3 STMicroelectronics en.CD00290591.pdf STU4N52K3 THT N channel transistors
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
134+0.53 EUR
204+0.35 EUR
215+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU4N80K5 STMicroelectronics en.DM00092669.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N95K5 STMicroelectronics en.CD00261184.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 9A; Idm: 24A; 90W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 90W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU7N105K5 STMicroelectronics en.DM00112876.pdf STU7N105K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU7N65M2 STMicroelectronics en.DM00128940.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU9N60M2 STMicroelectronics en.DM00080324.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STUSB4500QTR STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBAE9499CCF21CC0C7&compId=stusb4500.pdf?ci_sign=56d95540a6f1fc06359f3e76265e3b645b82168b Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; GPIO,I2C; USB PD controller; 4.1÷22VDC; reel,tape
Type of integrated circuit: interface
Interface: GPIO; I2C
Kind of integrated circuit: USB PD controller
Supply voltage: 4.1...22V DC
Kind of package: reel; tape
Case: QFN24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of connector: USB 3.0
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STUSBCD01BJR STMicroelectronics en.CD00217274.pdf STUSBCD01BJR Integrated circuits - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW10N105K5 STMicroelectronics stw10n105k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 3.78A; Idm: 24A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 3.78A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21.5nC
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW10N95K5 STMicroelectronics stw10n95k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW10NK60Z STW10NK60Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3A045A8CCC469&compId=STP10NK60Z.pdf?ci_sign=114052347b79cab4046e01d7c610f25f2185c74e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.66 EUR
20+3.58 EUR
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3A8463CD1A469&compId=STP10NK80ZFP.pdf?ci_sign=d1903284b619277c3df7a3a247c3d8ed1bedddf6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.13 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics STW11NK100Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.04 EUR
32+2.26 EUR
34+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW11NK90Z STMicroelectronics en.CD00100569.pdf STW11NK90Z THT N channel transistors
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.42 EUR
28+2.60 EUR
30+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW11NM80 STMicroelectronics en.CD00003205.pdf description STW11NM80 THT N channel transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.78 EUR
21+3.46 EUR
22+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW120NF10 STMicroelectronics en.CD00003356.pdf STW120NF10 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW12N120K5 STMicroelectronics en.DM00036727.pdf STW12N120K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW12N150K5 STMicroelectronics en.DM00182307.pdf STW12N150K5 THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.59 EUR
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STW12N170K5 STMicroelectronics stw12n170k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 10A; 250W; TO247
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3A
On-state resistance: 2.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: THT
Case: TO247
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW12NK80Z STW12NK80Z STMicroelectronics STX12NK80Z-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW12NK90Z STW12NK90Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA48F69F70FE469&compId=STW12NK90Z.pdf?ci_sign=1c46c792ceef7e816226d2249a176359642e2d82 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13N80K5 STW13N80K5 STMicroelectronics STB13N80K5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMESH5™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
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STW13N95K3 STMicroelectronics en.CD00233894.pdf STW13N95K3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13NK100Z STW13NK100Z STMicroelectronics STW13NK100Z-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13NK60Z STW13NK60Z STMicroelectronics STB13NK60ZT4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW14NK50Z STW14NK50Z STMicroelectronics STW14NK50Z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 150W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
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17+4.35 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15N80K5 STW15N80K5 STMicroelectronics STx15N80K5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 8.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15N95K5 STMicroelectronics en.DM00095839.pdf STW15N95K5 THT N channel transistors
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STW15NK50Z STW15NK50Z STMicroelectronics STP15NK50ZFP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK90Z STW15NK90Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796A001A32F5E28&compId=STW15NK90Z-DTE.pdf?ci_sign=62cd9c7576076a19ee6b29721394085dd84d74cf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247; ESD
Case: TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW18N60DM2 STW18N60DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796A0CB7FED1E28&compId=STW18N60DM2-DTE.pdf?ci_sign=8a2aa8dbc9bc571254922ea1c0509718102b7073 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.40 EUR
32+2.26 EUR
34+2.14 EUR
510+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N60M2 STW18N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7972948FDA8BE28&compId=STx18N60M2-DTE.pdf?ci_sign=2c77429473266a0e0938d198f64846674013b01e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B4D50A5360D2&compId=stw18n65m5.pdf?ci_sign=7329d71739dea5daedc971a5e26bc946658b33e3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18NM60N STMicroelectronics stw18nm60n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18NM80 STW18NM80 STMicroelectronics STx18NM80-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.71A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW19NM60N STMicroelectronics en.DM00080239.pdf STW19NM60N THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20N90K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B5523A4380D2&compId=stw20n90k5.pdf?ci_sign=640ba2bdee6b5ef9ce2e103fbead8f4a32dcf30e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20N95DK5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B5523A44E0D2&compId=stw20n90k5.pdf?ci_sign=d0c038b5ff811ca0825fe8d4e3adb6f6d37a3241 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 11A; Idm: 72A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50.7nC
Pulsed drain current: 72A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20N95K5 STW20N95K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995D671E6EAE578BF&compId=STx20N95K5.pdf?ci_sign=1d51f2aaa09b94a5754dc463c79c9f5cbfb12c54 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH8R04DI stth8r04.pdf
STTH8R04DI
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 8A; tube; Ifsm: 120A; TO220ACIns; 25ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 0.9V
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Reverse recovery time: 25ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.70 EUR
50+1.43 EUR
250+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH8R04G-TR en.CD00156055.pdf
STTH8R04G-TR
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 8A; 25ns; D2PAK; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 120A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 120A
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.9V
Reverse recovery time: 25ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH8R06D description stth8r06.pdf
STTH8R06D
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220AC; 25ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.4V
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Reverse recovery time: 25ns
Max. load current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
65+1.12 EUR
85+0.85 EUR
106+0.67 EUR
110+0.65 EUR
113+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH8R06DIRG stth8r06.pdf
STTH8R06DIRG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220ACIns; 25ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Reverse recovery time: 25ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
5+14.30 EUR
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
40+1.79 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH8R06FP stth8r06.pdf
STTH8R06FP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220FPAC; 25ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO220FPAC
Max. forward voltage: 1.4V
Reverse recovery time: 25ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
73+0.97 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH8R06G-TR stth8r06.pdf
STTH8R06G-TR
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 8A; 25ns; D2PAK; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 80A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 25ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
67+1.08 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH8S06D en.CD00180034.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 60A; TO220AC; Ir: 20uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 60A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 3.4V
Reverse recovery time: 12ns
Leakage current: 20µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH8S06FP en.CD00180034.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 60A; TO220FPAC; 18ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 60A
Case: TO220FPAC
Max. forward voltage: 3.4V
Reverse recovery time: 18ns
Leakage current: 0.2mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH8S12D stth8s12.pdf
STTH8S12D
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 70A; TO220AC; 32ns
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 32ns
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
68+1.06 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH8ST06DI STTH8ST06DI.pdf
STTH8ST06DI
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 55A; TO220ACIns; 13ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 55A
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 14A
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Reverse recovery time: 13ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
32+2.29 EUR
37+1.97 EUR
39+1.86 EUR
250+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH8T06DI STTH8T06DI.pdf
STTH8T06DI
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 80A; TO220ACIns; 15ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 2.05V
Max. load current: 14A
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Reverse recovery time: 15ns
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH9012TV1 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B4F086DB60D2&compId=stth9012tv.pdf?ci_sign=4c774328b2bc1c9aa20a0e7bb9b874904a2fb6c0
STTH9012TV1
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 45Ax2; ISOTOP; screw
Max. forward impulse current: 420A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 150A
Type of semiconductor module: diode
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 45A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 50ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+33.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH9012TV2 description en.CD00096474.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STTH9012TV2 Diode modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTN6050H-12M1Y sttn6050h-12m1y.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STTN6050H-12M1Y SMD/THT thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTS22HTR stts22h.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STTS22HTR Temperature transducers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTS75M2F en.CD00153513.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STTS75M2F Temperature transducers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU10NM60N STD10NM60N.pdf
STU10NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.19 EUR
68+1.06 EUR
89+0.81 EUR
94+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU13NM60N en.CD00226101.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU1HN60K3 en.DM00080877.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STU1HN60K3 THT N channel transistors
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.83 EUR
57+1.26 EUR
157+0.46 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU2NK100Z en.CD00159991.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STU2NK100Z THT N channel transistors
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.60 EUR
73+0.97 EUR
5025+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3N62K3 en.CD00204091.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STU3N62K3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU4N52K3 en.CD00290591.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STU4N52K3 THT N channel transistors
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
134+0.53 EUR
204+0.35 EUR
215+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU4N80K5 en.DM00092669.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N95K5 en.CD00261184.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 9A; Idm: 24A; 90W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 90W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU7N105K5 en.DM00112876.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STU7N105K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU7N65M2 en.DM00128940.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU9N60M2 en.DM00080324.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STUSB4500QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBAE9499CCF21CC0C7&compId=stusb4500.pdf?ci_sign=56d95540a6f1fc06359f3e76265e3b645b82168b
Hersteller: STMicroelectronics
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; GPIO,I2C; USB PD controller; 4.1÷22VDC; reel,tape
Type of integrated circuit: interface
Interface: GPIO; I2C
Kind of integrated circuit: USB PD controller
Supply voltage: 4.1...22V DC
Kind of package: reel; tape
Case: QFN24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of connector: USB 3.0
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STUSBCD01BJR en.CD00217274.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STUSBCD01BJR Integrated circuits - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW10N105K5 stw10n105k5.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 3.78A; Idm: 24A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 3.78A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21.5nC
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW10N95K5 stw10n95k5.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW10NK60Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3A045A8CCC469&compId=STP10NK60Z.pdf?ci_sign=114052347b79cab4046e01d7c610f25f2185c74e
STW10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.66 EUR
20+3.58 EUR
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW10NK80Z description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3A8463CD1A469&compId=STP10NK80ZFP.pdf?ci_sign=d1903284b619277c3df7a3a247c3d8ed1bedddf6
STW10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.13 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW11NK100Z STW11NK100Z.pdf
STW11NK100Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.04 EUR
32+2.26 EUR
34+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW11NK90Z en.CD00100569.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW11NK90Z THT N channel transistors
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.42 EUR
28+2.60 EUR
30+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW11NM80 description en.CD00003205.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW11NM80 THT N channel transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.78 EUR
21+3.46 EUR
22+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW120NF10 en.CD00003356.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW120NF10 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW12N120K5 en.DM00036727.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW12N120K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW12N150K5 en.DM00182307.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW12N150K5 THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.59 EUR
7+10.74 EUR
8+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW12N170K5 stw12n170k5.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 10A; 250W; TO247
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3A
On-state resistance: 2.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: THT
Case: TO247
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW12NK80Z STX12NK80Z-DTE.pdf
STW12NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.68 EUR
33+2.17 EUR
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW12NK90Z description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA48F69F70FE469&compId=STW12NK90Z.pdf?ci_sign=1c46c792ceef7e816226d2249a176359642e2d82
STW12NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 878 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.11 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
1020+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13N80K5 STB13N80K5.pdf
STW13N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMESH5™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
11+6.51 EUR
25+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13N95K3 en.CD00233894.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW13N95K3 THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.21 EUR
15+4.95 EUR
16+4.68 EUR
300+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13NK100Z STW13NK100Z-DTE.pdf
STW13NK100Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.00 EUR
10+7.25 EUR
11+6.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13NK60Z STB13NK60ZT4.pdf
STW13NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.49 EUR
33+2.20 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW14NK50Z description STW14NK50Z.pdf
STW14NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 150W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
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Anzahl Preis
17+4.35 EUR
36+2.00 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15N80K5 STx15N80K5-DTE.pdf
STW15N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 8.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
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Anzahl Preis
11+6.51 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15N95K5 en.DM00095839.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW15N95K5 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK50Z STP15NK50ZFP.pdf
STW15NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 289 Stücke:
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12+6.48 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK90Z description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796A001A32F5E28&compId=STW15NK90Z-DTE.pdf?ci_sign=62cd9c7576076a19ee6b29721394085dd84d74cf
STW15NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247; ESD
Case: TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 167 Stücke:
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Anzahl Preis
10+7.31 EUR
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N60DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796A0CB7FED1E28&compId=STW18N60DM2-DTE.pdf?ci_sign=8a2aa8dbc9bc571254922ea1c0509718102b7073
STW18N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
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Anzahl Preis
22+3.40 EUR
32+2.26 EUR
34+2.14 EUR
510+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7972948FDA8BE28&compId=STx18N60M2-DTE.pdf?ci_sign=2c77429473266a0e0938d198f64846674013b01e
STW18N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B4D50A5360D2&compId=stw18n65m5.pdf?ci_sign=7329d71739dea5daedc971a5e26bc946658b33e3
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18NM60N stw18nm60n.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18NM80 STx18NM80-DTE.pdf
STW18NM80
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.71A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW19NM60N en.DM00080239.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW19NM60N THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20N90K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B5523A4380D2&compId=stw20n90k5.pdf?ci_sign=640ba2bdee6b5ef9ce2e103fbead8f4a32dcf30e
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20N95DK5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B5523A44E0D2&compId=stw20n90k5.pdf?ci_sign=d0c038b5ff811ca0825fe8d4e3adb6f6d37a3241
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 11A; Idm: 72A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50.7nC
Pulsed drain current: 72A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20N95K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995D671E6EAE578BF&compId=STx20N95K5.pdf?ci_sign=1d51f2aaa09b94a5754dc463c79c9f5cbfb12c54
STW20N95K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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