Produkte > STMICROELECTRONICS > Alle Produkte des Herstellers STMICROELECTRONICS (170222) > Seite 1251 nach 2838
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STW35N65DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO247 On-state resistance: 93mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 250W Gate charge: 56.3nC Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 90A Drain current: 20A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW36N60M6 | STMicroelectronics |
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STW37N60DM2AG | STMicroelectronics |
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STW38N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 19A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW38N65M5-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 19A; Idm: 120A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 190W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW3N150 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 1.6A Power dissipation: 140W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW3N170 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1700V; 1.6A; Idm: 10.4A; 0.16W Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 1.6A Pulsed drain current: 10.4A Power dissipation: 0.16W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 13Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW40N60M2-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 88mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW40N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 56.5nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 20A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 87mΩ Pulsed drain current: 128A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW40N90K5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW40N95DK5 | STMicroelectronics |
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STW40N95K5 | STMicroelectronics |
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STW40NF20 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW42N60M2-EP | STMicroelectronics |
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STW42N65M5 | STMicroelectronics |
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STW43N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 136A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 21A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW45N60DM2AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW45N60DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 95A Power dissipation: 210W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW45N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO247 On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 210W Version: ESD Gate-source voltage: ±20V Drain current: 22A Anzahl je Verpackung: 600 Stücke |
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STW45NM50 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: MDmesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: 500V Drain current: 28.4A On-state resistance: 0.1Ω Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW45NM60 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 28A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW46NF30 | STMicroelectronics |
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STW48N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 160A; 300W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 300W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW48N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 300W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW48N60M2-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 300W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Version: ESD Technology: MDmesh™ M2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW48N60M6 | STMicroelectronics |
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STW48N60M6-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 25A; Idm: 140A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 69mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Version: ESD Technology: MDmesh™ M6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW48NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 28A; 330W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28A Power dissipation: 330W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW4N150 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO247 Case: TO247 Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: PowerMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW50N65DM2AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 24A; 300W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Case: TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: MDmesh™ DM2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A On-state resistance: 70mΩ Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW50N65DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 21A; Idm: 120A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 52.5nC Kind of package: tube Technology: MDmesh™ DM6 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 650V Drain current: 21A On-state resistance: 91mΩ Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW52NK25Z | STMicroelectronics |
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STW56N60DM2 | STMicroelectronics |
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STW56N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 208A; 350W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A Pulsed drain current: 208A Power dissipation: 350W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW56N60M2-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 208A; 350W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A Pulsed drain current: 208A Power dissipation: 350W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW56N65DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 360W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 58mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW56N65M2 | STMicroelectronics |
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STW56N65M2-4 | STMicroelectronics |
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STW57N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 26.5A; Idm: 168A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 26.5A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW57N65M5-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26.5A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: MDmesh™ V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW58N60DM2AG | STMicroelectronics |
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STW58N65DM2AG | STMicroelectronics |
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STW5NK100Z | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW63N65DM2 | STMicroelectronics |
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STW65N045M9-4 | STMicroelectronics |
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STW65N60DM6 | STMicroelectronics |
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STW65N65DM2AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 38A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW65N80K5 | STMicroelectronics |
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STW68N60M6 | STMicroelectronics |
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STW68N60M6-4 | STMicroelectronics |
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STW68N65DM6 | STMicroelectronics | STW68N65DM6 THT N channel transistors |
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STW68N65DM6-4AG | STMicroelectronics |
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STW69N65M5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW69N65M5-4 | STMicroelectronics |
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STW6N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 110W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
STW6N95K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 90W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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STW70N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: MDmesh™ DM2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Drain-source voltage: 600V Drain current: 42A On-state resistance: 37mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW70N60DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 99nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Pulsed drain current: 220A Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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STW70N60DM6-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 99nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 220A Mounting: THT Case: TO247-4 Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A On-state resistance: 42mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW70N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: MDmesh™ || Plus Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 450W Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
STW35N65DM2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 56.3nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 56.3nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW36N60M6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STW36N60M6 THT N channel transistors
STW36N60M6 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW37N60DM2AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
STW37N60DM2AG THT N channel transistors
STW37N60DM2AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW38N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 19A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 19A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW38N65M5-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 19A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 19A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW3N150 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.56 EUR |
17+ | 4.29 EUR |
18+ | 4.06 EUR |
60+ | 4.00 EUR |
120+ | 3.90 EUR |
STW3N170 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1700V; 1.6A; Idm: 10.4A; 0.16W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 10.4A
Power dissipation: 0.16W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1700V; 1.6A; Idm: 10.4A; 0.16W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 10.4A
Power dissipation: 0.16W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
STW40N60M2-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
STW40N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 56.5nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 87mΩ
Pulsed drain current: 128A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 56.5nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 87mΩ
Pulsed drain current: 128A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW40N90K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW40N90K5 THT N channel transistors
STW40N90K5 THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 26.88 EUR |
5+ | 16.57 EUR |
STW40N95DK5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW40N95DK5 THT N channel transistors
STW40N95DK5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STW40N95K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW40N95K5 THT N channel transistors
STW40N95K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STW40NF20 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW40NF20 THT N channel transistors
STW40NF20 THT N channel transistors
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.89 EUR |
18+ | 3.98 EUR |
30+ | 3.62 EUR |
STW42N60M2-EP |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW42N60M2-EP THT N channel transistors
STW42N60M2-EP THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW42N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW42N65M5 THT N channel transistors
STW42N65M5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW43N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 136A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 136A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW45N60DM2AG |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.78 EUR |
12+ | 6.19 EUR |
13+ | 5.86 EUR |
120+ | 5.68 EUR |
STW45N60DM6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW45N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 600 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 600 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW45NM50 | ![]() |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 28.4A
On-state resistance: 0.1Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 28.4A
On-state resistance: 0.1Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.86 EUR |
9+ | 8.17 EUR |
10+ | 7.71 EUR |
STW45NM60 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.87 EUR |
10+ | 7.38 EUR |
11+ | 6.96 EUR |
120+ | 6.88 EUR |
STW46NF30 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW46NF30 THT N channel transistors
STW46NF30 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW48N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 160A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 160A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW48N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.64 EUR |
10+ | 7.38 EUR |
11+ | 6.98 EUR |
STW48N60M2-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
Technology: MDmesh™ M2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
Technology: MDmesh™ M2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.41 EUR |
10+ | 7.38 EUR |
11+ | 6.98 EUR |
120+ | 6.71 EUR |
STW48N60M6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW48N60M6 THT N channel transistors
STW48N60M6 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW48N60M6-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
Technology: MDmesh™ M6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
Technology: MDmesh™ M6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.88 EUR |
11+ | 6.64 EUR |
120+ | 6.38 EUR |
STW48NM60N |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 28A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 28A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
11+ | 6.51 EUR |
2010+ | 4.06 EUR |
STW4N150 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO247
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: PowerMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO247
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: PowerMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.35 EUR |
12+ | 6.15 EUR |
25+ | 5.91 EUR |
STW50N65DM2AG |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 24A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
On-state resistance: 70mΩ
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 24A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
On-state resistance: 70mΩ
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW50N65DM6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 21A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
On-state resistance: 91mΩ
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 21A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
On-state resistance: 91mΩ
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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STW52NK25Z |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW52NK25Z THT N channel transistors
STW52NK25Z THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STW56N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW56N60DM2 THT N channel transistors
STW56N60DM2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STW56N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 208A; 350W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 208A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 208A; 350W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 208A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW56N60M2-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 208A; 350W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 208A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 208A; 350W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 208A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW56N65DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
STW56N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW56N65M2 THT N channel transistors
STW56N65M2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STW56N65M2-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW56N65M2-4 THT N channel transistors
STW56N65M2-4 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STW57N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 26.5A; Idm: 168A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 26.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 26.5A; Idm: 168A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 26.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW57N65M5-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: MDmesh™ V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: MDmesh™ V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 17.50 EUR |
7+ | 10.34 EUR |
8+ | 9.77 EUR |
STW58N60DM2AG |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW58N60DM2AG THT N channel transistors
STW58N60DM2AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW58N65DM2AG |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW58N65DM2AG THT N channel transistors
STW58N65DM2AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW5NK100Z | ![]() |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW5NK100Z THT N channel transistors
STW5NK100Z THT N channel transistors
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.53 EUR |
39+ | 1.86 EUR |
41+ | 1.76 EUR |
STW63N65DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW63N65DM2 THT N channel transistors
STW63N65DM2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW65N045M9-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW65N045M9-4 THT N channel transistors
STW65N045M9-4 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW65N60DM6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW65N60DM6 THT N channel transistors
STW65N60DM6 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW65N65DM2AG |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW65N80K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW65N80K5 THT N channel transistors
STW65N80K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW68N60M6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW68N60M6 THT N channel transistors
STW68N60M6 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW68N60M6-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW68N60M6-4 THT N channel transistors
STW68N60M6-4 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW68N65DM6 |
Hersteller: STMicroelectronics
STW68N65DM6 THT N channel transistors
STW68N65DM6 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW68N65DM6-4AG |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW68N65DM6-4AG THT N channel transistors
STW68N65DM6-4AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW69N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW69N65M5 THT N channel transistors
STW69N65M5 THT N channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.02 EUR |
6+ | 12.53 EUR |
STW69N65M5-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW69N65M5-4 THT N channel transistors
STW69N65M5-4 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW6N90K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW6N95K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW70N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.34 EUR |
7+ | 11.10 EUR |
510+ | 10.67 EUR |
STW70N60DM6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW70N60DM6-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 220A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 42mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 220A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 42mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.67 EUR |
6+ | 12.34 EUR |
7+ | 11.67 EUR |
30+ | 11.23 EUR |
STW70N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH