Produkte > STMICROELECTRONICS > Alle Produkte des Herstellers STMICROELECTRONICS (170222) > Seite 1250 nach 2838

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 283 566 849 1132 1245 1246 1247 1248 1249 1250 1251 1252 1253 1254 1255 1415 1698 1981 2264 2547 2830 2838  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA48BE735A72469&compId=STW11NK100Z.pdf?ci_sign=db1ffc6c28eb67a539a7b3bc4d1105afd326ef47 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD
Case: TO247
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
On-state resistance: 1.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MDmesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW11NK90Z STMicroelectronics en.CD00100569.pdf STW11NK90Z THT N channel transistors
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.42 EUR
28+2.60 EUR
30+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW11NM80 STMicroelectronics en.CD00003205.pdf description STW11NM80 THT N channel transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.78 EUR
21+3.46 EUR
22+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW120NF10 STMicroelectronics en.CD00003356.pdf STW120NF10 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW12N120K5 STMicroelectronics en.DM00036727.pdf STW12N120K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW12N150K5 STMicroelectronics en.DM00182307.pdf STW12N150K5 THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.59 EUR
7+10.74 EUR
8+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW12N170K5 STMicroelectronics stw12n170k5.pdf STW12N170K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW12NK80Z STW12NK80Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B797247C63CF9E28&compId=STX12NK80Z-DTE.pdf?ci_sign=f16a05d7c5976a6e30eea02f465f3c9bb1d35a7f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.68 EUR
33+2.17 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW12NK90Z STW12NK90Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA48F69F70FE469&compId=STW12NK90Z.pdf?ci_sign=1c46c792ceef7e816226d2249a176359642e2d82 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.11 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
1020+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13N80K5 STW13N80K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9859721F5C745&compId=STB13N80K5.pdf?ci_sign=aa2e5e5956a995899144b97e10528889a0a7d9a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
12+5.96 EUR
25+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13N95K3 STMicroelectronics en.CD00233894.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 6A; Idm: 40A; 190W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.68Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.85 EUR
15+4.90 EUR
16+4.63 EUR
300+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13NK100Z STW13NK100Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796154AFD809E28&compId=STW13NK100Z-DTE.pdf?ci_sign=a7b3a2cce08859a3be4498f7c317ae8ff0137550 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.80 EUR
10+7.25 EUR
11+6.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13NK60Z STW13NK60Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8D83BCBC7A745&compId=STB13NK60ZT4.pdf?ci_sign=b00b55297326f50e0f7ba8d3e1e593ecafd6850a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.49 EUR
33+2.20 EUR
37+1.97 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW14NK50Z STW14NK50Z STMicroelectronics STW14NK50Z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 150W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.35 EUR
36+2.00 EUR
38+1.90 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15N80K5 STW15N80K5 STMicroelectronics STx15N80K5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 8.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15N95K5 STMicroelectronics en.DM00095839.pdf STW15N95K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK50Z STW15NK50Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3D1D211056469&compId=STP15NK50ZFP.pdf?ci_sign=13d88ad68509c594a1b506101500f58d43dba0b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.48 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
510+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK90Z STW15NK90Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796A001A32F5E28&compId=STW15NK90Z-DTE.pdf?ci_sign=62cd9c7576076a19ee6b29721394085dd84d74cf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247; ESD
Case: TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.31 EUR
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N60DM2 STW18N60DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796A0CB7FED1E28&compId=STW18N60DM2-DTE.pdf?ci_sign=8a2aa8dbc9bc571254922ea1c0509718102b7073 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.40 EUR
32+2.26 EUR
34+2.14 EUR
510+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N60M2 STW18N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7972948FDA8BE28&compId=STx18N60M2-DTE.pdf?ci_sign=2c77429473266a0e0938d198f64846674013b01e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B4D50A5360D2&compId=stw18n65m5.pdf?ci_sign=7329d71739dea5daedc971a5e26bc946658b33e3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18NM60N STMicroelectronics stw18nm60n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18NM80 STW18NM80 STMicroelectronics STx18NM80-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.71A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW19NM60N STMicroelectronics en.DM00080239.pdf STW19NM60N THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20N90K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B5523A4380D2&compId=stw20n90k5.pdf?ci_sign=640ba2bdee6b5ef9ce2e103fbead8f4a32dcf30e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20N95DK5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B5523A44E0D2&compId=stw20n90k5.pdf?ci_sign=d0c038b5ff811ca0825fe8d4e3adb6f6d37a3241 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 11A; Idm: 72A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50.7nC
Pulsed drain current: 72A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20N95K5 STW20N95K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995D671E6EAE578BF&compId=STx20N95K5.pdf?ci_sign=1d51f2aaa09b94a5754dc463c79c9f5cbfb12c54 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NK50Z STW20NK50Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA498A94E5D2469&compId=STW20NK50Z.pdf?ci_sign=18fcd641ca3dadf63d431a296c002130b2321804 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.55 EUR
33+2.20 EUR
35+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM50FD STW20NM50FD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796A2A44259DE28&compId=STW20NM50FD-DTE.pdf?ci_sign=ff447b588ab458df5954dc6af5db6b5f281f87b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.85 EUR
24+3.10 EUR
25+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60 STW20NM60 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B79738E359FBBE28&compId=STx20NM60x-DTE.pdf?ci_sign=82e802f63b3af6e0320904c922c9f308f1316ea1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.74 EUR
24+3.05 EUR
25+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60FD STW20NM60FD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7973384D48EBE28&compId=STx20NM60xD-DTE.pdf?ci_sign=5fc823a5766b777bf4a0fb309d35d8e5644eb521 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.41 EUR
25+2.95 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N150K5 STMicroelectronics en.DM00130400.pdf STW21N150K5 THT N channel transistors
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+23.74 EUR
5+14.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N90K5 STW21N90K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7973A8067537E28&compId=STx21N90K5-DTE.pdf?ci_sign=8db1817893fe96a721e7baae72f0989e2af7f7d0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 900V; 11.6A; 250W
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11.6A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.83 EUR
11+6.62 EUR
120+6.36 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21NM60ND STW21NM60ND STMicroelectronics STx21NM60ND-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 10A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW22N95K5 STMicroelectronics en.DM00092786.pdf STW22N95K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW23N80K5 STMicroelectronics stw23n80k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 64A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW23N85K5 STMicroelectronics en.DM00062129.pdf STW23N85K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW24N60M2 STW24N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.79 EUR
32+2.30 EUR
33+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW24N60M6 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B4FE16CB60D2&compId=stw24n60m6.pdf?ci_sign=091ededab7912241e3aa5b9e2f5d3d80a1920de1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 162mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW24NM60N STW24NM60N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974E2FE7AEBE28&compId=STx24NM60N-DTE.pdf?ci_sign=569c948a207fcad07b33ae501a6d74948a153f2e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW25N60M2-EP STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B4FE16CCA0D2&compId=stw25n60m2-ep.pdf?ci_sign=1a9710111e0c7f96dd649f7703c852195f46178a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.3A; Idm: 72A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
On-state resistance: 0.175Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW25N80K5 STW25N80K5 STMicroelectronics STx25N80K5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 12.3A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW26N65DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B4FE16CDE0D2&compId=stw26n65dm2.pdf?ci_sign=9c157ec2ce301fe3b09b0e61fcccd4e67637dffc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.6A; Idm: 53A; 170W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.6A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW26NM50 STW26NM50 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796AB7458915E28&compId=STW26NM50-DTE.pdf?ci_sign=498e2078d94698a68e0e529722c9c5b2da34d361 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.75 EUR
15+4.80 EUR
16+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW26NM60N STW26NM60N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796ADD753C07E28&compId=STW26NM60N-DTE.pdf?ci_sign=ea054b2d8bb283dc31355dfcb068e6127043945a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.48 EUR
30+2.46 EUR
31+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW27N60M2-EP STMicroelectronics stw27n60m2-ep.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 80A; 170W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW28N60DM2 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf STW28N60DM2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW28N60M2 STW28N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7975CB8F4DA9E28&compId=STx28N60M2-DTE.pdf?ci_sign=df0efbd07c4977842c9371e9e730180eb67694e4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.75 EUR
19+3.76 EUR
60+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW28N65M2 STW28N65M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B50B3655C0D2&compId=stw28n65m2.pdf?ci_sign=2b51429875914375958913d5883b0a27b7f644a9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf STW28NM50N THT N channel transistors
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.12 EUR
27+2.73 EUR
28+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW30N65M5 STMicroelectronics en.CD00223067.pdf STW30N65M5 THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.78 EUR
15+4.78 EUR
510+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW30N80K5 STMicroelectronics en.DM00246893.pdf STW30N80K5 THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.04 EUR
9+8.27 EUR
10+7.81 EUR
600+7.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW31N65M5 STW31N65M5 STMicroelectronics STW31N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW32NM50N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B5997DA200D2&compId=stw32nm50n.pdf?ci_sign=72569432bbf5fe7f71ee0b3e87cd0cb703bfc8d0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.86A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW33N60DM2 STW33N60DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B58593AC40D2&compId=stw33n60dm2.pdf?ci_sign=e586b9aaf8b023ed71d90191c2409c35ec09056c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.42 EUR
14+5.32 EUR
15+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW33N60M6 STW33N60M6 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B58593AD80D2&compId=stw33n60m6.pdf?ci_sign=a434ccaab68579aa576acf32d05e9d69f163f57d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 78A
Case: TO247
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW34N65M5 STW34N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B797698F371C1E28&compId=STx34N65M5-DTE.pdf?ci_sign=4da573b778378b60dbb6e68615eb48ebb234bae8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 17.7A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW34NM60N STW34NM60N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796AF802AE71E28&compId=STW34NM60N-DTE.pdf?ci_sign=040baad4022de1b6f2dc25d386c2623852f2c429 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.37 EUR
16+4.58 EUR
17+4.33 EUR
990+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW34NM60ND STW34NM60ND STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7976B36A2DB9E28&compId=STx34NM60ND-DTE.pdf?ci_sign=e289cc0d626f0f2806aaec98cb7ab1e097b96ee3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.36 EUR
15+4.83 EUR
16+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW35N60DM2 STW35N60DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796B26C767B9E28&compId=STW35N60DM2-DTE.pdf?ci_sign=26856859e0c552981a2b1b94929520fa2a3defbe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 210W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW11NK100Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA48BE735A72469&compId=STW11NK100Z.pdf?ci_sign=db1ffc6c28eb67a539a7b3bc4d1105afd326ef47
STW11NK100Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD
Case: TO247
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
On-state resistance: 1.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MDmesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW11NK90Z en.CD00100569.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW11NK90Z THT N channel transistors
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.42 EUR
28+2.60 EUR
30+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW11NM80 description en.CD00003205.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW11NM80 THT N channel transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.78 EUR
21+3.46 EUR
22+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW120NF10 en.CD00003356.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW120NF10 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW12N120K5 en.DM00036727.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW12N120K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW12N150K5 en.DM00182307.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW12N150K5 THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.59 EUR
7+10.74 EUR
8+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW12N170K5 stw12n170k5.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW12N170K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW12NK80Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B797247C63CF9E28&compId=STX12NK80Z-DTE.pdf?ci_sign=f16a05d7c5976a6e30eea02f465f3c9bb1d35a7f
STW12NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.68 EUR
33+2.17 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW12NK90Z description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA48F69F70FE469&compId=STW12NK90Z.pdf?ci_sign=1c46c792ceef7e816226d2249a176359642e2d82
STW12NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.11 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
1020+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13N80K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9859721F5C745&compId=STB13N80K5.pdf?ci_sign=aa2e5e5956a995899144b97e10528889a0a7d9a7
STW13N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
12+5.96 EUR
25+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13N95K3 en.CD00233894.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 6A; Idm: 40A; 190W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.68Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.85 EUR
15+4.90 EUR
16+4.63 EUR
300+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13NK100Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796154AFD809E28&compId=STW13NK100Z-DTE.pdf?ci_sign=a7b3a2cce08859a3be4498f7c317ae8ff0137550
STW13NK100Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.80 EUR
10+7.25 EUR
11+6.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13NK60Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8D83BCBC7A745&compId=STB13NK60ZT4.pdf?ci_sign=b00b55297326f50e0f7ba8d3e1e593ecafd6850a
STW13NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.49 EUR
33+2.20 EUR
37+1.97 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW14NK50Z description STW14NK50Z.pdf
STW14NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 150W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.35 EUR
36+2.00 EUR
38+1.90 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15N80K5 STx15N80K5-DTE.pdf
STW15N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 8.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15N95K5 en.DM00095839.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW15N95K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK50Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3D1D211056469&compId=STP15NK50ZFP.pdf?ci_sign=13d88ad68509c594a1b506101500f58d43dba0b2
STW15NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.48 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
510+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK90Z description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796A001A32F5E28&compId=STW15NK90Z-DTE.pdf?ci_sign=62cd9c7576076a19ee6b29721394085dd84d74cf
STW15NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247; ESD
Case: TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.31 EUR
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N60DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796A0CB7FED1E28&compId=STW18N60DM2-DTE.pdf?ci_sign=8a2aa8dbc9bc571254922ea1c0509718102b7073
STW18N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.40 EUR
32+2.26 EUR
34+2.14 EUR
510+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7972948FDA8BE28&compId=STx18N60M2-DTE.pdf?ci_sign=2c77429473266a0e0938d198f64846674013b01e
STW18N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B4D50A5360D2&compId=stw18n65m5.pdf?ci_sign=7329d71739dea5daedc971a5e26bc946658b33e3
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18NM60N stw18nm60n.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18NM80 STx18NM80-DTE.pdf
STW18NM80
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.71A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW19NM60N en.DM00080239.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW19NM60N THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20N90K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B5523A4380D2&compId=stw20n90k5.pdf?ci_sign=640ba2bdee6b5ef9ce2e103fbead8f4a32dcf30e
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20N95DK5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B5523A44E0D2&compId=stw20n90k5.pdf?ci_sign=d0c038b5ff811ca0825fe8d4e3adb6f6d37a3241
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 11A; Idm: 72A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50.7nC
Pulsed drain current: 72A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20N95K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995D671E6EAE578BF&compId=STx20N95K5.pdf?ci_sign=1d51f2aaa09b94a5754dc463c79c9f5cbfb12c54
STW20N95K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NK50Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA498A94E5D2469&compId=STW20NK50Z.pdf?ci_sign=18fcd641ca3dadf63d431a296c002130b2321804
STW20NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.55 EUR
33+2.20 EUR
35+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM50FD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796A2A44259DE28&compId=STW20NM50FD-DTE.pdf?ci_sign=ff447b588ab458df5954dc6af5db6b5f281f87b2
STW20NM50FD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.85 EUR
24+3.10 EUR
25+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B79738E359FBBE28&compId=STx20NM60x-DTE.pdf?ci_sign=82e802f63b3af6e0320904c922c9f308f1316ea1
STW20NM60
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.74 EUR
24+3.05 EUR
25+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60FD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7973384D48EBE28&compId=STx20NM60xD-DTE.pdf?ci_sign=5fc823a5766b777bf4a0fb309d35d8e5644eb521
STW20NM60FD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.41 EUR
25+2.95 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N150K5 en.DM00130400.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW21N150K5 THT N channel transistors
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+23.74 EUR
5+14.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N90K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7973A8067537E28&compId=STx21N90K5-DTE.pdf?ci_sign=8db1817893fe96a721e7baae72f0989e2af7f7d0
STW21N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 900V; 11.6A; 250W
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11.6A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.83 EUR
11+6.62 EUR
120+6.36 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21NM60ND STx21NM60ND-DTE.pdf
STW21NM60ND
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 10A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW22N95K5 en.DM00092786.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW22N95K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW23N80K5 stw23n80k5.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 64A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW23N85K5 en.DM00062129.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW23N85K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW24N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4
STW24N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.79 EUR
32+2.30 EUR
33+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW24N60M6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B4FE16CB60D2&compId=stw24n60m6.pdf?ci_sign=091ededab7912241e3aa5b9e2f5d3d80a1920de1
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 162mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW24NM60N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974E2FE7AEBE28&compId=STx24NM60N-DTE.pdf?ci_sign=569c948a207fcad07b33ae501a6d74948a153f2e
STW24NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW25N60M2-EP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B4FE16CCA0D2&compId=stw25n60m2-ep.pdf?ci_sign=1a9710111e0c7f96dd649f7703c852195f46178a
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.3A; Idm: 72A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
On-state resistance: 0.175Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW25N80K5 STx25N80K5-DTE.pdf
STW25N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 12.3A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW26N65DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B4FE16CDE0D2&compId=stw26n65dm2.pdf?ci_sign=9c157ec2ce301fe3b09b0e61fcccd4e67637dffc
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.6A; Idm: 53A; 170W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.6A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW26NM50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796AB7458915E28&compId=STW26NM50-DTE.pdf?ci_sign=498e2078d94698a68e0e529722c9c5b2da34d361
STW26NM50
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.75 EUR
15+4.80 EUR
16+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW26NM60N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796ADD753C07E28&compId=STW26NM60N-DTE.pdf?ci_sign=ea054b2d8bb283dc31355dfcb068e6127043945a
STW26NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.48 EUR
30+2.46 EUR
31+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW27N60M2-EP stw27n60m2-ep.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 80A; 170W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW28N60DM2 ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW28N60DM2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW28N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7975CB8F4DA9E28&compId=STx28N60M2-DTE.pdf?ci_sign=df0efbd07c4977842c9371e9e730180eb67694e4
STW28N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.75 EUR
19+3.76 EUR
60+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW28N65M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B50B3655C0D2&compId=stw28n65m2.pdf?ci_sign=2b51429875914375958913d5883b0a27b7f644a9
STW28N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW28NM50N en.CD00271786.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW28NM50N THT N channel transistors
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.12 EUR
27+2.73 EUR
28+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW30N65M5 en.CD00223067.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW30N65M5 THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.78 EUR
15+4.78 EUR
510+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW30N80K5 en.DM00246893.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STW30N80K5 THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.04 EUR
9+8.27 EUR
10+7.81 EUR
600+7.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW31N65M5 STW31N65M5.pdf
STW31N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW32NM50N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B5997DA200D2&compId=stw32nm50n.pdf?ci_sign=72569432bbf5fe7f71ee0b3e87cd0cb703bfc8d0
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.86A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW33N60DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B58593AC40D2&compId=stw33n60dm2.pdf?ci_sign=e586b9aaf8b023ed71d90191c2409c35ec09056c
STW33N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.42 EUR
14+5.32 EUR
15+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW33N60M6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B58593AD80D2&compId=stw33n60m6.pdf?ci_sign=a434ccaab68579aa576acf32d05e9d69f163f57d
STW33N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 78A
Case: TO247
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW34N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B797698F371C1E28&compId=STx34N65M5-DTE.pdf?ci_sign=4da573b778378b60dbb6e68615eb48ebb234bae8
STW34N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 17.7A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW34NM60N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796AF802AE71E28&compId=STW34NM60N-DTE.pdf?ci_sign=040baad4022de1b6f2dc25d386c2623852f2c429
STW34NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.37 EUR
16+4.58 EUR
17+4.33 EUR
990+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW34NM60ND pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7976B36A2DB9E28&compId=STx34NM60ND-DTE.pdf?ci_sign=e289cc0d626f0f2806aaec98cb7ab1e097b96ee3
STW34NM60ND
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.36 EUR
15+4.83 EUR
16+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW35N60DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796B26C767B9E28&compId=STW35N60DM2-DTE.pdf?ci_sign=26856859e0c552981a2b1b94929520fa2a3defbe
STW35N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 210W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 283 566 849 1132 1245 1246 1247 1248 1249 1250 1251 1252 1253 1254 1255 1415 1698 1981 2264 2547 2830 2838  [ Nächste Seite >> ]