Produkte > STMICROELECTRONICS > Alle Produkte des Herstellers STMICROELECTRONICS (171360) > Seite 1254 nach 2856
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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STW5NK100Z | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W Mounting: THT Case: TO247 Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: SuperMESH3™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2.2A On-state resistance: 3.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW63N65DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 38A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW65N045M9-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 650V; 34A; Idm: 170A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M9 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Pulsed drain current: 170A Power dissipation: 312W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW65N60DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 29A; Idm: 140A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 71mΩ Mounting: THT Gate charge: 65.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ DM6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW65N65DM2AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO247 On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 446W Gate charge: 0.12µC Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 240A Drain current: 38A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW65N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 30A; Idm: 184A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 30A Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW68N60M6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 252A; 390W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40A Pulsed drain current: 252A Power dissipation: 390W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 600 Stücke |
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STW68N60M6-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 252A; 390W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40A Pulsed drain current: 252A Power dissipation: 390W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 35mΩ Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW68N65DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 35A; Idm: 172A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 35A Pulsed drain current: 172A Power dissipation: 431W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 59mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ DM6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW68N65DM6-4AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; Idm: 280A; 480W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 480W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 118nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW69N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 36.5A; 330W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 36.5A Power dissipation: 330W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW69N65M5-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 36.5A; Idm: 232A; 330W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 36.5A Pulsed drain current: 232A Power dissipation: 330W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW6N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 110W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW6N95K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 90W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW70N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: MDmesh™ DM2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Drain-source voltage: 600V Drain current: 42A On-state resistance: 37mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW70N60DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 99nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Pulsed drain current: 220A Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW70N60DM6-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 99nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247-4 Pulsed drain current: 220A Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW70N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: MDmesh™ || Plus Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 450W Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW70N60M2-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 43A; Idm: 272A Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 118nC Technology: MDmesh™ M2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247-4 Pulsed drain current: 272A Drain-source voltage: 600V Drain current: 43A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 450W Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW70N65DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 125nC Technology: MDmesh™ DM6 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Pulsed drain current: 260A Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 450W Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW70N65DM6-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 125nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247-4 Pulsed drain current: 260A Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 450W Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW70N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 252A; 446W; TO247 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 117nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Pulsed drain current: 252A Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A On-state resistance: 39mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW74NF30 | STMicroelectronics | STW74NF30 THT N channel transistors |
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STW75N60DM6 | STMicroelectronics |
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STW75N60M6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 45A Pulsed drain current: 288A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW75N60M6-4 | STMicroelectronics |
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STW75N65DM6-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO247-4 On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 480W Gate charge: 118nC Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 280A Drain current: 47A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW75NF20 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 47A Case: TO247 On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 190W Technology: STripFET™ Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW75NF30AG | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 60A Case: TO247 On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW77N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41.5A Power dissipation: 400W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW78N65M5 | STMicroelectronics |
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STW7N105K5 | STMicroelectronics |
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STW7N90K5 | STMicroelectronics |
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STW7N95K3 | STMicroelectronics |
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STW7NK90Z | STMicroelectronics |
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STW88N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.5A Power dissipation: 450W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 29mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW88N65M5-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.5A; Idm: 336A; 450W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.5A Pulsed drain current: 336A Power dissipation: 450W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 204nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW8N120K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 12A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3.5A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 13.7nC Pulsed drain current: 12A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW8N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 11nC Pulsed drain current: 32A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW8NK80Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A Power dissipation: 140W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW9N150 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 5A; 320W; TO247 Mounting: THT Drain current: 5A On-state resistance: 2.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 320W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: PowerMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Case: TO247 Drain-source voltage: 1.5kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW9N80K5 | STMicroelectronics |
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STW9NK90Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 160W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Power dissipation: 160W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW9NK95Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 4.41A; Idm: 28A; 160W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 4.41A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 160W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.15Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STWA12N120K5 | STMicroelectronics |
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STWA20N95DK5 | STMicroelectronics |
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STWA20N95K5 | STMicroelectronics |
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STWA30N65DM6AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 284W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STWA32N65DM6AG | STMicroelectronics | STWA32N65DM6AG THT N channel transistors |
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STWA35N65DM2 | STMicroelectronics |
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STWA40N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 88mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STWA40N90K5 | STMicroelectronics |
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STWA40N95DK5 | STMicroelectronics |
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STWA40N95K5 | STMicroelectronics |
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STWA45N60DM2AG | STMicroelectronics | STWA45N60DM2AG THT N channel transistors |
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STWA45N65M5 | STMicroelectronics |
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STWA48N60DM2 | STMicroelectronics |
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STWA48N60M2 | STMicroelectronics |
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STWA48N60M6 | STMicroelectronics |
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STWA50N65DM2AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 24A; Idm: 110A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of package: tube Technology: MDmesh™ DM2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 110A Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A On-state resistance: 70mΩ Application: automotive industry Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STW5NK100Z | ![]() |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W
Mounting: THT
Case: TO247
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SuperMESH3™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 3.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W
Mounting: THT
Case: TO247
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SuperMESH3™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 3.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.38 EUR |
39+ | 1.84 EUR |
41+ | 1.74 EUR |
STW63N65DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STW65N045M9-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 650V; 34A; Idm: 170A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M9
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 170A
Power dissipation: 312W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 650V; 34A; Idm: 170A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M9
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 170A
Power dissipation: 312W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STW65N60DM6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 29A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ DM6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 29A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ DM6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
STW65N65DM2AG |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 446W
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 240A
Drain current: 38A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 446W
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 240A
Drain current: 38A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW65N80K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 30A; Idm: 184A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 30A; Idm: 184A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STW68N60M6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 252A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 600 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 252A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 600 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STW68N60M6-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 252A; 390W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 252A; 390W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STW68N65DM6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 35A; Idm: 172A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 172A
Power dissipation: 431W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ DM6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 35A; Idm: 172A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 172A
Power dissipation: 431W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ DM6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW68N65DM6-4AG |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; Idm: 280A; 480W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; Idm: 280A; 480W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW69N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 36.5A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 36.5A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
STW69N65M5-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 36.5A; Idm: 232A; 330W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 36.5A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 36.5A; Idm: 232A; 330W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 36.5A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW6N90K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW6N95K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW70N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.34 EUR |
7+ | 11.1 EUR |
510+ | 10.67 EUR |
STW70N60DM6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW70N60DM6-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.67 EUR |
6+ | 12.36 EUR |
7+ | 11.67 EUR |
30+ | 11.23 EUR |
STW70N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.3 EUR |
9+ | 8.05 EUR |
STW70N60M2-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 43A; Idm: 272A
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 118nC
Technology: MDmesh™ M2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 272A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 43A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 43A; Idm: 272A
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 118nC
Technology: MDmesh™ M2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 272A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 43A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW70N65DM6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 125nC
Technology: MDmesh™ DM6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 260A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 125nC
Technology: MDmesh™ DM6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 260A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW70N65DM6-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 260A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 260A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW70N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 252A; 446W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 117nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 252A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 252A; 446W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 117nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 252A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW74NF30 |
Hersteller: STMicroelectronics
STW74NF30 THT N channel transistors
STW74NF30 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STW75N60DM6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW75N60DM6 THT N channel transistors
STW75N60DM6 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
STW75N60M6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 288A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 288A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.24 EUR |
9+ | 8.39 EUR |
10+ | 7.94 EUR |
STW75N60M6-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW75N60M6-4 THT N channel transistors
STW75N60M6-4 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STW75N65DM6-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247-4
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 480W
Gate charge: 118nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 280A
Drain current: 47A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247-4
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 480W
Gate charge: 118nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 280A
Drain current: 47A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW75NF20 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 47A
Case: TO247
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Technology: STripFET™
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 47A
Case: TO247
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Technology: STripFET™
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.52 EUR |
17+ | 4.29 EUR |
18+ | 4.09 EUR |
30+ | 3.96 EUR |
120+ | 3.93 EUR |
STW75NF30AG |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 60A
Case: TO247
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 60A
Case: TO247
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW77N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 400W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 400W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.06 EUR |
5+ | 14.73 EUR |
10+ | 14.16 EUR |
STW78N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW78N65M5 THT N channel transistors
STW78N65M5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW7N105K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW7N105K5 THT N channel transistors
STW7N105K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW7N90K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW7N90K5 THT N channel transistors
STW7N90K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW7N95K3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW7N95K3 THT N channel transistors
STW7N95K3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW7NK90Z |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW7NK90Z THT N channel transistors
STW7NK90Z THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW88N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.5A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.5A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 21.86 EUR |
5+ | 15.09 EUR |
6+ | 14.26 EUR |
STW88N65M5-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.5A; Idm: 336A; 450W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.5A
Pulsed drain current: 336A
Power dissipation: 450W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 204nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.5A; Idm: 336A; 450W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.5A
Pulsed drain current: 336A
Power dissipation: 450W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 204nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW8N120K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 12A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13.7nC
Pulsed drain current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 12A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13.7nC
Pulsed drain current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW8N90K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Pulsed drain current: 32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Pulsed drain current: 32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW8NK80Z |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW9N150 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 5A; 320W; TO247
Mounting: THT
Drain current: 5A
On-state resistance: 2.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: PowerMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.5kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 5A; 320W; TO247
Mounting: THT
Drain current: 5A
On-state resistance: 2.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: PowerMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.5kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.54 EUR |
9+ | 8.32 EUR |
STW9N80K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STW9N80K5 THT N channel transistors
STW9N80K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW9NK90Z |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW9NK95Z |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 4.41A; Idm: 28A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 4.41A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 4.41A; Idm: 28A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 4.41A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STWA12N120K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STWA12N120K5 THT N channel transistors
STWA12N120K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STWA20N95DK5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STWA20N95DK5 THT N channel transistors
STWA20N95DK5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STWA20N95K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STWA20N95K5 THT N channel transistors
STWA20N95K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STWA30N65DM6AG |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 284W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 284W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STWA32N65DM6AG |
Hersteller: STMicroelectronics
STWA32N65DM6AG THT N channel transistors
STWA32N65DM6AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STWA35N65DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STWA35N65DM2 THT N channel transistors
STWA35N65DM2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STWA40N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STWA40N90K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STWA40N90K5 THT N channel transistors
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STWA40N95DK5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STWA40N95DK5 THT N channel transistors
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STWA40N95K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STWA40N95K5 THT N channel transistors
STWA40N95K5 THT N channel transistors
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STWA45N60DM2AG |
Hersteller: STMicroelectronics
STWA45N60DM2AG THT N channel transistors
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STWA45N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STWA45N65M5 THT N channel transistors
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STWA48N60DM2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STWA48N60DM2 THT N channel transistors
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STWA48N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STWA48N60M2 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
STWA48N60M6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STWA48N60M6 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
STWA50N65DM2AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 24A; Idm: 110A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 110A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
On-state resistance: 70mΩ
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 24A; Idm: 110A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 110A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
On-state resistance: 70mΩ
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
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