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MBRF1690HC0G MBRF1690HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1635%20SERIES_J1512.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 16A ITO220AC
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MBRF16H45 C0G MBRF16H45 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF16H45_E1512.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 16A ITO220AC
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MURF1640CTHC0G MURF1640CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MURF1620CT%20SERIES_K2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 400V 16A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
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SRF1630 C0G SRF1630 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF1620%20SERIES_I13.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 30V ITO220AB
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SRF1630HC0G SRF1630HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF1620%20SERIES_I13.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 30V ITO220AB
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TSM60NB041PW C1G TSM60NB041PW C1G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NB041PW Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 21.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 100 V
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.76 EUR
10+ 21.82 EUR
100+ 18.87 EUR
500+ 17.1 EUR
1000+ 15.69 EUR
SMB10J24CAHR5G SMB10J24CAHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_B2102.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AA
auf Bestellung 1700 Stücke:
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SMB10J24CAHR5G SMB10J24CAHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_B2102.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AA
auf Bestellung 2411 Stücke:
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GBPC5001 T0G GBPC5001 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC40_50%20SERIES_G2211.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 100V 50A GBPC40
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC40
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC40
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
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GBPC5001M T0G GBPC5001M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC40_50%20SERIES_G2211.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 100V 50A GBPC40-M
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC40-M
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC40-M
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
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GBPC5002 T0G GBPC5002 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC40,%2050%20SERIES_E2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 200V 50A GBPC40
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GBPC5002M T0G GBPC5002M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC40_50%20SERIES_G2211.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 200V 50A GBPC40-M
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC40-M
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC40-M
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
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GBPC5004 T0G GBPC5004 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC40,%2050%20SERIES_E2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 50A GBPC40
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GBPC5004M T0G GBPC5004M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC40_50%20SERIES_G2211.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 50A GBPC40-M
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC40-M
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC40-M
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
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BZT52C20S RRG BZT52C20S RRG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BZT52C20S Description: DIODE ZENER 20V 200MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 14 V
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BZT52C20S RRG BZT52C20S RRG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BZT52C20S Description: DIODE ZENER 20V 200MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 14 V
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.53 EUR
47+ 0.37 EUR
100+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 34
TSM4435BCS RLG TSM4435BCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 9.1A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
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TSM4435BCS RLG TSM4435BCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 9.1A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
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SMAJ7.0CAHR3G SMAJ7.0CAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SMAJ%20SERIES_U2102.pdf Description: TVS DIODE 7VWM 12VC DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 33.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.78V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.76 EUR
29+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 24
TSM1N45DCS RLG TSM1N45DCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM1N45DCS-RLG.pdf Description: MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP
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TSM1N45DCS RLG TSM1N45DCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM1N45DCS-RLG.pdf Description: MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP
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TSZU52C5V6 RGG TSZU52C5V6 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C2V0 SERIES_G2009.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 150MW 0603
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: 0603
Power - Max: 150 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
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SMDJ48A M6G SMDJ48A M6G Taiwan Semiconductor Corporation SMDJ%20SERIES_E1708.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
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SMDJ48AHM6G SMDJ48AHM6G Taiwan Semiconductor Corporation SMDJ%20SERIES_E1708.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
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SMDJ48A R7G SMDJ48A R7G Taiwan Semiconductor Corporation SMDJ%20SERIES_E1708.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
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SMDJ48AHR7G SMDJ48AHR7G Taiwan Semiconductor Corporation SMDJ%20SERIES_E1708.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
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5.0SMDJ48AHM6G 5.0SMDJ48AHM6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
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5.0SMDJ48A M6G 5.0SMDJ48A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
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BZX585B20 RSG BZX585B20 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 20V 200MW SOD523F
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BZX585B24 RSG BZX585B24 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 24V 200MW SOD523F
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BZX585B27 RSG BZX585B27 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 27V 200MW SOD523F
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BZX585B2V4 RSG BZX585B2V4 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 2.4V 200MW SOD523F
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BZX585B2V7 RSG BZX585B2V7 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 2.7V 200MW SOD523F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1 V
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BZX585B30 RSG BZX585B30 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 30V 200MW SOD523F
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BZX585B33 RSG BZX585B33 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 33V 200MW SOD523F
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BZX585B36 RSG BZX585B36 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 36V 200MW SOD523F
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BZX585B3V0 RSG BZX585B3V0 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 3V 200MW SOD523F
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BZX585B3V3 RSG BZX585B3V3 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 3.3V 200MW SOD523F
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BZX585B3V6 RSG BZX585B3V6 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD523F
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B3V9 RSG BZX585B3V9 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD523F
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BZX585B43 RSG BZX585B43 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 43V 200MW SOD523F
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BZX585B47 RSG BZX585B47 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 47V 200MW SOD523F
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BZX585B4V7 RSG BZX585B4V7 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD523F
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B51 RSG BZX585B51 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 51V 200MW SOD523F
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B5V1 RSG BZX585B5V1 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD523F
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B5V6 RSG BZX585B5V6 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD523F
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BZW04-10B R0G BZW04-10B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
BZW04-37B R0G BZW04-37B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
BZW04-44B R0G BZW04-44B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
BZW04-48B R0G BZW04-48B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
BZW04-53B R0G BZW04-53B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 53VWM 85VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
BZW04-58B R0G BZW04-58B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
BZW04-48 R0G BZW04-48 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
BZW04-53 R0G BZW04-53 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 53VWM 85VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
BZW04-58 R0G BZW04-58 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
PU2DMH M3G PU2DMH M3G Taiwan Semiconductor Corporation PU2BMH%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
PU2DMH M3G PU2DMH M3G Taiwan Semiconductor Corporation PU2BMH%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
auf Bestellung 5648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.84 EUR
25+ 0.72 EUR
100+ 0.54 EUR
500+ 0.42 EUR
1000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 21
TSM080NB03CR RLG TSM080NB03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 55.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1097 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.45 EUR
5000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
TSM080NB03CR RLG TSM080NB03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 55.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1097 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.18 EUR
18+ 1.02 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 15
TSM250NB06LDCR RLG TSM250NB06LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/29A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MBRF1690HC0G MBRF1635%20SERIES_J1512.pdf
MBRF1690HC0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 16A ITO220AC
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MBRF16H45 C0G MBRF16H45_E1512.pdf
MBRF16H45 C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 16A ITO220AC
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MURF1640CTHC0G MURF1620CT%20SERIES_K2105.pdf
MURF1640CTHC0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 400V 16A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
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SRF1630 C0G SRF1620%20SERIES_I13.pdf
SRF1630 C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 30V ITO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
SRF1630HC0G SRF1620%20SERIES_I13.pdf
SRF1630HC0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 30V ITO220AB
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TSM60NB041PW C1G pdf.php?pn=TSM60NB041PW
TSM60NB041PW C1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 21.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 100 V
auf Bestellung 2485 Stücke:
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1+24.76 EUR
10+ 21.82 EUR
100+ 18.87 EUR
500+ 17.1 EUR
1000+ 15.69 EUR
SMB10J24CAHR5G SMB10J%20SERIES_B2102.pdf
SMB10J24CAHR5G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AA
auf Bestellung 1700 Stücke:
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SMB10J24CAHR5G SMB10J%20SERIES_B2102.pdf
SMB10J24CAHR5G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AA
auf Bestellung 2411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
GBPC5001 T0G GBPC40_50%20SERIES_G2211.pdf
GBPC5001 T0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 50A GBPC40
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC40
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC40
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
GBPC5001M T0G GBPC40_50%20SERIES_G2211.pdf
GBPC5001M T0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 50A GBPC40-M
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC40-M
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC40-M
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
GBPC5002 T0G GBPC40,%2050%20SERIES_E2103.pdf
GBPC5002 T0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 50A GBPC40
Produkt ist nicht verfügbar
GBPC5002M T0G GBPC40_50%20SERIES_G2211.pdf
GBPC5002M T0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 50A GBPC40-M
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC40-M
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC40-M
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
GBPC5004 T0G GBPC40,%2050%20SERIES_E2103.pdf
GBPC5004 T0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 50A GBPC40
Produkt ist nicht verfügbar
GBPC5004M T0G GBPC40_50%20SERIES_G2211.pdf
GBPC5004M T0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 50A GBPC40-M
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC40-M
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC40-M
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
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BZT52C20S RRG pdf.php?pn=BZT52C20S
BZT52C20S RRG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 20V 200MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 14 V
Produkt ist nicht verfügbar
BZT52C20S RRG pdf.php?pn=BZT52C20S
BZT52C20S RRG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 20V 200MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 14 V
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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34+0.53 EUR
47+ 0.37 EUR
100+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 34
TSM4435BCS RLG
TSM4435BCS RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 9.1A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
TSM4435BCS RLG
TSM4435BCS RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 9.1A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
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SMAJ7.0CAHR3G SMAJ%20SERIES_U2102.pdf
SMAJ7.0CAHR3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 7VWM 12VC DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 33.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.78V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
auf Bestellung 49 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
24+0.76 EUR
29+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 24
TSM1N45DCS RLG TSM1N45DCS-RLG.pdf
TSM1N45DCS RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP
Produkt ist nicht verfügbar
TSM1N45DCS RLG TSM1N45DCS-RLG.pdf
TSM1N45DCS RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP
Produkt ist nicht verfügbar
TSZU52C5V6 RGG TSZU52C2V0 SERIES_G2009.pdf
TSZU52C5V6 RGG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.6V 150MW 0603
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: 0603
Power - Max: 150 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
Produkt ist nicht verfügbar
SMDJ48A M6G SMDJ%20SERIES_E1708.pdf
SMDJ48A M6G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
SMDJ48AHM6G SMDJ%20SERIES_E1708.pdf
SMDJ48AHM6G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
SMDJ48A R7G SMDJ%20SERIES_E1708.pdf
SMDJ48A R7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
SMDJ48AHR7G SMDJ%20SERIES_E1708.pdf
SMDJ48AHR7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
5.0SMDJ48AHM6G 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf
5.0SMDJ48AHM6G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
5.0SMDJ48A M6G 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf
5.0SMDJ48A M6G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B20 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B20 RSG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 20V 200MW SOD523F
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B24 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B24 RSG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 24V 200MW SOD523F
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B27 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B27 RSG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 27V 200MW SOD523F
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B2V4 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B2V4 RSG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 2.4V 200MW SOD523F
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B2V7 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B2V7 RSG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 2.7V 200MW SOD523F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1 V
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B30 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B30 RSG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 30V 200MW SOD523F
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B33 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B33 RSG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 33V 200MW SOD523F
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B36 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B36 RSG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 36V 200MW SOD523F
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B3V0 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B3V0 RSG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3V 200MW SOD523F
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B3V3 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B3V3 RSG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.3V 200MW SOD523F
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B3V6 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B3V6 RSG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD523F
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B3V9 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B3V9 RSG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD523F
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B43 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B43 RSG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 200MW SOD523F
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B47 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B47 RSG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 200MW SOD523F
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B4V7 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B4V7 RSG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD523F
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B51 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B51 RSG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 200MW SOD523F
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B5V1 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B5V1 RSG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD523F
Produkt ist nicht verfügbar
BZX585B5V6 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B5V6 RSG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD523F
Produkt ist nicht verfügbar
BZW04-10B R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-10B R0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
BZW04-37B R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-37B R0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
BZW04-44B R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-44B R0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
BZW04-48B R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-48B R0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
BZW04-53B R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-53B R0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 53VWM 85VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
BZW04-58B R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-58B R0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
BZW04-48 R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-48 R0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
BZW04-53 R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-53 R0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 53VWM 85VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
BZW04-58 R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-58 R0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
PU2DMH M3G PU2BMH%20SERIES_C2103.pdf
PU2DMH M3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
PU2DMH M3G PU2BMH%20SERIES_C2103.pdf
PU2DMH M3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
auf Bestellung 5648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
21+0.84 EUR
25+ 0.72 EUR
100+ 0.54 EUR
500+ 0.42 EUR
1000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 21
TSM080NB03CR RLG
TSM080NB03CR RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 55.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1097 pF @ 15 V
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TSM080NB03CR RLG
TSM080NB03CR RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 55.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1097 pF @ 15 V
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TSM250NB06LDCR RLG
TSM250NB06LDCR RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/29A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
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