Produkte > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Alle Produkte des Herstellers TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25073) > Seite 180 nach 418
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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TSZU52C5V1 RGG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 5.1V 150MW 603Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms Supplier Device Package: 0603 Power - Max: 150 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SA58AHR0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO204AC |
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SA58CAHR0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO204AC |
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TLD8S10AH | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-218AB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 388A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V Supplier Device Package: DO-218AB Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 11.1V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW) Power Line Protection: No Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
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TLD5S10AH | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-218AB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 212A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V Supplier Device Package: DO-218AB Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 11.1V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V Power - Peak Pulse: 2800W (2.8kW) Power Line Protection: No Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
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TLD6S10AH | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-218AB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 271A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V Supplier Device Package: DO-218AB Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 11.1V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW) Power Line Protection: No Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
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YBS2204G RAG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2.2A YBS |
auf Bestellung 1934 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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YBS2206G RAG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.2A YBS |
auf Bestellung 2884 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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YBS2207G RAG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2.2A YBS |
auf Bestellung 1918 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZM4738A L0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 8.2V 1W MELF |
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ZM4741A L0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 11V 1W MELF |
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YBS2205G RAG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.2A YBS |
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SR4050PT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO247AD |
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SR4050PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO247AD |
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SMDJ45A M6G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AB |
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SMDJ45AHM6G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AB |
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SMDJ45A R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AB |
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SMDJ45AHR7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AB |
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MBRS6040CT MNG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 60A TO263AB |
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MBRS6040CT MNG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 60A TO263AB |
auf Bestellung 603 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TS10P06G D2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A TS-6P |
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TS10P06G C2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A TS-6PPackaging: Tube Package / Case: 4-SIP, TS-6P Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: TS-6P Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
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TS10P06GHC2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A TS-6PPackaging: Tube Package / Case: 4-SIP, TS-6P Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: TS-6P Grade: Automotive Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
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TS10P06GHD2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A TS-6PPackaging: Tube Package / Case: 4-SIP, TS-6P Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: TS-6P Grade: Automotive Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 |
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1.5SMC30CA V7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4V DO214ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: Telecom Current - Peak Pulse (10/1000µs): 38A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 28.5V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No |
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1.5SMC30CA V7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4V DO214ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: Telecom Current - Peak Pulse (10/1000µs): 38A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 28.5V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SMCJ70A V7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AB |
auf Bestellung 1640 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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P6SMB160AHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 136VWM 219VC DO214AA |
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TSM4ND60CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 600V 4A ITO220 |
auf Bestellung 464 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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P4SMA6.8A M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO214AC |
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P4SMA6.8AHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO214AC |
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P4SMA6.8A R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5V DO214ACPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 40A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 6.46V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V Power - Peak Pulse: 400W Power Line Protection: No |
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P4SMA6.8AHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO214AC |
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TSH253CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MAGNETIC SWITCH SOT23 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TSH253CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MAGNETIC SWITCH SOT23 |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TSH253CT B0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MAGNETIC SWITCH TO92S |
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TSS42U RGG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0201 (0603 Metric) Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: 0603 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25 V |
auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TSS42U RGG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0201 (0603 Metric) Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: 0603 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25 V |
auf Bestellung 37513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SF35G A0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD |
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SF35GHA0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD |
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SF35G B0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD |
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SF35GHB0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD |
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S1AL R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA |
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P6SMB180CA M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA |
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P6SMB180CAHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA |
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P6SMB180CAHR5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA |
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| TSC873CT A3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TRANS NPN 400V 1A TO92Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 250mA, 10V Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1 W |
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| TSC873CT B0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TRANS NPN 400V 1A TO92Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 250mA, 10V Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1 W |
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TS6P05G D2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P |
auf Bestellung 1104 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TS6P05G C2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6PPackaging: Tube Package / Case: 4-SIP, TS-6P Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: TS-6P Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 6 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
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TS6P05GHC2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6PPackaging: Tube Package / Case: 4-SIP, TS-6P Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: TS-6P Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 6 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
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TS6P05GHD2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P |
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TQM300NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TQM300NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 4999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBRF16100 C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 16A ITO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MBRF16100HC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 16A ITO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MBRF1635 C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A ITO220AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MBRF1635HC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A ITO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 35 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MBRF1645 C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 16A ITO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V |
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MBRF1690 C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 16A ITO220AC |
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| TSZU52C5V1 RGG |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 150MW 603
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: 0603
Power - Max: 150 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV
Description: DIODE ZENER 5.1V 150MW 603
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: 0603
Power - Max: 150 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.093 EUR |
| SA58AHR0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO204AC
Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO204AC
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SA58CAHR0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO204AC
Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO204AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TLD8S10AH |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 388A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 388A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TLD5S10AH |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 212A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 2800W (2.8kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 212A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 2800W (2.8kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TLD6S10AH |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 271A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 271A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| YBS2204G RAG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2.2A YBS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2.2A YBS
auf Bestellung 1934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| YBS2206G RAG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.2A YBS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.2A YBS
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| YBS2207G RAG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2.2A YBS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2.2A YBS
auf Bestellung 1918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ZM4738A L0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 8.2V 1W MELF
Description: DIODE ZENER 8.2V 1W MELF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ZM4741A L0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 11V 1W MELF
Description: DIODE ZENER 11V 1W MELF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| YBS2205G RAG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.2A YBS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.2A YBS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SR4050PT C0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO247AD
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SR4050PTHC0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO247AD
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SMDJ45A M6G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AB
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SMDJ45AHM6G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AB
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SMDJ45A R7G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AB
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SMDJ45AHR7G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AB
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRS6040CT MNG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 60A TO263AB
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 60A TO263AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRS6040CT MNG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 60A TO263AB
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 60A TO263AB
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| TS10P06G D2G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A TS-6P
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A TS-6P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TS10P06G C2G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TS10P06GHC2G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TS10P06GHD2G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1.5SMC30CA V7G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 38A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 38A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1.5SMC30CA V7G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4V DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 38A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4V DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 38A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.64 EUR |
| 10+ | 1.78 EUR |
| SMCJ70A V7G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AB
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AB
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| P6SMB160AHM4G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 136VWM 219VC DO214AA
Description: TVS DIODE 136VWM 219VC DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TSM4ND60CI C0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 4A ITO220
Description: MOSFET N-CH 600V 4A ITO220
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| P4SMA6.8A M2G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO214AC
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4SMA6.8AHM2G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO214AC
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4SMA6.8A R3G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5V DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 40A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.46V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5V DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 40A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.46V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4SMA6.8AHR3G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO214AC
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TSH253CX RFG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MAGNETIC SWITCH SOT23
Description: MAGNETIC SWITCH SOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| TSH253CX RFG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MAGNETIC SWITCH SOT23
Description: MAGNETIC SWITCH SOT23
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| TSH253CT B0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MAGNETIC SWITCH TO92S
Description: MAGNETIC SWITCH TO92S
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TSS42U RGG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25 V
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25 V
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.11 EUR |
| 8000+ | 0.097 EUR |
| 12000+ | 0.092 EUR |
| 20000+ | 0.086 EUR |
| 28000+ | 0.083 EUR |
| TSS42U RGG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25 V
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25 V
auf Bestellung 37513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 34+ | 0.53 EUR |
| 55+ | 0.32 EUR |
| 100+ | 0.2 EUR |
| 500+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.13 EUR |
| 2000+ | 0.12 EUR |
| SF35G A0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF35GHA0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF35G B0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF35GHB0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S1AL R3G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6SMB180CA M4G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6SMB180CAHM4G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6SMB180CAHR5G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TSC873CT A3G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS NPN 400V 1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 250mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 400V 1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 250mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TSC873CT B0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS NPN 400V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 250mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 400V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 250mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TS6P05G D2G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
auf Bestellung 1104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| TS6P05G C2G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TS6P05GHC2G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TS6P05GHD2G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TQM300NB06CR RLG |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.61 EUR |
| TQM300NB06CR RLG |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 1.48 EUR |
| 15+ | 1.21 EUR |
| 100+ | 0.94 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |
| MBRF16100 C0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRF16100HC0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRF1635 C0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A ITO220AC
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A ITO220AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRF1635HC0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 35 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 35 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRF1645 C0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRF1690 C0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 16A ITO220AC
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 16A ITO220AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH







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