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1SMA5934 R3G 1SMA5934 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE ZENER 24V 1.5W DO214AC
auf Bestellung 3600 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMA5934 R3G 1SMA5934 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE ZENER 24V 1.5W DO214AC
auf Bestellung 5210 Stücke:
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1SMA5928 R3G 1SMA5928 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE ZENER 13V 1.5W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.5 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZD17C36P RQG BZD17C36P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C%20SERIES_K15.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW SUB SMA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZD17C47P RQG BZD17C47P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C%20SERIES_K15.pdf Description: DIODE ZENER 47V 800MW SUB SMA
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BZD17C36P R3G BZD17C36P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C%20SERIES_K15.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW SUB SMA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZD17C47P R3G BZD17C47P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE ZENER 47V 800MW SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.38%
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 36 V
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SMCJ48CA V6G SMCJ48CA V6G Taiwan Semiconductor Corporation SMCJ SERIES_R2004.pdf Description: TVS DIODE 48V 77.4V DO214AB
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SMCJ48CA R7G SMCJ48CA R7G Taiwan Semiconductor Corporation SMCJ SERIES_R2004.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
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SMCJ48CA R7G SMCJ48CA R7G Taiwan Semiconductor Corporation SMCJ SERIES_R2004.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
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SMCJ48CAHR7G SMCJ48CAHR7G Taiwan Semiconductor Corporation SMCJ SERIES_R2004.pdf Description: TVS DIODE 48V 77.4V DO214AB
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SA15A R0G SA15A R0G Taiwan Semiconductor Corporation SA%20SERIES_K1602.pdf Description: TVS DIODE 15V 24.4V DO204AC
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P4KE12A R1G P4KE12A R1G Taiwan Semiconductor Corporation P4KE%20SERIES_N2104.pdf Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10.2V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.7V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
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MTZJ8V2SC R0G MTZJ8V2SC R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf Description: DIODE ZENER 8.24V 500MW DO34
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1PGSMA180Z M2G 1PGSMA180Z M2G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_A1707.pdf Description: DIODE ZENER 180V 1.25W DO214AC
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TSPB5H100S S1G TSPB5H100S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSPB5H100S%20SERIES_B15.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A SMPC4.0
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HS3D-K M6G HS3D-K M6G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 53pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS3D V7G HS3D V7G Taiwan Semiconductor Corporation HS3A%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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PGSMAJ100A F3G PGSMAJ100A F3G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf Description: DIODE TVS 400W SMA
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SMA6J26AHR3G SMA6J26AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SMA6J%20SERIES_E2102.pdf Description: TVS DIODE 26VWM 40.9VC DO214AC
auf Bestellung 3600 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMA6J26AHR3G SMA6J26AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SMA6J%20SERIES_E2102.pdf Description: TVS DIODE 26VWM 40.9VC DO214AC
auf Bestellung 4785 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3KB R5G S3KB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
auf Bestellung 850 Stücke:
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850+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 850
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S3KB R5G S3KB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
auf Bestellung 1520 Stücke:
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17+1.06 EUR
19+0.93 EUR
100+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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SMCJ64A R7G SMCJ64A R7G Taiwan Semiconductor Corporation SMCJ SERIES_R2004.pdf Description: TVS DIODE 64VWM 103VC DO214AB
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SMBJ110CAHM4G SMBJ110CAHM4G Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ SERIES_Q2004.pdf Description: TVS DIODE 110V 177V DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBJ110CA M4G SMBJ110CA M4G Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ SERIES_Q2004.pdf Description: TVS DIODE 110V 177V DO214AA
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MTZJ6V8SA R0G MTZJ6V8SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf Description: DIODE ZENER 6.46V 500MW DO34
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MTZJ6V8SB R0G MTZJ6V8SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf Description: DIODE ZENER 6.66V 500MW DO34
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTZJ6V8SC R0G MTZJ6V8SC R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf Description: DIODE ZENER 6.84V 500MW DO34
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BZT52B6V8S RRG BZT52B6V8S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4S%20series_G1804.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 200MW SOD323F
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TSSA5U60 E3G TSSA5U60 E3G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA5U50%20SERIES_D1512.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AC
auf Bestellung 1800 Stücke:
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SF2006PT C0G SF2006PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2001PT%20SERIES_H1601.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 20A TO247AD
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SRF1040 C0G SRF1040 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF1020%20SERIES_K1706.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 40V ITO220AB
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SRF1040HC0G SRF1040HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF1020%20SERIES_L2105.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 40V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
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MBRS10150CT MNG MBRS10150CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1035CT%20SERIES_M2103.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
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HS5K R7G HS5K R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5A%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS5K R7G HS5K R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5A%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB
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LSR102 L0G LSR102 L0G Taiwan Semiconductor Corporation LSR102 SERIES_H2004.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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ES1CL R3G ES1CL R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
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ES1AL R3G ES1AL R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
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FR207G A0G FR207G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR201G SERIES_H2105.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FR207G B0G FR207G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR201G%20SERIES_H2105.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO204AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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P4KE12A R0G P4KE12A R0G Taiwan Semiconductor Corporation P4KE%20SERIES_M1602.pdf Description: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO204AL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P4KE12AHR0G P4KE12AHR0G Taiwan Semiconductor Corporation P4KE%20SERIES_M1602.pdf Description: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO204AL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SK53B M4G SK53B M4G Taiwan Semiconductor Corporation SK52B%20SERIES_P2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SK53BHM4G SK53BHM4G Taiwan Semiconductor Corporation SK52B%20SERIES_P2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SK53C V6G SK53C V6G Taiwan Semiconductor Corporation SK52C%20SERIES_Q2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 5A 30V DO-214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SK53C R7G SK53C R7G Taiwan Semiconductor Corporation SK52C%20SERIES_Q2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SK53C M6G SK53C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK52C%20SERIES_Q2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SK53CHM6G SK53CHM6G Taiwan Semiconductor Corporation SK52C%20SERIES_Q2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SK53B R5G SK53B R5G Taiwan Semiconductor Corporation SK52B%20SERIES_P2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SK53CHR7G SK53CHR7G Taiwan Semiconductor Corporation SK52C%20SERIES_Q2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SK53C V7G SK53C V7G Taiwan Semiconductor Corporation SK52C%20SERIES_Q2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 5A 30V DO-214AB
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MBS6 RCG MBS6 RCG Taiwan Semiconductor Corporation MBS2%20SERIES_P2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 800MA MBS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBS6 RCG MBS6 RCG Taiwan Semiconductor Corporation MBS2%20SERIES_P2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 800MA MBS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBS6HRCG MBS6HRCG Taiwan Semiconductor Corporation MBS2%20SERIES_P2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 500MA MBS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SF15G B0G SF15G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF11G%20SERIES_H2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SK29A M2G SK29A M2G Taiwan Semiconductor Corporation SK22A%20SERIES_Q2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 2A DO214AC
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BZD27C18PWH BZD27C18PWH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11PWH SERIES_B2203.pdf Description: DIODE ZENER 18V 1W SOD123W
Tolerance: ±6.4%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 13 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZD27C18PWH BZD27C18PWH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11PWH SERIES_B2203.pdf Description: DIODE ZENER 18V 1W SOD123W
Tolerance: ±6.4%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 13 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 41283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.58 EUR
43+0.41 EUR
100+0.21 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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1SMA5934 R3G 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf
1SMA5934 R3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 24V 1.5W DO214AC
auf Bestellung 3600 Stücke:
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1SMA5934 R3G 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf
1SMA5934 R3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 24V 1.5W DO214AC
auf Bestellung 5210 Stücke:
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1SMA5928 R3G 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf
1SMA5928 R3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 13V 1.5W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.5 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
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BZD17C36P RQG BZD17C%20SERIES_K15.pdf
BZD17C36P RQG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 36V 800MW SUB SMA
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BZD17C47P RQG BZD17C%20SERIES_K15.pdf
BZD17C47P RQG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 800MW SUB SMA
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BZD17C36P R3G BZD17C%20SERIES_K15.pdf
BZD17C36P R3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 36V 800MW SUB SMA
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BZD17C47P R3G BZD17C%20SERIES_L2103.pdf
BZD17C47P R3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 800MW SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.38%
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 36 V
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SMCJ48CA V6G SMCJ SERIES_R2004.pdf
SMCJ48CA V6G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48V 77.4V DO214AB
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SMCJ48CA R7G SMCJ SERIES_R2004.pdf
SMCJ48CA R7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
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SMCJ48CA R7G SMCJ SERIES_R2004.pdf
SMCJ48CA R7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
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SMCJ48CAHR7G SMCJ SERIES_R2004.pdf
SMCJ48CAHR7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48V 77.4V DO214AB
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SA15A R0G SA%20SERIES_K1602.pdf
SA15A R0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 15V 24.4V DO204AC
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P4KE12A R1G P4KE%20SERIES_N2104.pdf
P4KE12A R1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10.2V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.7V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
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MTZJ8V2SC R0G MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf
MTZJ8V2SC R0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 8.24V 500MW DO34
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1PGSMA180Z M2G 1PGSMA%20SERIES_A1707.pdf
1PGSMA180Z M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 180V 1.25W DO214AC
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TSPB5H100S S1G TSPB5H100S%20SERIES_B15.pdf
TSPB5H100S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A SMPC4.0
auf Bestellung 6000 Stücke:
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HS3D-K M6G
HS3D-K M6G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 53pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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HS3D V7G HS3A%20SERIES_K2102.pdf
HS3D V7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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PGSMAJ100A F3G PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf
PGSMAJ100A F3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE TVS 400W SMA
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SMA6J26AHR3G SMA6J%20SERIES_E2102.pdf
SMA6J26AHR3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 26VWM 40.9VC DO214AC
auf Bestellung 3600 Stücke:
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SMA6J26AHR3G SMA6J%20SERIES_E2102.pdf
SMA6J26AHR3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 26VWM 40.9VC DO214AC
auf Bestellung 4785 Stücke:
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S3KB R5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3KB R5G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
auf Bestellung 850 Stücke:
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Anzahl Preis
850+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 850
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S3KB R5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3KB R5G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
auf Bestellung 1520 Stücke:
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Anzahl Preis
17+1.06 EUR
19+0.93 EUR
100+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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SMCJ64A R7G SMCJ SERIES_R2004.pdf
SMCJ64A R7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 64VWM 103VC DO214AB
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SMBJ110CAHM4G SMBJ SERIES_Q2004.pdf
SMBJ110CAHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 110V 177V DO214AA
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SMBJ110CA M4G SMBJ SERIES_Q2004.pdf
SMBJ110CA M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 110V 177V DO214AA
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MTZJ6V8SA R0G MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf
MTZJ6V8SA R0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 6.46V 500MW DO34
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MTZJ6V8SB R0G MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf
MTZJ6V8SB R0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 6.66V 500MW DO34
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MTZJ6V8SC R0G MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf
MTZJ6V8SC R0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 6.84V 500MW DO34
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BZT52B6V8S RRG BZT52B2V4S%20series_G1804.pdf
BZT52B6V8S RRG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 6.8V 200MW SOD323F
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TSSA5U60 E3G TSSA5U50%20SERIES_D1512.pdf
TSSA5U60 E3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AC
auf Bestellung 1800 Stücke:
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SF2006PT C0G SF2001PT%20SERIES_H1601.pdf
SF2006PT C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 20A TO247AD
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SRF1040 C0G SRF1020%20SERIES_K1706.pdf
SRF1040 C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 40V ITO220AB
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SRF1040HC0G SRF1020%20SERIES_L2105.pdf
SRF1040HC0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOT 40V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
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MBRS10150CT MNG MBRS1035CT%20SERIES_M2103.pdf
MBRS10150CT MNG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
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HS5K R7G HS5A%20SERIES_K2102.pdf
HS5K R7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB
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HS5K R7G HS5A%20SERIES_K2102.pdf
HS5K R7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB
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LSR102 L0G LSR102 SERIES_H2004.pdf
LSR102 L0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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ES1CL R3G ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1CL R3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
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ES1AL R3G ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1AL R3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
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FR207G A0G FR201G SERIES_H2105.pdf
FR207G A0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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FR207G B0G FR201G%20SERIES_H2105.pdf
FR207G B0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO204AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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P4KE12A R0G P4KE%20SERIES_M1602.pdf
P4KE12A R0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO204AL
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P4KE12AHR0G P4KE%20SERIES_M1602.pdf
P4KE12AHR0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO204AL
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SK53B M4G SK52B%20SERIES_P2102.pdf
SK53B M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AA
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SK53BHM4G SK52B%20SERIES_P2102.pdf
SK53BHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AA
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SK53C V6G SK52C%20SERIES_Q2102.pdf
SK53C V6G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 5A 30V DO-214AB
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SK53C R7G SK52C%20SERIES_Q2102.pdf
SK53C R7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AB
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SK53C M6G SK52C%20SERIES_Q2102.pdf
SK53C M6G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AB
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SK53CHM6G SK52C%20SERIES_Q2102.pdf
SK53CHM6G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AB
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SK53B R5G SK52B%20SERIES_P2102.pdf
SK53B R5G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AA
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SK53CHR7G SK52C%20SERIES_Q2102.pdf
SK53CHR7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SK53C V7G SK52C%20SERIES_Q2102.pdf
SK53C V7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 5A 30V DO-214AB
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MBS6 RCG MBS2%20SERIES_P2103.pdf
MBS6 RCG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 800MA MBS
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MBS6 RCG MBS2%20SERIES_P2103.pdf
MBS6 RCG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 800MA MBS
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MBS6HRCG MBS2%20SERIES_P2103.pdf
MBS6HRCG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 500MA MBS
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SF15G B0G SF11G%20SERIES_H2104.pdf
SF15G B0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
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SK29A M2G SK22A%20SERIES_Q2102.pdf
SK29A M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 2A DO214AC
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BZD27C18PWH BZD27C11PWH SERIES_B2203.pdf
BZD27C18PWH
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 18V 1W SOD123W
Tolerance: ±6.4%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 13 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
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BZD27C18PWH BZD27C11PWH SERIES_B2203.pdf
BZD27C18PWH
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 18V 1W SOD123W
Tolerance: ±6.4%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 13 V
Qualification: AEC-Q101
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