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YBS2204G RAG YBS2204G RAG Taiwan Semiconductor Corporation YBS2204G%20SERIES_B1703.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2.2A YBS
auf Bestellung 1934 Stücke:
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YBS2206G RAG YBS2206G RAG Taiwan Semiconductor Corporation YBS2204G%20SERIES_B1703.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.2A YBS
auf Bestellung 2884 Stücke:
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YBS2207G RAG YBS2207G RAG Taiwan Semiconductor Corporation YBS2204G%20SERIES_B1703.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2.2A YBS
auf Bestellung 1918 Stücke:
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ZM4728A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4728A%20SERIES_D1804.pdf Description: DIODE ZENER 3.3V 1W MELF
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ZM4730A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4728A%20SERIES_D1804.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 1W MELF
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ZM4731A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4728A%20SERIES_D1804.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 1W MELF
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ZM4736A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4728A%20SERIES_D1804.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 1W MELF
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ZM4737A L0G ZM4737A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4728A%20SERIES_D1804.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 1W MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms
Supplier Device Package: MELF
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 5 V
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ZM4738A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4728A%20SERIES_D1804.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 1W MELF
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ZM4740A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4728A%20SERIES_D1804.pdf Description: DIODE ZENER 10V 1W MELF
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ZM4741A L0G ZM4741A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4728A%20SERIES_D1804.pdf Description: DIODE ZENER 11V 1W MELF
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YBS2205G RAG YBS2205G RAG Taiwan Semiconductor Corporation YBS2204G%20SERIES_B1703.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.2A YBS
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SR4050PT C0G SR4050PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR4020PT%20SERIES_G13.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO247AD
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SR4050PTHC0G SR4050PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR4020PT%20SERIES_G13.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO247AD
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SMDJ45A M6G SMDJ45A M6G Taiwan Semiconductor Corporation SMDJ%20SERIES_E1708.pdf Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AB
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SMDJ45AHM6G SMDJ45AHM6G Taiwan Semiconductor Corporation SMDJ%20SERIES_E1708.pdf Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AB
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SMDJ45A R7G SMDJ45A R7G Taiwan Semiconductor Corporation SMDJ%20SERIES_E1708.pdf Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AB
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SMDJ45AHR7G SMDJ45AHR7G Taiwan Semiconductor Corporation SMDJ%20SERIES_E1708.pdf Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AB
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MBRS6040CT MNG MBRS6040CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS6040CT_G2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 60A TO263AB
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MBRS6040CT MNG MBRS6040CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS6040CT_G2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 60A TO263AB
auf Bestellung 603 Stücke:
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TS10P06G D2G TS10P06G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P01G%20SERIES_J15.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A TS-6P
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TS10P06G C2G TS10P06G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P01G%20SERIES_J15.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A TS-6P
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TS10P06GHC2G TS10P06GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P01G%20SERIES_J15.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A TS-6P
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TS10P06GHD2G TS10P06GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P01G%20SERIES_J15.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A TS-6P
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1.5SMC30CA V7G 1.5SMC30CA V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1.5SMC%20SERIES_R2102.pdf Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC DO214AB
auf Bestellung 850 Stücke:
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1.5SMC30CA V7G 1.5SMC30CA V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1.5SMC%20SERIES_R2102.pdf Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC DO214AB
auf Bestellung 1670 Stücke:
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SMCJ70A V7G SMCJ70A V7G Taiwan Semiconductor Corporation SMCJ100A Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AB
auf Bestellung 1640 Stücke:
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P6SMB160AHM4G P6SMB160AHM4G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_P2102.pdf Description: TVS DIODE 136VWM 219VC DO214AA
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TSM4ND60CI C0G TSM4ND60CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4ND60CI_A1804.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A ITO220
auf Bestellung 464 Stücke:
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P4SMA6.8A M2G P4SMA6.8A M2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_S2102.pdf Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO214AC
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P4SMA6.8AHM2G P4SMA6.8AHM2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_S2102.pdf Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO214AC
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P4SMA6.8A R3G P4SMA6.8A R3G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_S2102.pdf Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO214AC
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P4SMA6.8AHR3G P4SMA6.8AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_S2102.pdf Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO214AC
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TSH253CX RFG TSH253CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSH253_C13.pdf Description: MAGNETIC SWITCH SOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
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TSH253CX RFG TSH253CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSH253_C13.pdf Description: MAGNETIC SWITCH SOT23
auf Bestellung 105 Stücke:
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TSH253CT B0G TSH253CT B0G Taiwan Semiconductor Corporation TSH253_C13.pdf Description: MAGNETIC SWITCH TO92S
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TSS42U RGG TSS42U RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSS42U%20SERIES_D1601.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
auf Bestellung 96000 Stücke:
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4000+0.15 EUR
8000+ 0.14 EUR
12000+ 0.12 EUR
28000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
TSS42U RGG TSS42U RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSS42U%20SERIES_D1601.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
auf Bestellung 98365 Stücke:
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22+0.81 EUR
30+ 0.6 EUR
100+ 0.34 EUR
500+ 0.23 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 22
SF35G A0G SF35G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF31G%20SERIES_G14.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
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SF35GHA0G SF35GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF31G%20SERIES_G14.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
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SF35G B0G SF35G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF31G%20SERIES_G14.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
Produkt ist nicht verfügbar
SF35GHB0G SF35GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF31G%20SERIES_G14.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
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S1AL R3G S1AL R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_Q2108.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
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P6SMB180CA M4G P6SMB180CA M4G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_P2102.pdf Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
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P6SMB180CAHM4G P6SMB180CAHM4G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_P2102.pdf Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
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P6SMB180CAHR5G P6SMB180CAHR5G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_P2102.pdf Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
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TSC873CT A3G Taiwan Semiconductor Corporation TSC873_D15.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 250mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
TSC873CT B0G Taiwan Semiconductor Corporation TSC873_D15.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 250mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
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TS6P05G D2G TS6P05G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P01G%20SERIES_L2104.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
auf Bestellung 1104 Stücke:
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TS6P05G C2G TS6P05G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P01G%20SERIES_M2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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TS6P05GHC2G TS6P05GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P01G%20SERIES_M2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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TS6P05GHD2G TS6P05GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P01G%20SERIES_L2104.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
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TQM300NB06CR RLG TQM300NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
TQM300NB06CR RLG TQM300NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.48 EUR
15+ 1.21 EUR
100+ 0.94 EUR
500+ 0.8 EUR
1000+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 12
MBRF16100 C0G MBRF16100 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1635%20SERIES_J1512.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 16A ITO220AC
Produkt ist nicht verfügbar
MBRF16100HC0G MBRF16100HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1635%20SERIES_J1512.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 16A ITO220AC
Produkt ist nicht verfügbar
MBRF1635 C0G MBRF1635 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1635%20SERIES_J1512.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A ITO220AC
Produkt ist nicht verfügbar
MBRF1635HC0G MBRF1635HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1635%20SERIES_K2105.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 35 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
MBRF1645 C0G MBRF1645 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1635%20SERIES_K2105.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
Produkt ist nicht verfügbar
MBRF1690 C0G MBRF1690 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1635%20SERIES_J1512.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 16A ITO220AC
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YBS2204G RAG YBS2204G%20SERIES_B1703.pdf
YBS2204G RAG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2.2A YBS
auf Bestellung 1934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
YBS2206G RAG YBS2204G%20SERIES_B1703.pdf
YBS2206G RAG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.2A YBS
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
YBS2207G RAG YBS2204G%20SERIES_B1703.pdf
YBS2207G RAG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2.2A YBS
auf Bestellung 1918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
ZM4728A L0G ZM4728A%20SERIES_D1804.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.3V 1W MELF
Produkt ist nicht verfügbar
ZM4730A L0G ZM4728A%20SERIES_D1804.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.9V 1W MELF
Produkt ist nicht verfügbar
ZM4731A L0G ZM4728A%20SERIES_D1804.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 4.3V 1W MELF
Produkt ist nicht verfügbar
ZM4736A L0G ZM4728A%20SERIES_D1804.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 6.8V 1W MELF
Produkt ist nicht verfügbar
ZM4737A L0G ZM4728A%20SERIES_D1804.pdf
ZM4737A L0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 7.5V 1W MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms
Supplier Device Package: MELF
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
ZM4738A L0G ZM4728A%20SERIES_D1804.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 8.2V 1W MELF
Produkt ist nicht verfügbar
ZM4740A L0G ZM4728A%20SERIES_D1804.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 10V 1W MELF
Produkt ist nicht verfügbar
ZM4741A L0G ZM4728A%20SERIES_D1804.pdf
ZM4741A L0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 11V 1W MELF
Produkt ist nicht verfügbar
YBS2205G RAG YBS2204G%20SERIES_B1703.pdf
YBS2205G RAG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.2A YBS
Produkt ist nicht verfügbar
SR4050PT C0G SR4020PT%20SERIES_G13.pdf
SR4050PT C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
SR4050PTHC0G SR4020PT%20SERIES_G13.pdf
SR4050PTHC0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
SMDJ45A M6G SMDJ%20SERIES_E1708.pdf
SMDJ45A M6G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
SMDJ45AHM6G SMDJ%20SERIES_E1708.pdf
SMDJ45AHM6G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
SMDJ45A R7G SMDJ%20SERIES_E1708.pdf
SMDJ45A R7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
SMDJ45AHR7G SMDJ%20SERIES_E1708.pdf
SMDJ45AHR7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
MBRS6040CT MNG MBRS6040CT_G2103.pdf
MBRS6040CT MNG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 60A TO263AB
Produkt ist nicht verfügbar
MBRS6040CT MNG MBRS6040CT_G2103.pdf
MBRS6040CT MNG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 60A TO263AB
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
TS10P06G D2G TS10P01G%20SERIES_J15.pdf
TS10P06G D2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A TS-6P
Produkt ist nicht verfügbar
TS10P06G C2G TS10P01G%20SERIES_J15.pdf
TS10P06G C2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A TS-6P
Produkt ist nicht verfügbar
TS10P06GHC2G TS10P01G%20SERIES_J15.pdf
TS10P06GHC2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A TS-6P
Produkt ist nicht verfügbar
TS10P06GHD2G TS10P01G%20SERIES_J15.pdf
TS10P06GHD2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A TS-6P
Produkt ist nicht verfügbar
1.5SMC30CA V7G 1.5SMC%20SERIES_R2102.pdf
1.5SMC30CA V7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC DO214AB
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1.5SMC30CA V7G 1.5SMC%20SERIES_R2102.pdf
1.5SMC30CA V7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC DO214AB
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SMCJ70A V7G SMCJ100A
SMCJ70A V7G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AB
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P6SMB160AHM4G P6SMB%20SERIES_P2102.pdf
P6SMB160AHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 136VWM 219VC DO214AA
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TSM4ND60CI C0G TSM4ND60CI_A1804.pdf
TSM4ND60CI C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 4A ITO220
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P4SMA6.8A M2G P4SMA%20SERIES_S2102.pdf
P4SMA6.8A M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO214AC
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P4SMA6.8AHM2G P4SMA%20SERIES_S2102.pdf
P4SMA6.8AHM2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO214AC
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P4SMA6.8A R3G P4SMA%20SERIES_S2102.pdf
P4SMA6.8A R3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO214AC
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P4SMA6.8AHR3G P4SMA%20SERIES_S2102.pdf
P4SMA6.8AHR3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO214AC
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TSH253CX RFG TSH253_C13.pdf
TSH253CX RFG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MAGNETIC SWITCH SOT23
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TSH253CX RFG TSH253_C13.pdf
TSH253CX RFG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MAGNETIC SWITCH SOT23
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TSH253CT B0G TSH253_C13.pdf
TSH253CT B0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MAGNETIC SWITCH TO92S
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TSS42U RGG TSS42U%20SERIES_D1601.pdf
TSS42U RGG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
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TSS42U RGG TSS42U%20SERIES_D1601.pdf
TSS42U RGG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
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SF35G A0G SF31G%20SERIES_G14.pdf
SF35G A0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
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SF35GHA0G SF31G%20SERIES_G14.pdf
SF35GHA0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
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SF35G B0G SF31G%20SERIES_G14.pdf
SF35G B0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
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SF35GHB0G SF31G%20SERIES_G14.pdf
SF35GHB0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
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S1AL R3G S1AL%20SERIES_Q2108.pdf
S1AL R3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
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P6SMB180CA M4G P6SMB%20SERIES_P2102.pdf
P6SMB180CA M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
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P6SMB180CAHM4G P6SMB%20SERIES_P2102.pdf
P6SMB180CAHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
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P6SMB180CAHR5G P6SMB%20SERIES_P2102.pdf
P6SMB180CAHR5G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
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TSC873CT A3G TSC873_D15.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS NPN 400V 1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 250mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
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TSC873CT B0G TSC873_D15.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS NPN 400V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 250mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
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TS6P05G D2G TS6P01G%20SERIES_L2104.pdf
TS6P05G D2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
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TS6P05G C2G TS6P01G%20SERIES_M2203.pdf
TS6P05G C2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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TS6P05GHC2G TS6P01G%20SERIES_M2203.pdf
TS6P05GHC2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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TS6P05GHD2G TS6P01G%20SERIES_L2104.pdf
TS6P05GHD2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
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TQM300NB06CR RLG
TQM300NB06CR RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
TQM300NB06CR RLG
TQM300NB06CR RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4999 Stücke:
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12+1.48 EUR
15+ 1.21 EUR
100+ 0.94 EUR
500+ 0.8 EUR
1000+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 12
MBRF16100 C0G MBRF1635%20SERIES_J1512.pdf
MBRF16100 C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 16A ITO220AC
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MBRF16100HC0G MBRF1635%20SERIES_J1512.pdf
MBRF16100HC0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 16A ITO220AC
Produkt ist nicht verfügbar
MBRF1635 C0G MBRF1635%20SERIES_J1512.pdf
MBRF1635 C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A ITO220AC
Produkt ist nicht verfügbar
MBRF1635HC0G MBRF1635%20SERIES_K2105.pdf
MBRF1635HC0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 35 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
MBRF1645 C0G MBRF1635%20SERIES_K2105.pdf
MBRF1645 C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
Produkt ist nicht verfügbar
MBRF1690 C0G MBRF1635%20SERIES_J1512.pdf
MBRF1690 C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 16A ITO220AC
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