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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WMS140DNV6LG4 WAYON WMS140DNV6LG4-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
116+0.62 EUR
329+0.22 EUR
348+0.21 EUR
8000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS140NV6LG4 WMS140NV6LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 11.5A; Idm: 46A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 11.5A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 46A
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+0.7 EUR
254+0.28 EUR
305+0.23 EUR
407+0.18 EUR
432+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS140NV6LG4 WMS140NV6LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 11.5A; Idm: 46A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 11.5A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 46A
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
254+0.28 EUR
305+0.23 EUR
407+0.18 EUR
432+0.17 EUR
4000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS14DN03T1 WMS14DN03T1 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 14A; Idm: 56A; 3W; SOP8
Polarisation: unipolar
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 56A
Drain current: 14A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+0.74 EUR
198+0.36 EUR
237+0.3 EUR
321+0.22 EUR
341+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS14DN03T1 WMS14DN03T1 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 14A; Idm: 56A; 3W; SOP8
Polarisation: unipolar
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 56A
Drain current: 14A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
97+0.74 EUR
198+0.36 EUR
237+0.3 EUR
321+0.22 EUR
341+0.21 EUR
8000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS14P03T1 WAYON WMS14P03T1-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
332+0.22 EUR
352+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS15N03T1 WMS15N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 60A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.57 EUR
220+0.33 EUR
268+0.27 EUR
341+0.21 EUR
360+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS15N03T1 WMS15N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 60A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
220+0.33 EUR
268+0.27 EUR
341+0.21 EUR
360+0.2 EUR
4000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS15P02T1 WMS15P02T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -60A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+0.6 EUR
271+0.26 EUR
325+0.22 EUR
345+0.21 EUR
432+0.17 EUR
459+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS15P02T1 WMS15P02T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -60A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
271+0.26 EUR
325+0.22 EUR
345+0.21 EUR
432+0.17 EUR
459+0.16 EUR
4000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS175DN10LG4 WAYON WMS175DN10LG4-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
90+0.8 EUR
111+0.64 EUR
8000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS175N10HG4 WMS175N10HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 36A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+0.63 EUR
199+0.36 EUR
242+0.3 EUR
311+0.23 EUR
329+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS175N10HG4 WMS175N10HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 36A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
199+0.36 EUR
242+0.3 EUR
311+0.23 EUR
329+0.22 EUR
4000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS175N10LG4 WMS175N10LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; Idm: 38A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+0.6 EUR
198+0.36 EUR
220+0.33 EUR
281+0.25 EUR
298+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS175N10LG4 WMS175N10LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; Idm: 38A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
198+0.36 EUR
220+0.33 EUR
281+0.25 EUR
298+0.24 EUR
4000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS17P03TS WAYON WMS17P03TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.88 EUR
203+0.35 EUR
215+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS240N10LG2 WMS240N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.53 EUR
235+0.3 EUR
286+0.25 EUR
323+0.22 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS240N10LG2 WMS240N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
235+0.3 EUR
286+0.25 EUR
323+0.22 EUR
500+0.21 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS690N15HG2 WAYON WMS690N15HG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
93+0.77 EUR
106+0.67 EUR
8000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT04N10TS WMT04N10TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+0.49 EUR
348+0.21 EUR
430+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT04N10TS WMT04N10TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
348+0.21 EUR
430+0.17 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT04N15TS WMT04N15TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; Idm: 16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+0.56 EUR
217+0.33 EUR
241+0.3 EUR
272+0.26 EUR
304+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT04N15TS WMT04N15TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; Idm: 16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
217+0.33 EUR
241+0.3 EUR
272+0.26 EUR
304+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT04P06TS WAYON WMT04P06TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
355+0.2 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT04P10TS WAYON WMT04P10TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
119+0.6 EUR
237+0.3 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT05N10T1 WMT05N10T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 4.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 4.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+0.79 EUR
220+0.33 EUR
291+0.25 EUR
374+0.19 EUR
397+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT05N10T1 WMT05N10T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 4.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 4.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
220+0.33 EUR
291+0.25 EUR
374+0.19 EUR
397+0.18 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT05N12TS WMT05N12TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 4.6A; Idm: 18.4A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 18.4A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+0.61 EUR
222+0.32 EUR
246+0.29 EUR
315+0.23 EUR
334+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT05N12TS WMT05N12TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 4.6A; Idm: 18.4A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 18.4A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
222+0.32 EUR
246+0.29 EUR
315+0.23 EUR
334+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT07N03T1 WAYON WMT07N03T1-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
108+0.67 EUR
435+0.16 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT07N06TS WMT07N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 28A; 2.7W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2.7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+0.64 EUR
266+0.27 EUR
350+0.2 EUR
397+0.18 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT07N06TS WMT07N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 28A; 2.7W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2.7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
266+0.27 EUR
350+0.2 EUR
397+0.18 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT07N10TS WAYON WMT07N10TS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
388+0.18 EUR
414+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT4N65D1B WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMU080N10HG2 WMU080N10HG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.07 EUR
78+0.92 EUR
88+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMU080N10HG2 WMU080N10HG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
78+0.92 EUR
88+0.82 EUR
250+0.73 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMX3N150D1 WMX3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 5.7Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 90W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.64 EUR
49+1.49 EUR
54+1.34 EUR
120+1.19 EUR
300+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMX3N150D1 WMX3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 5.7Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 90W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.64 EUR
49+1.49 EUR
54+1.34 EUR
120+1.19 EUR
300+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMX4N150D1 WMX4N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.66 EUR
48+1.5 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
120+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMX4N150D1 WMX4N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.66 EUR
48+1.5 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
120+1.19 EUR
300+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMZ26N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.205Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMZ26N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMZ36N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMZ53N60F2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 280W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 280W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WS05-4RUL WAYON Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WS05-4RUL WAYON Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC004065NPD WAYON Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 4A; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.38V
Leakage current: 0.8µA
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC004065NPF WSRSIC004065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220FP-2
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.38V
Leakage current: 0.8µA
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tube
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.56 EUR
51+1.42 EUR
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC004065NPF WSRSIC004065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220FP-2
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.38V
Leakage current: 0.8µA
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
51+1.42 EUR
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC004065NPO WAYON Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 4A; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.38V
Leakage current: 0.8µA
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC005120NNI WSRSIC005120NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 43A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC005120NNI WSRSIC005120NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 43A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC005120NPO WAYON Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.38V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 43A
Kind of package: tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC006065NNI WAYON WSRSIC006065NNI THT Schottky diodes
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.5 EUR
40+1.79 EUR
2000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC006065NPC WAYON WSRSIC006065NPC THT Schottky diodes
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.57 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
900+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC008065NNI WSRSIC008065NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.2 EUR
36+1.99 EUR
50+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC008065NNI WSRSIC008065NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.2 EUR
36+1.99 EUR
50+1.76 EUR
250+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC008065NPC WSRSIC008065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC008065NPC WSRSIC008065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.23 EUR
50+1.43 EUR
100+1 EUR
300+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC008065NPD WAYON Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 8A; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.38V
Leakage current: 1.2µA
Max. forward impulse current: 45A
Kind of package: tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS140DNV6LG4
Hersteller: WAYON
WMS140DNV6LG4-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
116+0.62 EUR
329+0.22 EUR
348+0.21 EUR
8000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS140NV6LG4
WMS140NV6LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 11.5A; Idm: 46A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 11.5A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 46A
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
254+0.28 EUR
305+0.23 EUR
407+0.18 EUR
432+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS140NV6LG4
WMS140NV6LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 11.5A; Idm: 46A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 11.5A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 46A
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
254+0.28 EUR
305+0.23 EUR
407+0.18 EUR
432+0.17 EUR
4000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS14DN03T1
WMS14DN03T1
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 14A; Idm: 56A; 3W; SOP8
Polarisation: unipolar
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 56A
Drain current: 14A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
198+0.36 EUR
237+0.3 EUR
321+0.22 EUR
341+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS14DN03T1
WMS14DN03T1
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 14A; Idm: 56A; 3W; SOP8
Polarisation: unipolar
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 56A
Drain current: 14A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
198+0.36 EUR
237+0.3 EUR
321+0.22 EUR
341+0.21 EUR
8000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS14P03T1
Hersteller: WAYON
WMS14P03T1-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
332+0.22 EUR
352+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS15N03T1
WMS15N03T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 60A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
220+0.33 EUR
268+0.27 EUR
341+0.21 EUR
360+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS15N03T1
WMS15N03T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 60A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
220+0.33 EUR
268+0.27 EUR
341+0.21 EUR
360+0.2 EUR
4000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS15P02T1
WMS15P02T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -60A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
271+0.26 EUR
325+0.22 EUR
345+0.21 EUR
432+0.17 EUR
459+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS15P02T1
WMS15P02T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -60A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
271+0.26 EUR
325+0.22 EUR
345+0.21 EUR
432+0.17 EUR
459+0.16 EUR
4000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS175DN10LG4
Hersteller: WAYON
WMS175DN10LG4-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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75+0.96 EUR
90+0.8 EUR
111+0.64 EUR
8000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS175N10HG4
WMS175N10HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 36A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
199+0.36 EUR
242+0.3 EUR
311+0.23 EUR
329+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS175N10HG4
WMS175N10HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 36A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 471 Stücke:
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Anzahl Preis
114+0.63 EUR
199+0.36 EUR
242+0.3 EUR
311+0.23 EUR
329+0.22 EUR
4000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS175N10LG4
WMS175N10LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; Idm: 38A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
198+0.36 EUR
220+0.33 EUR
281+0.25 EUR
298+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS175N10LG4
WMS175N10LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; Idm: 38A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
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Anzahl Preis
120+0.6 EUR
198+0.36 EUR
220+0.33 EUR
281+0.25 EUR
298+0.24 EUR
4000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS17P03TS
Hersteller: WAYON
WMS17P03TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 486 Stücke:
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Anzahl Preis
82+0.88 EUR
203+0.35 EUR
215+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS240N10LG2
WMS240N10LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
235+0.3 EUR
286+0.25 EUR
323+0.22 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS240N10LG2
WMS240N10LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
235+0.3 EUR
286+0.25 EUR
323+0.22 EUR
500+0.21 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS690N15HG2
Hersteller: WAYON
WMS690N15HG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
93+0.77 EUR
106+0.67 EUR
8000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT04N10TS
WMT04N10TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
348+0.21 EUR
430+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT04N10TS
WMT04N10TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
348+0.21 EUR
430+0.17 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT04N15TS
WMT04N15TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; Idm: 16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
217+0.33 EUR
241+0.3 EUR
272+0.26 EUR
304+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT04N15TS
WMT04N15TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; Idm: 16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
217+0.33 EUR
241+0.3 EUR
272+0.26 EUR
304+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT04P06TS
Hersteller: WAYON
WMT04P06TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
355+0.2 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT04P10TS
Hersteller: WAYON
WMT04P10TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
119+0.6 EUR
237+0.3 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT05N10T1
WMT05N10T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 4.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 4.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
220+0.33 EUR
291+0.25 EUR
374+0.19 EUR
397+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT05N10T1
WMT05N10T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 4.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 4.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
220+0.33 EUR
291+0.25 EUR
374+0.19 EUR
397+0.18 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT05N12TS
WMT05N12TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 4.6A; Idm: 18.4A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 18.4A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
222+0.32 EUR
246+0.29 EUR
315+0.23 EUR
334+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT05N12TS
WMT05N12TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 4.6A; Idm: 18.4A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 18.4A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
222+0.32 EUR
246+0.29 EUR
315+0.23 EUR
334+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT07N03T1
Hersteller: WAYON
WMT07N03T1-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
108+0.67 EUR
435+0.16 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT07N06TS
WMT07N06TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 28A; 2.7W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2.7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
266+0.27 EUR
350+0.2 EUR
397+0.18 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT07N06TS
WMT07N06TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 28A; 2.7W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2.7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
266+0.27 EUR
350+0.2 EUR
397+0.18 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT07N10TS
Hersteller: WAYON
WMT07N10TS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
388+0.18 EUR
414+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMT4N65D1B
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMU080N10HG2
WMU080N10HG2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
78+0.92 EUR
88+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMU080N10HG2
WMU080N10HG2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
78+0.92 EUR
88+0.82 EUR
250+0.73 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMX3N150D1
WMX3N150D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 5.7Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 90W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.64 EUR
49+1.49 EUR
54+1.34 EUR
120+1.19 EUR
300+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMX3N150D1
WMX3N150D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 5.7Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 90W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.64 EUR
49+1.49 EUR
54+1.34 EUR
120+1.19 EUR
300+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMX4N150D1
WMX4N150D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
48+1.5 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
120+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMX4N150D1
WMX4N150D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
48+1.5 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
120+1.19 EUR
300+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMZ26N60C4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.205Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMZ26N65C4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMZ36N65C4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMZ53N60F2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 280W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 280W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WS05-4RUL
Hersteller: WAYON
Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WS05-4RUL
Hersteller: WAYON
Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC004065NPD
Hersteller: WAYON
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 4A; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.38V
Leakage current: 0.8µA
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC004065NPF
WSRSIC004065NPF
Hersteller: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220FP-2
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.38V
Leakage current: 0.8µA
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tube
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
51+1.42 EUR
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC004065NPF
WSRSIC004065NPF
Hersteller: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220FP-2
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.38V
Leakage current: 0.8µA
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
51+1.42 EUR
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC004065NPO
Hersteller: WAYON
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 4A; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.38V
Leakage current: 0.8µA
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC005120NNI
WSRSIC005120NNI
Hersteller: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 43A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC005120NNI
WSRSIC005120NNI
Hersteller: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 43A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC005120NPO
Hersteller: WAYON
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.38V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 43A
Kind of package: tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC006065NNI
Hersteller: WAYON
WSRSIC006065NNI THT Schottky diodes
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.5 EUR
40+1.79 EUR
2000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC006065NPC
Hersteller: WAYON
WSRSIC006065NPC THT Schottky diodes
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
900+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC008065NNI
WSRSIC008065NNI
Hersteller: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.2 EUR
36+1.99 EUR
50+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC008065NNI
WSRSIC008065NNI
Hersteller: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.2 EUR
36+1.99 EUR
50+1.76 EUR
250+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC008065NPC
WSRSIC008065NPC
Hersteller: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC008065NPC
WSRSIC008065NPC
Hersteller: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.23 EUR
50+1.43 EUR
100+1 EUR
300+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WSRSIC008065NPD
Hersteller: WAYON
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 8A; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.38V
Leakage current: 1.2µA
Max. forward impulse current: 45A
Kind of package: tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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