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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WM04N50M WM04N50M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 19A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
400+0.18 EUR
940+0.076 EUR
1341+0.053 EUR
1484+0.048 EUR
3000+0.038 EUR
6000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM04P50M WAYON WM04P50M-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
170+0.42 EUR
1806+0.04 EUR
1909+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 170
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM04P56M2 WAYON WM04P56M2-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
168+0.43 EUR
1185+0.06 EUR
1254+0.057 EUR
12000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 168
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05DP01D WAYON WM05DP01D-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
170+0.42 EUR
1806+0.04 EUR
1909+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 170
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05N02G WAYON WM05N02G-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
153+0.47 EUR
2500+0.029 EUR
12000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 153
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05N02M WM05N02M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 1A
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.47 EUR
363+0.2 EUR
1087+0.066 EUR
2605+0.027 EUR
2874+0.025 EUR
3000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05N02M WM05N02M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
363+0.2 EUR
1087+0.066 EUR
2605+0.027 EUR
2874+0.025 EUR
3000+0.024 EUR
6000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05N03G WAYON WM05N03G-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
170+0.42 EUR
2526+0.028 EUR
2674+0.027 EUR
12000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 170
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05N03M WAYON WM05N03M-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.48 EUR
2165+0.033 EUR
12000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05P01G WAYON WM05P01G-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
662+0.11 EUR
1819+0.039 EUR
12000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05P01M WAYON WM05P01M-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.52 EUR
2400+0.03 EUR
12000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05P02F WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D2C8788DC380D6&compId=WM05P02F.pdf?ci_sign=60c78e4b0a9892442f77515ab227735249e56cd5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -250mA; Idm: -1A; 350mW; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -250mA
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05P02G WAYON WM05P02G-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
153+0.47 EUR
2703+0.026 EUR
2858+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 153
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05P20M WAYON WM05P20M-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
170+0.42 EUR
1806+0.04 EUR
1909+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 170
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM06DN03DE WAYON WM06DN03DE-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 2754 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
133+0.54 EUR
1880+0.038 EUR
1985+0.036 EUR
12000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 133
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM06N03FB WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D2160A507500D6&compId=WM06N03FB.pdf?ci_sign=1e2ce95c7137a5d10ababb86e851dc9d684e0252 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 360mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.36W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM06N03GE WAYON WM06N03GE-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
138+0.52 EUR
2924+0.024 EUR
12000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 138
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM06N03HE WM06N03HE WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D2286F76CF20D6&compId=WM06N03He.pdf?ci_sign=b04ecca13856d373a01ed860701c4243dce470e3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM06N03LE WAYON WM06N03LE-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
153+0.47 EUR
2703+0.026 EUR
2858+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 153
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM06N03ME WAYON WM06N03ME-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.48 EUR
2397+0.03 EUR
2732+0.026 EUR
12000+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM06N30M WAYON WM06N30M-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
134+0.53 EUR
962+0.074 EUR
1229+0.059 EUR
12000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM06N30MS WAYON WM06N30MS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
163+0.44 EUR
1725+0.041 EUR
1819+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 163
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM06P17MR WAYON WM06P17MR-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
170+0.42 EUR
426+0.17 EUR
1172+0.061 EUR
12000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 170
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM10N02G WAYON WM10N02G-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2944 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
163+0.44 EUR
2488+0.029 EUR
2646+0.027 EUR
12000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 163
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM10N02M WAYON WM10N02M-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
134+0.54 EUR
3000+0.024 EUR
12000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM10N20M WM10N20M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.43 EUR
477+0.15 EUR
1127+0.063 EUR
1608+0.044 EUR
1780+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM10N20M WM10N20M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2327 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
477+0.15 EUR
1127+0.063 EUR
1608+0.044 EUR
1780+0.04 EUR
3000+0.032 EUR
6000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM10N33M WAYON WM10N33M-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2863 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
156+0.46 EUR
1645+0.043 EUR
1743+0.041 EUR
12000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 156
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM10N35M2 WAYON WM10N35M2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2861 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
802+0.089 EUR
848+0.084 EUR
12000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM10N35M3 WM10N35M3 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.66 EUR
311+0.23 EUR
521+0.14 EUR
582+0.12 EUR
736+0.097 EUR
782+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM10N35M3 WM10N35M3 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
311+0.23 EUR
521+0.14 EUR
582+0.12 EUR
736+0.097 EUR
782+0.092 EUR
12000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM10P20M2 WAYON WM10P20M2-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2862 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
108+0.67 EUR
610+0.12 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM12N35M2 WAYON WM12N35M2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.68 EUR
747+0.096 EUR
794+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM15P10M2 WAYON WM15P10M2-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
94+0.76 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM4C62160A WM4C62160A WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1AC2B0065E0D6&compId=WM4C62160A.pdf?ci_sign=a6e86181c162d575bdc8742796f9affdba3a8f43 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: CSP1515-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 19.5mΩ
Gate charge: 13nC
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.53 EUR
268+0.27 EUR
325+0.22 EUR
368+0.19 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM4C62160A WM4C62160A WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1AC2B0065E0D6&compId=WM4C62160A.pdf?ci_sign=a6e86181c162d575bdc8742796f9affdba3a8f43 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: CSP1515-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 19.5mΩ
Gate charge: 13nC
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
268+0.27 EUR
325+0.22 EUR
368+0.19 EUR
500+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM6C61042A
+1
WM6C61042A WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1B1CFB953E0D6&compId=WM6C61042A.pdf?ci_sign=d9963b69f81c92ed09d30bc27410da0e3036c47d Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 8A; 450mW; CSP6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8A
Power dissipation: 0.45W
Case: CSP6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+0.56 EUR
219+0.33 EUR
243+0.29 EUR
275+0.26 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM6C61042A
+1
WM6C61042A WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1B1CFB953E0D6&compId=WM6C61042A.pdf?ci_sign=d9963b69f81c92ed09d30bc27410da0e3036c47d Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 8A; 450mW; CSP6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8A
Power dissipation: 0.45W
Case: CSP6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
219+0.33 EUR
243+0.29 EUR
275+0.26 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMAA2N100D1 WMAA2N100D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 60W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMAA4N65D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMAA4N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMAA4N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMAA6N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB007N03LG4 WAYON WMB007N03LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
12000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB009N03LG4 WMB009N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+1.16 EUR
66+1.09 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB009N03LG4 WMB009N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
66+1.09 EUR
68+1.06 EUR
6000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB010N04LG4 WMB010N04LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 114W
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
Case: PDFN5060-8
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+1.03 EUR
74+0.98 EUR
83+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB010N04LG4 WMB010N04LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 114W
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
Case: PDFN5060-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
74+0.98 EUR
83+0.87 EUR
100+0.8 EUR
500+0.78 EUR
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB014N04LG4 WAYON WMB014N04LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
64+1.12 EUR
12000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB014N06HG4 WMB014N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB014N06LG4 WMB014N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
79+0.92 EUR
100+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB014N06LG4 WMB014N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
79+0.92 EUR
100+0.85 EUR
500+0.82 EUR
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB017N03LG2 WMB017N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63.3A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB017N03LG2 WMB017N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63.3A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB020N03LG4 WMB020N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29.5nC
Pulsed drain current: 500A
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+0.87 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB020N03LG4 WMB020N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29.5nC
Pulsed drain current: 500A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
100+0.72 EUR
500+0.43 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB020N06HG4 WMB020N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 174A; Idm: 696A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+1.06 EUR
70+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB020N06HG4 WMB020N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 174A; Idm: 696A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
70+1.02 EUR
100+0.83 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB023N03LG2 WMB023N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+0.84 EUR
122+0.59 EUR
135+0.53 EUR
153+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB023N03LG2 WMB023N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
122+0.59 EUR
135+0.53 EUR
153+0.47 EUR
500+0.44 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM04N50M
WM04N50M
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 19A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
400+0.18 EUR
940+0.076 EUR
1341+0.053 EUR
1484+0.048 EUR
3000+0.038 EUR
6000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM04P50M
Hersteller: WAYON
WM04P50M-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
170+0.42 EUR
1806+0.04 EUR
1909+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 170
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM04P56M2
Hersteller: WAYON
WM04P56M2-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
168+0.43 EUR
1185+0.06 EUR
1254+0.057 EUR
12000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 168
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05DP01D
Hersteller: WAYON
WM05DP01D-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
170+0.42 EUR
1806+0.04 EUR
1909+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 170
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05N02G
Hersteller: WAYON
WM05N02G-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
153+0.47 EUR
2500+0.029 EUR
12000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 153
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05N02M
WM05N02M
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 1A
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
363+0.2 EUR
1087+0.066 EUR
2605+0.027 EUR
2874+0.025 EUR
3000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05N02M
WM05N02M
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
363+0.2 EUR
1087+0.066 EUR
2605+0.027 EUR
2874+0.025 EUR
3000+0.024 EUR
6000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05N03G
Hersteller: WAYON
WM05N03G-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
170+0.42 EUR
2526+0.028 EUR
2674+0.027 EUR
12000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 170
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05N03M
Hersteller: WAYON
WM05N03M-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.48 EUR
2165+0.033 EUR
12000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05P01G
Hersteller: WAYON
WM05P01G-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
662+0.11 EUR
1819+0.039 EUR
12000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05P01M
Hersteller: WAYON
WM05P01M-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.52 EUR
2400+0.03 EUR
12000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05P02F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D2C8788DC380D6&compId=WM05P02F.pdf?ci_sign=60c78e4b0a9892442f77515ab227735249e56cd5
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -250mA; Idm: -1A; 350mW; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -250mA
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05P02G
Hersteller: WAYON
WM05P02G-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2990 Stücke:
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153+0.47 EUR
2703+0.026 EUR
2858+0.025 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM05P20M
Hersteller: WAYON
WM05P20M-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
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170+0.42 EUR
1806+0.04 EUR
1909+0.037 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM06DN03DE
Hersteller: WAYON
WM06DN03DE-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 2754 Stücke:
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133+0.54 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM06N03FB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D2160A507500D6&compId=WM06N03FB.pdf?ci_sign=1e2ce95c7137a5d10ababb86e851dc9d684e0252
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 360mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.36W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM06N03GE
Hersteller: WAYON
WM06N03GE-CYG SMD N channel transistors
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2924+0.024 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM06N03HE pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D2286F76CF20D6&compId=WM06N03He.pdf?ci_sign=b04ecca13856d373a01ed860701c4243dce470e3
WM06N03HE
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM06N03LE
Hersteller: WAYON
WM06N03LE-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2900 Stücke:
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153+0.47 EUR
2703+0.026 EUR
2858+0.025 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM06N03ME
Hersteller: WAYON
WM06N03ME-CYG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM06N30M
Hersteller: WAYON
WM06N30M-CYG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM06N30MS
Hersteller: WAYON
WM06N30MS-CYG SMD N channel transistors
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1725+0.041 EUR
1819+0.039 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM06P17MR
Hersteller: WAYON
WM06P17MR-CYG SMD P channel transistors
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426+0.17 EUR
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Mindestbestellmenge: 170
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM10N02G
Hersteller: WAYON
WM10N02G-CYG SMD N channel transistors
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163+0.44 EUR
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12000+0.026 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM10N02M
Hersteller: WAYON
WM10N02M-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.024 EUR
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Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM10N20M
WM10N20M
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
477+0.15 EUR
1127+0.063 EUR
1608+0.044 EUR
1780+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM10N20M
WM10N20M
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2327 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
477+0.15 EUR
1127+0.063 EUR
1608+0.044 EUR
1780+0.04 EUR
3000+0.032 EUR
6000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM10N33M
Hersteller: WAYON
WM10N33M-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2863 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
156+0.46 EUR
1645+0.043 EUR
1743+0.041 EUR
12000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 156
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM10N35M2
Hersteller: WAYON
WM10N35M2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2861 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
802+0.089 EUR
848+0.084 EUR
12000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM10N35M3
WM10N35M3
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
311+0.23 EUR
521+0.14 EUR
582+0.12 EUR
736+0.097 EUR
782+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM10N35M3
WM10N35M3
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
311+0.23 EUR
521+0.14 EUR
582+0.12 EUR
736+0.097 EUR
782+0.092 EUR
12000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM10P20M2
Hersteller: WAYON
WM10P20M2-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2862 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
108+0.67 EUR
610+0.12 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM12N35M2
Hersteller: WAYON
WM12N35M2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.68 EUR
747+0.096 EUR
794+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM15P10M2
Hersteller: WAYON
WM15P10M2-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
94+0.76 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM4C62160A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1AC2B0065E0D6&compId=WM4C62160A.pdf?ci_sign=a6e86181c162d575bdc8742796f9affdba3a8f43
WM4C62160A
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: CSP1515-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 19.5mΩ
Gate charge: 13nC
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
268+0.27 EUR
325+0.22 EUR
368+0.19 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM4C62160A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1AC2B0065E0D6&compId=WM4C62160A.pdf?ci_sign=a6e86181c162d575bdc8742796f9affdba3a8f43
WM4C62160A
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: CSP1515-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 19.5mΩ
Gate charge: 13nC
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
268+0.27 EUR
325+0.22 EUR
368+0.19 EUR
500+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM6C61042A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1B1CFB953E0D6&compId=WM6C61042A.pdf?ci_sign=d9963b69f81c92ed09d30bc27410da0e3036c47d
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 8A; 450mW; CSP6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8A
Power dissipation: 0.45W
Case: CSP6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
219+0.33 EUR
243+0.29 EUR
275+0.26 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM6C61042A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1B1CFB953E0D6&compId=WM6C61042A.pdf?ci_sign=d9963b69f81c92ed09d30bc27410da0e3036c47d
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 8A; 450mW; CSP6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8A
Power dissipation: 0.45W
Case: CSP6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
219+0.33 EUR
243+0.29 EUR
275+0.26 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMAA2N100D1
WMAA2N100D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 60W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMAA4N65D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMAA4N80D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMAA4N80D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMAA6N80D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB007N03LG4
Hersteller: WAYON
WMB007N03LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
12000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB009N03LG4
WMB009N03LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
66+1.09 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB009N03LG4
WMB009N03LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
66+1.09 EUR
68+1.06 EUR
6000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB010N04LG4
WMB010N04LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 114W
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
Case: PDFN5060-8
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
74+0.98 EUR
83+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB010N04LG4
WMB010N04LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 114W
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
Case: PDFN5060-8
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WMB014N04LG4
Hersteller: WAYON
WMB014N04LG4-CYG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB014N06HG4
WMB014N06HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB014N06LG4
WMB014N06LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB014N06LG4
WMB014N06LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB017N03LG2
WMB017N03LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63.3A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB017N03LG2
WMB017N03LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63.3A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB020N03LG4
WMB020N03LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29.5nC
Pulsed drain current: 500A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB020N03LG4
WMB020N03LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29.5nC
Pulsed drain current: 500A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB020N06HG4
WMB020N06HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 174A; Idm: 696A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB020N06HG4
WMB020N06HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 174A; Idm: 696A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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68+1.06 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB023N03LG2
WMB023N03LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB023N03LG2
WMB023N03LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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