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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WMB060N10LGS WMB060N10LGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 95A; Idm: 380A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
73+0.98 EUR
94+0.77 EUR
99+0.72 EUR
6000+0.7 EUR
12000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB072N12HG2 WMB072N12HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 90A; Idm: 360A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 104W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+1.54 EUR
50+1.46 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB072N12HG2 WMB072N12HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 90A; Idm: 360A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 104W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
50+1.46 EUR
54+1.33 EUR
6000+1.04 EUR
12000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB072N12LG2-S WMB072N12LG2-S WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 90A; Idm: 360A; 118W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 118W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+1.29 EUR
59+1.23 EUR
75+0.96 EUR
76+0.94 EUR
80+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB072N12LG2-S WMB072N12LG2-S WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 90A; Idm: 360A; 118W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 118W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
59+1.23 EUR
75+0.96 EUR
76+0.94 EUR
80+0.9 EUR
12000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N03LG2 WMB080N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+0.6 EUR
252+0.28 EUR
300+0.24 EUR
407+0.18 EUR
428+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N03LG2 WMB080N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
252+0.28 EUR
300+0.24 EUR
407+0.18 EUR
428+0.17 EUR
12000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N10HG2 WMB080N10HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.1 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N10HG2 WMB080N10HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
100+0.72 EUR
500+0.61 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N10LG2 WMB080N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N10LG2 WMB080N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.4 EUR
100+0.72 EUR
500+0.43 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090DN04LG2 WAYON WMB090DN04LG2-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
244+0.29 EUR
260+0.28 EUR
12000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090DNV6LG4 WMB090DNV6LG4 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 40A; Idm: 160A; 27.8W
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 65V
Gate charge: 22.1nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 27.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+1.14 EUR
99+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090DNV6LG4 WMB090DNV6LG4 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 40A; Idm: 160A; 27.8W
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 65V
Gate charge: 22.1nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 27.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
99+0.73 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090N04LG2 WMB090N04LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 32.9W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+0.73 EUR
193+0.37 EUR
211+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090N04LG2 WMB090N04LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 32.9W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
193+0.37 EUR
211+0.34 EUR
6000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090NV6LG4 WAYON WMB090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
115+0.62 EUR
290+0.25 EUR
305+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB093N15HG4 WMB093N15HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 95A; Idm: 380A; 178.5W
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37.2nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 380A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 178.5W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB098N03LG2 WAYON WMB098N03LG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
115+0.63 EUR
443+0.16 EUR
468+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB099N10HGS WAYON WMB099N10HGS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
100+0.72 EUR
106+0.67 EUR
12000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB099N10LG2 WAYON WMB099N10LG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.19 EUR
100+0.72 EUR
12000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB099N10LGS WAYON WMB099N10LGS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
100+0.72 EUR
106+0.67 EUR
12000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100N04TS WAYON WMB100N04TS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
98+0.73 EUR
137+0.51 EUR
12000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100P03TS WMB100P03TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 73.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100P03TS WMB100P03TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 73.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
500+0.45 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB108N03T1 WMB108N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.57 EUR
210+0.34 EUR
234+0.31 EUR
264+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB108N03T1 WMB108N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
210+0.34 EUR
234+0.31 EUR
264+0.27 EUR
500+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB115N15HG4 WAYON WMB115N15HG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
12000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB119N10LG2 WMB119N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 75W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+0.92 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB119N10LG2 WMB119N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 75W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.92 EUR
100+0.72 EUR
111+0.64 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB119N12HG4 WAYON WMB119N12HG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.21 EUR
100+0.72 EUR
12000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB119N12LG4 WAYON WMB119N12LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.21 EUR
100+0.72 EUR
12000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB120P06TS WMB120P06TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -120A; Idm: -480A; 168.9W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -480A
Power dissipation: 168.9W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB128N10T2 WMB128N10T2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 128A; Idm: 512A; 127.5W
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 127.5W
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 512A
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.43 EUR
54+1.33 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB128N10T2 WMB128N10T2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 128A; Idm: 512A; 127.5W
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 127.5W
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 512A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
54+1.33 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
6000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB129N10T2 WMB129N10T2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 129A; Idm: 402A; 127.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 129A
Pulsed drain current: 402A
Power dissipation: 127.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
78+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB129N10T2 WMB129N10T2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 129A; Idm: 402A; 127.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 129A
Pulsed drain current: 402A
Power dissipation: 127.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
78+0.92 EUR
100+0.85 EUR
500+0.82 EUR
3000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB140DNV6LG4 WMB140DNV6LG4 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 32A; Idm: 128A; 25W
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 25W
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 65V
Pulsed drain current: 128A
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+0.84 EUR
143+0.5 EUR
159+0.45 EUR
180+0.4 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB140DNV6LG4 WMB140DNV6LG4 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 32A; Idm: 128A; 25W
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 25W
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 65V
Pulsed drain current: 128A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
143+0.5 EUR
159+0.45 EUR
180+0.4 EUR
500+0.37 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB140NV6LG4 WMB140NV6LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 34A; Idm: 136A; 27W; PDFN5060-8
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 65V
Pulsed drain current: 136A
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+0.7 EUR
200+0.36 EUR
244+0.29 EUR
275+0.26 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB140NV6LG4 WMB140NV6LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 34A; Idm: 136A; 27W; PDFN5060-8
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 65V
Pulsed drain current: 136A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
200+0.36 EUR
244+0.29 EUR
275+0.26 EUR
500+0.24 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB14N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Case: PDFN5060-8
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB150N03TS WMB150N03TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; Idm: 600A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 96W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB150N03TS WMB150N03TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; Idm: 600A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 96W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.89 EUR
100+0.72 EUR
500+0.34 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB175DN10LG4 WAYON WMB175DN10LG4-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.21 EUR
95+0.76 EUR
12000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB175N10HG4 WMB175N10HG4 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB6885536934760D4&compId=WMB175N10HG4.pdf?ci_sign=2c1d364da4857ebfe0812888a9e8e3f962a0bfe4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; Idm: 184A; 71.4W; 30ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 71.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 30ns
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+1.03 EUR
100+0.72 EUR
166+0.43 EUR
240+0.3 EUR
254+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB175N10HG4 WMB175N10HG4 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB6885536934760D4&compId=WMB175N10HG4.pdf?ci_sign=2c1d364da4857ebfe0812888a9e8e3f962a0bfe4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; Idm: 184A; 71.4W; 30ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 71.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 30ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
100+0.72 EUR
166+0.43 EUR
240+0.3 EUR
254+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB175N10LG4 WMB175N10LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 184A; 71.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 71.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+0.64 EUR
186+0.38 EUR
207+0.35 EUR
226+0.32 EUR
234+0.31 EUR
240+0.3 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB175N10LG4 WMB175N10LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 184A; 71.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 71.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
186+0.38 EUR
207+0.35 EUR
226+0.32 EUR
234+0.31 EUR
240+0.3 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB240P10HG4 WAYON WMB240P10HG4-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
75+0.96 EUR
80+0.9 EUR
12000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB26DN06TS WAYON WMB26DN06TS-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
249+0.29 EUR
265+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB26N06TS WAYON WMB26N06TS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
115+0.63 EUR
447+0.16 EUR
472+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB31430DN WMB31430DN WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/130A; 24/37.8W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56/130A
Power dissipation: 24/37.8W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5/1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31.1/90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.43 EUR
54+1.34 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB31430DN WMB31430DN WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/130A; 24/37.8W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56/130A
Power dissipation: 24/37.8W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5/1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31.1/90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
54+1.34 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
6000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB340N20HG2 WMB340N20HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 40A; Idm: 160A; 108.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 108.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.26 EUR
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB340N20HG2 WMB340N20HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 40A; Idm: 160A; 108.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 108.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.26 EUR
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
100+1.74 EUR
500+1.69 EUR
3000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB35P04T1 WAYON WMB35P04T1-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
300+0.24 EUR
317+0.23 EUR
12000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB35P06TS WAYON WMB35P06TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
89+0.8 EUR
134+0.53 EUR
12000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB40N04TS WMB40N04TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 33W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+0.56 EUR
265+0.27 EUR
317+0.23 EUR
424+0.17 EUR
447+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB40N04TS WMB40N04TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 33W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
265+0.27 EUR
317+0.23 EUR
424+0.17 EUR
447+0.16 EUR
12000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB060N10LGS
WMB060N10LGS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 95A; Idm: 380A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
73+0.98 EUR
94+0.77 EUR
99+0.72 EUR
6000+0.7 EUR
12000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB072N12HG2
WMB072N12HG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 90A; Idm: 360A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 104W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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47+1.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB072N12HG2
WMB072N12HG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 90A; Idm: 360A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 104W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB072N12LG2-S
WMB072N12LG2-S
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 90A; Idm: 360A; 118W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 118W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB072N12LG2-S
WMB072N12LG2-S
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 90A; Idm: 360A; 118W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 118W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N03LG2
WMB080N03LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
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120+0.6 EUR
252+0.28 EUR
300+0.24 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N03LG2
WMB080N03LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
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252+0.28 EUR
300+0.24 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N10HG2
WMB080N10HG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
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auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N10HG2
WMB080N10HG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
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Anzahl Preis
65+1.1 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
100+0.72 EUR
500+0.61 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N10LG2
WMB080N10LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 51 Stücke:
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Anzahl Preis
51+1.4 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N10LG2
WMB080N10LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
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Anzahl Preis
51+1.4 EUR
100+0.72 EUR
500+0.43 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090DN04LG2
Hersteller: WAYON
WMB090DN04LG2-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
244+0.29 EUR
260+0.28 EUR
12000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090DNV6LG4
WMB090DNV6LG4
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 40A; Idm: 160A; 27.8W
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 65V
Gate charge: 22.1nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 27.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
99+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090DNV6LG4
WMB090DNV6LG4
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 40A; Idm: 160A; 27.8W
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 65V
Gate charge: 22.1nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 27.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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63+1.14 EUR
99+0.73 EUR
6000+0.46 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090N04LG2
WMB090N04LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 32.9W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
193+0.37 EUR
211+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090N04LG2
WMB090N04LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 32.9W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
193+0.37 EUR
211+0.34 EUR
6000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090NV6LG4
Hersteller: WAYON
WMB090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
115+0.62 EUR
290+0.25 EUR
305+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB093N15HG4
WMB093N15HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 95A; Idm: 380A; 178.5W
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37.2nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 380A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 178.5W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB098N03LG2
Hersteller: WAYON
WMB098N03LG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
115+0.63 EUR
443+0.16 EUR
468+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB099N10HGS
Hersteller: WAYON
WMB099N10HGS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
100+0.72 EUR
106+0.67 EUR
12000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB099N10LG2
Hersteller: WAYON
WMB099N10LG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.19 EUR
100+0.72 EUR
12000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB099N10LGS
Hersteller: WAYON
WMB099N10LGS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
100+0.72 EUR
106+0.67 EUR
12000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100N04TS
Hersteller: WAYON
WMB100N04TS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
98+0.73 EUR
137+0.51 EUR
12000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100P03TS
WMB100P03TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 73.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100P03TS
WMB100P03TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 73.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
500+0.45 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB108N03T1
WMB108N03T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
210+0.34 EUR
234+0.31 EUR
264+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB108N03T1
WMB108N03T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
210+0.34 EUR
234+0.31 EUR
264+0.27 EUR
500+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB115N15HG4
Hersteller: WAYON
WMB115N15HG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
12000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB119N10LG2
WMB119N10LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 75W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.92 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB119N10LG2
WMB119N10LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 75W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.92 EUR
100+0.72 EUR
111+0.64 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB119N12HG4
Hersteller: WAYON
WMB119N12HG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.21 EUR
100+0.72 EUR
12000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB119N12LG4
Hersteller: WAYON
WMB119N12LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.21 EUR
100+0.72 EUR
12000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB120P06TS
WMB120P06TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -120A; Idm: -480A; 168.9W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -480A
Power dissipation: 168.9W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB128N10T2
WMB128N10T2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 128A; Idm: 512A; 127.5W
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 127.5W
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 512A
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
54+1.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB128N10T2
WMB128N10T2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 128A; Idm: 512A; 127.5W
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 127.5W
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 512A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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68+1.06 EUR
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6000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB129N10T2
WMB129N10T2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 129A; Idm: 402A; 127.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 129A
Pulsed drain current: 402A
Power dissipation: 127.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB129N10T2
WMB129N10T2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 129A; Idm: 402A; 127.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 129A
Pulsed drain current: 402A
Power dissipation: 127.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
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70+1.03 EUR
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3000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB140DNV6LG4
WMB140DNV6LG4
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 32A; Idm: 128A; 25W
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 25W
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 65V
Pulsed drain current: 128A
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 500 Stücke:
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Anzahl Preis
85+0.84 EUR
143+0.5 EUR
159+0.45 EUR
180+0.4 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB140DNV6LG4
WMB140DNV6LG4
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 32A; Idm: 128A; 25W
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 25W
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 65V
Pulsed drain current: 128A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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143+0.5 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB140NV6LG4
WMB140NV6LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 34A; Idm: 136A; 27W; PDFN5060-8
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 65V
Pulsed drain current: 136A
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
200+0.36 EUR
244+0.29 EUR
275+0.26 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB140NV6LG4
WMB140NV6LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 34A; Idm: 136A; 27W; PDFN5060-8
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 65V
Pulsed drain current: 136A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
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Anzahl Preis
103+0.7 EUR
200+0.36 EUR
244+0.29 EUR
275+0.26 EUR
500+0.24 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB14N60C4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Case: PDFN5060-8
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB150N03TS
WMB150N03TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; Idm: 600A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 96W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB150N03TS
WMB150N03TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; Idm: 600A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 96W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.89 EUR
100+0.72 EUR
500+0.34 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB175DN10LG4
Hersteller: WAYON
WMB175DN10LG4-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.21 EUR
95+0.76 EUR
12000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB175N10HG4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB6885536934760D4&compId=WMB175N10HG4.pdf?ci_sign=2c1d364da4857ebfe0812888a9e8e3f962a0bfe4
WMB175N10HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; Idm: 184A; 71.4W; 30ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 71.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 30ns
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
100+0.72 EUR
166+0.43 EUR
240+0.3 EUR
254+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB175N10HG4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB6885536934760D4&compId=WMB175N10HG4.pdf?ci_sign=2c1d364da4857ebfe0812888a9e8e3f962a0bfe4
WMB175N10HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; Idm: 184A; 71.4W; 30ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 71.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 30ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
100+0.72 EUR
166+0.43 EUR
240+0.3 EUR
254+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB175N10LG4
WMB175N10LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 184A; 71.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 71.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
186+0.38 EUR
207+0.35 EUR
226+0.32 EUR
234+0.31 EUR
240+0.3 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB175N10LG4
WMB175N10LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 184A; 71.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 71.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
186+0.38 EUR
207+0.35 EUR
226+0.32 EUR
234+0.31 EUR
240+0.3 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB240P10HG4
Hersteller: WAYON
WMB240P10HG4-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
75+0.96 EUR
80+0.9 EUR
12000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB26DN06TS
Hersteller: WAYON
WMB26DN06TS-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
249+0.29 EUR
265+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB26N06TS
Hersteller: WAYON
WMB26N06TS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
115+0.63 EUR
447+0.16 EUR
472+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB31430DN
WMB31430DN
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/130A; 24/37.8W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56/130A
Power dissipation: 24/37.8W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5/1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31.1/90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
54+1.34 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB31430DN
WMB31430DN
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/130A; 24/37.8W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56/130A
Power dissipation: 24/37.8W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5/1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31.1/90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
54+1.34 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
6000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB340N20HG2
WMB340N20HG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 40A; Idm: 160A; 108.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 108.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB340N20HG2
WMB340N20HG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 40A; Idm: 160A; 108.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 108.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
100+1.74 EUR
500+1.69 EUR
3000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB35P04T1
Hersteller: WAYON
WMB35P04T1-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
300+0.24 EUR
317+0.23 EUR
12000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB35P06TS
Hersteller: WAYON
WMB35P06TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
89+0.8 EUR
134+0.53 EUR
12000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB40N04TS
WMB40N04TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 33W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
265+0.27 EUR
317+0.23 EUR
424+0.17 EUR
447+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB40N04TS
WMB40N04TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 33W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
265+0.27 EUR
317+0.23 EUR
424+0.17 EUR
447+0.16 EUR
12000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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