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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WMB31430DN WAYON WMB31430DN-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
12000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB340N20HG2 WMB340N20HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 40A; Idm: 160A; 108.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 108.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.26 EUR
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB340N20HG2 WMB340N20HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 40A; Idm: 160A; 108.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 108.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.26 EUR
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
100+1.76 EUR
500+1.69 EUR
3000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB35P04T1 WAYON WMB35P04T1-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
116+0.62 EUR
220+0.33 EUR
12000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB35P06TS WAYON WMB35P06TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.88 EUR
87+0.82 EUR
131+0.54 EUR
12000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB40N04TS WAYON WMB40N04TS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
115+0.63 EUR
407+0.18 EUR
432+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB40N20JN WAYON WMx40N20JN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 21A; Idm: 110A; 89W; 141ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 89W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 141ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB46N03T1 WAYON WMB46N03T1-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
115+0.63 EUR
407+0.18 EUR
432+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB50P03TS WAYON WMB50P03TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.68 EUR
300+0.24 EUR
317+0.23 EUR
12000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB50P04TS WAYON WMB50P04TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.77 EUR
233+0.31 EUR
247+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB510N15HG2 WAYON WMB510N15HG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.27 EUR
80+0.89 EUR
12000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB52N03T2 WAYON WMB52N03T2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
291+0.25 EUR
307+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB56N04T1 WAYON WMB56N04T1-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
115+0.63 EUR
325+0.22 EUR
343+0.21 EUR
12000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB58N03T1 WAYON WMB58N03T1-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
424+0.17 EUR
447+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB60P02TS WAYON WMB60P02TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
291+0.25 EUR
307+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB60P03TA WAYON WMB60P03TA-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.91 EUR
198+0.36 EUR
209+0.34 EUR
12000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB690N15HG2 WAYON WMB690N15HG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.21 EUR
75+0.96 EUR
89+0.8 EUR
12000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB70P02TS WAYON WMB70P02TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.91 EUR
198+0.36 EUR
209+0.34 EUR
12000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB80N06TS WAYON WMB80N06TS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
80+0.89 EUR
95+0.76 EUR
12000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB81N03T1 WAYON WMB81N03T1-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
274+0.26 EUR
290+0.25 EUR
12000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB90N02TS WAYON WMB90N02TS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
300+0.24 EUR
317+0.23 EUR
12000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB90P03TS WMB90P03TS WAYON WMB90P03TS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -90A; Idm: -360A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -360A
Power dissipation: 60W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 146nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+0.76 EUR
159+0.45 EUR
177+0.41 EUR
200+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB90P03TS WMB90P03TS WAYON WMB90P03TS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -90A; Idm: -360A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -360A
Power dissipation: 60W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 146nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
159+0.45 EUR
177+0.41 EUR
200+0.36 EUR
500+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB95P06TS WAYON WMB95P06TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.83 EUR
64+1.12 EUR
12000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF04N60C2 WMF04N60C2 WAYON WMF04N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF04N65C2 WMF04N65C2 WAYON WMF04N65C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 2029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.47 EUR
173+0.41 EUR
205+0.35 EUR
233+0.31 EUR
252+0.28 EUR
261+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF04N65C2 WMF04N65C2 WAYON WMF04N65C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2029 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
173+0.41 EUR
205+0.35 EUR
233+0.31 EUR
252+0.28 EUR
261+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF04N70C2 WMF04N70C2 WAYON WMF04N70C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2.6A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF05N65MM WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ MM; unipolar; 650V; 3.2A; Idm: 8.8A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ MM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF06N80M3 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Case: SOT223
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF06N90C2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Case: SOT223
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF07N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 2.8A; Idm: 9A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 42W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF07N65C4 WMF07N65C4 WAYON WMF07N65C4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Technology: SJMOS™ C4
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+0.72 EUR
111+0.65 EUR
131+0.55 EUR
149+0.48 EUR
161+0.44 EUR
250+0.43 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF07N65C4 WMF07N65C4 WAYON WMF07N65C4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Technology: SJMOS™ C4
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
111+0.65 EUR
131+0.55 EUR
149+0.48 EUR
161+0.44 EUR
250+0.43 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF07N70C2 WMF07N70C2 WAYON WMF07N70C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+0.6 EUR
129+0.56 EUR
157+0.46 EUR
174+0.41 EUR
192+0.37 EUR
250+0.36 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF07N70C2 WMF07N70C2 WAYON WMF07N70C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
129+0.56 EUR
157+0.46 EUR
174+0.41 EUR
192+0.37 EUR
250+0.36 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF08N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 45W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF09N60C2 WMF09N60C2 WAYON WMF09N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF10N60C2 WMF10N60C2 WAYON WMF10N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.66 EUR
120+0.6 EUR
143+0.5 EUR
162+0.44 EUR
173+0.41 EUR
250+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF10N60C2 WMF10N60C2 WAYON WMF10N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
120+0.6 EUR
143+0.5 EUR
162+0.44 EUR
173+0.41 EUR
250+0.39 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF10N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.6nC
Pulsed drain current: 19A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF10N65C2 WMF10N65C2 WAYON WMF10N65C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF10N65C4 WAYON WMF10N65C4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF10N70C2 WMF10N70C2 WAYON WMF10N70C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 7.5A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF18N20JN WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMG04N70C2 WMG04N70C2 WAYON WMx04N70C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2.6A; 29W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMG07N60C2 WMG07N60C2 WAYON WMO07N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMG07N65C2 WMG07N65C2 WAYON WMx07N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMG07N70C2 WMG07N70C2 WAYON WMx07N70C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 42W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMG09N60C2 WMG09N60C2 WAYON WMx09N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH04N60C2 WAYON WMx04N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH04N65C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH04N70C2 WAYON WMx04N70C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2.6A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH07N60C2 WAYON WMO07N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH07N65C2 WAYON WMx07N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH07N70C2 WAYON WMx07N70C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 42W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH09N60C2 WAYON WMx09N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH4N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH4N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH7N65D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 7A; Idm: 28A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB31430DN
Hersteller: WAYON
WMB31430DN-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
12000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB340N20HG2
WMB340N20HG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 40A; Idm: 160A; 108.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 108.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB340N20HG2
WMB340N20HG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 40A; Idm: 160A; 108.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 108.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
100+1.76 EUR
500+1.69 EUR
3000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB35P04T1
Hersteller: WAYON
WMB35P04T1-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
116+0.62 EUR
220+0.33 EUR
12000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB35P06TS
Hersteller: WAYON
WMB35P06TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.88 EUR
87+0.82 EUR
131+0.54 EUR
12000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB40N04TS
Hersteller: WAYON
WMB40N04TS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
115+0.63 EUR
407+0.18 EUR
432+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB40N20JN WMx40N20JN.pdf
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 21A; Idm: 110A; 89W; 141ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 89W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 141ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB46N03T1
Hersteller: WAYON
WMB46N03T1-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
115+0.63 EUR
407+0.18 EUR
432+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB50P03TS
Hersteller: WAYON
WMB50P03TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.68 EUR
300+0.24 EUR
317+0.23 EUR
12000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB50P04TS
Hersteller: WAYON
WMB50P04TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
93+0.77 EUR
233+0.31 EUR
247+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB510N15HG2
Hersteller: WAYON
WMB510N15HG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.27 EUR
80+0.89 EUR
12000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB52N03T2
Hersteller: WAYON
WMB52N03T2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
291+0.25 EUR
307+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB56N04T1
Hersteller: WAYON
WMB56N04T1-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
115+0.63 EUR
325+0.22 EUR
343+0.21 EUR
12000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB58N03T1
Hersteller: WAYON
WMB58N03T1-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
424+0.17 EUR
447+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB60P02TS
Hersteller: WAYON
WMB60P02TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
291+0.25 EUR
307+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB60P03TA
Hersteller: WAYON
WMB60P03TA-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.91 EUR
198+0.36 EUR
209+0.34 EUR
12000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB690N15HG2
Hersteller: WAYON
WMB690N15HG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.21 EUR
75+0.96 EUR
89+0.8 EUR
12000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB70P02TS
Hersteller: WAYON
WMB70P02TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.91 EUR
198+0.36 EUR
209+0.34 EUR
12000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB80N06TS
Hersteller: WAYON
WMB80N06TS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
80+0.89 EUR
95+0.76 EUR
12000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB81N03T1
Hersteller: WAYON
WMB81N03T1-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
274+0.26 EUR
290+0.25 EUR
12000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB90N02TS
Hersteller: WAYON
WMB90N02TS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
300+0.24 EUR
317+0.23 EUR
12000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB90P03TS WMB90P03TS.pdf
WMB90P03TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -90A; Idm: -360A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -360A
Power dissipation: 60W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 146nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
159+0.45 EUR
177+0.41 EUR
200+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB90P03TS WMB90P03TS.pdf
WMB90P03TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -90A; Idm: -360A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -360A
Power dissipation: 60W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 146nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
159+0.45 EUR
177+0.41 EUR
200+0.36 EUR
500+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB95P06TS
Hersteller: WAYON
WMB95P06TS-CYG SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF04N60C2 WMF04N60C2.pdf
WMF04N60C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF04N65C2 WMF04N65C2.pdf
WMF04N65C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 2029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
173+0.41 EUR
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252+0.28 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF04N65C2 WMF04N65C2.pdf
WMF04N65C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2029 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
173+0.41 EUR
205+0.35 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF04N70C2 WMF04N70C2.pdf
WMF04N70C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2.6A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF05N65MM
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ MM; unipolar; 650V; 3.2A; Idm: 8.8A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ MM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF06N80M3
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Case: SOT223
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF06N90C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Case: SOT223
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF07N60C4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 2.8A; Idm: 9A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 42W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF07N65C4 WMF07N65C4.pdf
WMF07N65C4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Technology: SJMOS™ C4
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2245 Stücke:
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Anzahl Preis
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131+0.55 EUR
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161+0.44 EUR
250+0.43 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF07N65C4 WMF07N65C4.pdf
WMF07N65C4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Technology: SJMOS™ C4
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2245 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF07N70C2 WMF07N70C2.pdf
WMF07N70C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1196 Stücke:
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129+0.56 EUR
157+0.46 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF07N70C2 WMF07N70C2.pdf
WMF07N70C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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120+0.6 EUR
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157+0.46 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF08N60C4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 45W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF09N60C2 WMF09N60C2.pdf
WMF09N60C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF10N60C2 WMF10N60C2.pdf
WMF10N60C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
120+0.6 EUR
143+0.5 EUR
162+0.44 EUR
173+0.41 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF10N60C2 WMF10N60C2.pdf
WMF10N60C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
120+0.6 EUR
143+0.5 EUR
162+0.44 EUR
173+0.41 EUR
250+0.39 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF10N60C4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.6nC
Pulsed drain current: 19A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF10N65C2 WMF10N65C2.pdf
WMF10N65C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF10N65C4 WMF10N65C4.pdf
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF10N70C2 WMF10N70C2.pdf
WMF10N70C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 7.5A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF18N20JN
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMG04N70C2 WMx04N70C2.pdf
WMG04N70C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2.6A; 29W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMG07N60C2 WMO07N60C2.pdf
WMG07N60C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMG07N65C2 WMx07N65C2.pdf
WMG07N65C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMG07N70C2 WMx07N70C2.pdf
WMG07N70C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 42W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMG09N60C2 WMx09N60C2.pdf
WMG09N60C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH04N60C2 WMx04N60C2.pdf
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH04N65C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH04N70C2 WMx04N70C2.pdf
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2.6A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH07N60C2 WMO07N60C2.pdf
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH07N65C2 WMx07N65C2.pdf
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH07N70C2 WMx07N70C2.pdf
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 42W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH09N60C2 WMx09N60C2.pdf
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH4N80D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH4N80D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH7N65D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 7A; Idm: 28A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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