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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WMH04N60C2 WAYON WMx04N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH04N65C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH07N65C2 WAYON WMx07N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH4N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH4N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH7N65D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 7A; Idm: 28A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMI30N60D1 WMI30N60D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.77 EUR
33+2.22 EUR
44+1.66 EUR
48+1.5 EUR
120+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMI30N60D1 WMI30N60D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.77 EUR
33+2.22 EUR
44+1.66 EUR
48+1.5 EUR
120+1.39 EUR
300+1.32 EUR
900+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ020N10HGS WAYON WMJ020N10HGS-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.75 EUR
27+2.66 EUR
29+2.52 EUR
900+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ028N10HGS WAYON WMJ028N10HGS-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.95 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
900+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ10N80D1 WAYON WMJ10N80D1-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.02 EUR
80+0.9 EUR
85+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ11N150D1 WMJ11N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 11A; Idm: 44A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.21 EUR
10+7.25 EUR
30+6.51 EUR
120+6.31 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ11N150D1 WMJ11N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 11A; Idm: 44A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.21 EUR
10+7.25 EUR
30+6.51 EUR
120+6.31 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ12N120D1 WAYON WMJ12N120D1-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.09 EUR
33+2.17 EUR
35+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ130N25JN WAYON WMx130N25JN.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 96A; Idm: 435A; 312W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 435A
Power dissipation: 312W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ15N80M3 WAYON WMJ15N80M3-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.24 EUR
22+3.29 EUR
23+3.12 EUR
900+3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ18N50D1B WMJ18N50D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.59 EUR
57+1.27 EUR
64+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ18N50D1B WMJ18N50D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.59 EUR
57+1.27 EUR
64+1.12 EUR
120+0.79 EUR
300+0.76 EUR
900+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ20N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ220N20HG3 WMJ220N20HG3 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 82A; Idm: 328A; 329W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 328A
Power dissipation: 329W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ25N50D1B WMJ25N50D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+1.72 EUR
53+1.37 EUR
70+1.03 EUR
79+0.92 EUR
120+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ25N50D1B WMJ25N50D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.72 EUR
53+1.37 EUR
70+1.03 EUR
79+0.92 EUR
120+0.86 EUR
300+0.82 EUR
900+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ25N80M3 WAYON WMJ25N80M3-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.11 EUR
21+3.46 EUR
22+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ26N65SR WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 12A; Idm: 50A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ28N50C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 16A; Idm: 85A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ28N60C4 WMJ28N60C4 WAYON WMx28N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.32 EUR
21+3.45 EUR
28+2.59 EUR
31+2.33 EUR
120+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ28N60C4 WMJ28N60C4 WAYON WMx28N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.32 EUR
21+3.45 EUR
28+2.59 EUR
31+2.33 EUR
120+2.16 EUR
300+2.04 EUR
900+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ28N60F2 WMJ28N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.56 EUR
17+4.45 EUR
22+3.33 EUR
30+3 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ28N60F2 WMJ28N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.56 EUR
17+4.45 EUR
22+3.33 EUR
30+3 EUR
120+2.77 EUR
300+2.65 EUR
900+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ28N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ30N65EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 210W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ36N60C4 WMJ36N60C4 WAYON WMx36N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.44 EUR
13+5.95 EUR
17+4.46 EUR
30+4.02 EUR
120+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ36N60C4 WMJ36N60C4 WAYON WMx36N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.44 EUR
13+5.95 EUR
17+4.46 EUR
30+4.02 EUR
120+3.72 EUR
300+3.55 EUR
900+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ36N60F2 WMJ36N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.69 EUR
14+5.36 EUR
18+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ36N60F2 WMJ36N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.69 EUR
14+5.36 EUR
18+4.02 EUR
30+3.62 EUR
120+3.36 EUR
300+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ36N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ38N60FD WMJ38N60FD WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ38N65C2 WMJ38N65C2 WAYON WMx38N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ3N120D1 WAYON WMJ3N120D1-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.89 EUR
82+0.87 EUR
88+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ3N150D1 WMJ3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.59 EUR
35+2.07 EUR
46+1.56 EUR
52+1.39 EUR
120+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ3N150D1 WMJ3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 206 Stücke:
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28+2.59 EUR
35+2.07 EUR
46+1.56 EUR
52+1.39 EUR
120+1.3 EUR
300+1.23 EUR
900+1.22 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ40N50D1 WMJ40N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.95 EUR
16+4.76 EUR
20+3.58 EUR
30+3.22 EUR
120+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ40N50D1 WMJ40N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.95 EUR
16+4.76 EUR
20+3.58 EUR
30+3.22 EUR
120+2.97 EUR
300+2.83 EUR
900+2.56 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ4N150D1 WAYON WMJ4N150D1-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.89 EUR
54+1.34 EUR
57+1.27 EUR
900+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ53N60C4 WAYON WMJ53N60C4-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.77 EUR
18+4.03 EUR
19+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ53N60F2 WAYON WMJ53N60F2-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.02 EUR
16+4.6 EUR
17+4.35 EUR
900+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ53N65C4 WAYON WMJ53N65C4-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
4+17.88 EUR
11+6.51 EUR
900+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ53N65F2 WAYON WMJ53N65F2-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.57 EUR
10+7.15 EUR
11+6.51 EUR
900+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ60N60EM WMJ60N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ69N30DMH WAYON WMJ69N30DMH-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
4+17.88 EUR
10+7.15 EUR
900+4.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N60C4 WAYON WMJ80N60C4-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.96 EUR
13+5.76 EUR
14+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N60EM WAYON WMJ80N60EM-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.96 EUR
6+12.33 EUR
7+11.65 EUR
900+11.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N60F2 WAYON WMJ80N60F2-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
6+11.91 EUR
900+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N65C4 WMJ80N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.63 EUR
6+12.54 EUR
10+9.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N65C4 WMJ80N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.63 EUR
6+12.54 EUR
10+9.4 EUR
30+8.47 EUR
120+7.84 EUR
300+7.48 EUR
900+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2 WAYON WMJ80N65F2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.9 EUR
8+9.52 EUR
10+7.15 EUR
30+6.44 EUR
120+5.95 EUR
300+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2 WAYON WMJ80N65F2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.9 EUR
8+9.52 EUR
10+7.15 EUR
30+6.44 EUR
120+5.95 EUR
300+5.68 EUR
900+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80R350S WAYON WMJ80R350S-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.74 EUR
23+3.25 EUR
24+3.07 EUR
900+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ90N60C4 WAYON WMJ90N60C4-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.6 EUR
9+8.08 EUR
900+8.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ90N60F2 WAYON WMJ90N60F2-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.81 EUR
8+9.02 EUR
9+8.52 EUR
900+8.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH04N60C2 WMx04N60C2.pdf
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH04N65C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH07N65C2 WMx07N65C2.pdf
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH4N80D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH4N80D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH7N65D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 7A; Idm: 28A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMI30N60D1
WMI30N60D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
33+2.22 EUR
44+1.66 EUR
48+1.5 EUR
120+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMI30N60D1
WMI30N60D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
33+2.22 EUR
44+1.66 EUR
48+1.5 EUR
120+1.39 EUR
300+1.32 EUR
900+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ020N10HGS
Hersteller: WAYON
WMJ020N10HGS-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.75 EUR
27+2.66 EUR
29+2.52 EUR
900+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ028N10HGS
Hersteller: WAYON
WMJ028N10HGS-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.95 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
900+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ10N80D1
Hersteller: WAYON
WMJ10N80D1-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.02 EUR
80+0.9 EUR
85+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ11N150D1
WMJ11N150D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 11A; Idm: 44A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 293 Stücke:
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Anzahl Preis
9+8.21 EUR
10+7.25 EUR
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120+6.31 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ11N150D1
WMJ11N150D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 11A; Idm: 44A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
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Anzahl Preis
9+8.21 EUR
10+7.25 EUR
30+6.51 EUR
120+6.31 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ12N120D1
Hersteller: WAYON
WMJ12N120D1-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 177 Stücke:
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15+5.09 EUR
33+2.17 EUR
35+2.06 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ130N25JN WMx130N25JN.pdf
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 96A; Idm: 435A; 312W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 435A
Power dissipation: 312W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ15N80M3
Hersteller: WAYON
WMJ15N80M3-CYG THT N channel transistors
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22+3.29 EUR
23+3.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ18N50D1B
WMJ18N50D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 64 Stücke:
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Anzahl Preis
46+1.59 EUR
57+1.27 EUR
64+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ18N50D1B
WMJ18N50D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 64 Stücke:
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Anzahl Preis
46+1.59 EUR
57+1.27 EUR
64+1.12 EUR
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300+0.76 EUR
900+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ20N50D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ220N20HG3
WMJ220N20HG3
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 82A; Idm: 328A; 329W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 328A
Power dissipation: 329W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ25N50D1B
WMJ25N50D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.72 EUR
53+1.37 EUR
70+1.03 EUR
79+0.92 EUR
120+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ25N50D1B
WMJ25N50D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.72 EUR
53+1.37 EUR
70+1.03 EUR
79+0.92 EUR
120+0.86 EUR
300+0.82 EUR
900+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ25N80M3
Hersteller: WAYON
WMJ25N80M3-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 137 Stücke:
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9+8.11 EUR
21+3.46 EUR
22+3.27 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ26N65SR
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 12A; Idm: 50A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ28N50C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 16A; Idm: 85A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ28N60C4 WMx28N60C4.pdf
WMJ28N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.32 EUR
21+3.45 EUR
28+2.59 EUR
31+2.33 EUR
120+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ28N60C4 WMx28N60C4.pdf
WMJ28N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.32 EUR
21+3.45 EUR
28+2.59 EUR
31+2.33 EUR
120+2.16 EUR
300+2.04 EUR
900+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ28N60F2
WMJ28N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.56 EUR
17+4.45 EUR
22+3.33 EUR
30+3 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ28N60F2
WMJ28N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.56 EUR
17+4.45 EUR
22+3.33 EUR
30+3 EUR
120+2.77 EUR
300+2.65 EUR
900+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ28N65F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ30N65EM
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 210W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ36N60C4 WMx36N60C4.pdf
WMJ36N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.44 EUR
13+5.95 EUR
17+4.46 EUR
30+4.02 EUR
120+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ36N60C4 WMx36N60C4.pdf
WMJ36N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.44 EUR
13+5.95 EUR
17+4.46 EUR
30+4.02 EUR
120+3.72 EUR
300+3.55 EUR
900+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ36N60F2
WMJ36N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.69 EUR
14+5.36 EUR
18+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ36N60F2
WMJ36N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.69 EUR
14+5.36 EUR
18+4.02 EUR
30+3.62 EUR
120+3.36 EUR
300+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ36N65F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ38N60FD
WMJ38N60FD
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ38N65C2 WMx38N65C2.pdf
WMJ38N65C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ3N120D1
Hersteller: WAYON
WMJ3N120D1-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.89 EUR
82+0.87 EUR
88+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ3N150D1
WMJ3N150D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.59 EUR
35+2.07 EUR
46+1.56 EUR
52+1.39 EUR
120+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ3N150D1
WMJ3N150D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.59 EUR
35+2.07 EUR
46+1.56 EUR
52+1.39 EUR
120+1.3 EUR
300+1.23 EUR
900+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ40N50D1
WMJ40N50D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.95 EUR
16+4.76 EUR
20+3.58 EUR
30+3.22 EUR
120+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ40N50D1
WMJ40N50D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.95 EUR
16+4.76 EUR
20+3.58 EUR
30+3.22 EUR
120+2.97 EUR
300+2.83 EUR
900+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ4N150D1
Hersteller: WAYON
WMJ4N150D1-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.89 EUR
54+1.34 EUR
57+1.27 EUR
900+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ53N60C4
Hersteller: WAYON
WMJ53N60C4-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.77 EUR
18+4.03 EUR
19+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ53N60F2
Hersteller: WAYON
WMJ53N60F2-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.02 EUR
16+4.6 EUR
17+4.35 EUR
900+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ53N65C4
Hersteller: WAYON
WMJ53N65C4-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
4+17.88 EUR
11+6.51 EUR
900+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ53N65F2
Hersteller: WAYON
WMJ53N65F2-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.57 EUR
10+7.15 EUR
11+6.51 EUR
900+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ60N60EM
WMJ60N60EM
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ69N30DMH
Hersteller: WAYON
WMJ69N30DMH-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
4+17.88 EUR
10+7.15 EUR
900+4.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N60C4
Hersteller: WAYON
WMJ80N60C4-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.96 EUR
13+5.76 EUR
14+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N60EM
Hersteller: WAYON
WMJ80N60EM-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+26.96 EUR
6+12.33 EUR
7+11.65 EUR
900+11.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N60F2
Hersteller: WAYON
WMJ80N60F2-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
6+11.91 EUR
900+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N65C4
WMJ80N65C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.63 EUR
6+12.54 EUR
10+9.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N65C4
WMJ80N65C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.63 EUR
6+12.54 EUR
10+9.4 EUR
30+8.47 EUR
120+7.84 EUR
300+7.48 EUR
900+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2.pdf
WMJ80N65F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.9 EUR
8+9.52 EUR
10+7.15 EUR
30+6.44 EUR
120+5.95 EUR
300+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2.pdf
WMJ80N65F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.9 EUR
8+9.52 EUR
10+7.15 EUR
30+6.44 EUR
120+5.95 EUR
300+5.68 EUR
900+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80R350S
Hersteller: WAYON
WMJ80R350S-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.74 EUR
23+3.25 EUR
24+3.07 EUR
900+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ90N60C4
Hersteller: WAYON
WMJ90N60C4-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.6 EUR
9+8.08 EUR
900+8.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ90N60F2
Hersteller: WAYON
WMJ90N60F2-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.81 EUR
8+9.02 EUR
9+8.52 EUR
900+8.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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