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WM02DH08D WM02DH08D WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D298ADBDE820D6&compId=WM02DH08D.pdf?ci_sign=28e62b2ba27fa82af141b9f2530b25a3d8951001 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 750/-660mA; 200mW; ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 750/-660mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 380/520mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.4 EUR
538+0.13 EUR
1276+0.056 EUR
1429+0.05 EUR
1806+0.04 EUR
1909+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DH08D WM02DH08D WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D298ADBDE820D6&compId=WM02DH08D.pdf?ci_sign=28e62b2ba27fa82af141b9f2530b25a3d8951001 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 750/-660mA; 200mW; ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 750/-660mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 380/520mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
538+0.13 EUR
1276+0.056 EUR
1429+0.05 EUR
1806+0.04 EUR
1909+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN080C WM02DN080C WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D25A930590E0D6&compId=WM02DN080C.pdf?ci_sign=e461db1c35525e7d143d6fa7b0dbb17a4a5c4f90 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; Idm: 49A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 15.5mΩ
Gate charge: 11nC
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 49A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+0.7 EUR
256+0.28 EUR
307+0.23 EUR
323+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN080C WM02DN080C WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D25A930590E0D6&compId=WM02DN080C.pdf?ci_sign=e461db1c35525e7d143d6fa7b0dbb17a4a5c4f90 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; Idm: 49A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 15.5mΩ
Gate charge: 11nC
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 49A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
256+0.28 EUR
307+0.23 EUR
323+0.22 EUR
500+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN085C WM02DN085C WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D261063CACC0D6&compId=WM02DN085C.pdf?ci_sign=c0f47102cdb03b3a3b7dc8a690bbaef529923f25 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 56A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 10.9mΩ
Gate charge: 22.1nC
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+0.7 EUR
256+0.28 EUR
307+0.23 EUR
323+0.22 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN085C WM02DN085C WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D261063CACC0D6&compId=WM02DN085C.pdf?ci_sign=c0f47102cdb03b3a3b7dc8a690bbaef529923f25 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 56A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 10.9mΩ
Gate charge: 22.1nC
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
256+0.28 EUR
307+0.23 EUR
323+0.22 EUR
500+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN08D WM02DN08D WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D2670217B5A0D6&compId=WM02DN08D.pdf?ci_sign=053ec78552c076aca41259edf9e2959311e6f9cc Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 1.1nC
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.37 EUR
582+0.12 EUR
1374+0.052 EUR
1539+0.046 EUR
1743+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN08D WM02DN08D WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D2670217B5A0D6&compId=WM02DN08D.pdf?ci_sign=053ec78552c076aca41259edf9e2959311e6f9cc Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 1.1nC
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2589 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
582+0.12 EUR
1374+0.052 EUR
1539+0.046 EUR
1743+0.041 EUR
3000+0.037 EUR
6000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN08T WM02DN08T WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D26CECC8F400D6&compId=WM02DN08T.pdf?ci_sign=1287f74d37080f45fe7319ee7eda57d4b8b7247b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 270mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 1.1nC
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.37 EUR
544+0.13 EUR
913+0.078 EUR
1011+0.071 EUR
1147+0.062 EUR
3000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN08T WM02DN08T WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D26CECC8F400D6&compId=WM02DN08T.pdf?ci_sign=1287f74d37080f45fe7319ee7eda57d4b8b7247b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 270mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 1.1nC
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
544+0.13 EUR
913+0.078 EUR
1011+0.071 EUR
1147+0.062 EUR
3000+0.056 EUR
6000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN095C WM02DN095C WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D272BA1DA7E0D6&compId=WM02DN095C.pdf?ci_sign=534ee738da5243640365c24be5bcec4258a7f72e Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.5A; Idm: 60A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 9.4mΩ
Gate charge: 22nC
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+0.7 EUR
214+0.33 EUR
256+0.28 EUR
271+0.26 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN095C WM02DN095C WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D272BA1DA7E0D6&compId=WM02DN095C.pdf?ci_sign=534ee738da5243640365c24be5bcec4258a7f72e Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.5A; Idm: 60A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 9.4mΩ
Gate charge: 22nC
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
214+0.33 EUR
256+0.28 EUR
271+0.26 EUR
500+0.23 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN110C WM02DN110C WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D27A3C0FFDA0D6&compId=WM02DN110C.pdf?ci_sign=f17be88a9934e6fbf697851e74eed9483fa9bba2 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 11A; Idm: 70A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate charge: 23nC
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 70A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.53 EUR
236+0.3 EUR
288+0.25 EUR
325+0.22 EUR
500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN110C WM02DN110C WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D27A3C0FFDA0D6&compId=WM02DN110C.pdf?ci_sign=f17be88a9934e6fbf697851e74eed9483fa9bba2 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 11A; Idm: 70A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate charge: 23nC
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 70A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
236+0.3 EUR
288+0.25 EUR
325+0.22 EUR
500+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN48A WM02DN48A WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 30A; 1.25W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 30mΩ
Gate charge: 10nC
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 30A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.46 EUR
455+0.16 EUR
754+0.095 EUR
837+0.086 EUR
937+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN48A WM02DN48A WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 30A; 1.25W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 30mΩ
Gate charge: 10nC
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 30A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
455+0.16 EUR
754+0.095 EUR
837+0.086 EUR
937+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN50M3 WM02DN50M3 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 20A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 11nC
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.37 EUR
582+0.12 EUR
1374+0.052 EUR
1539+0.046 EUR
1743+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN50M3 WM02DN50M3 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 20A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 11nC
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
582+0.12 EUR
1374+0.052 EUR
1539+0.046 EUR
1743+0.041 EUR
3000+0.037 EUR
6000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN560Q WM02DN560Q WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D281554C09A0D6&compId=WM02DN560Q.pdf?ci_sign=dc0b0f6d6eab42ff3805c9d40ebb62cc1af281c9 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 31W
Case: DFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 5.4mΩ
Gate charge: 27.8nC
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 100A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+0.83 EUR
145+0.5 EUR
161+0.45 EUR
182+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN560Q WM02DN560Q WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D281554C09A0D6&compId=WM02DN560Q.pdf?ci_sign=dc0b0f6d6eab42ff3805c9d40ebb62cc1af281c9 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 31W
Case: DFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 5.4mΩ
Gate charge: 27.8nC
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 100A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
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Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN60M3 WM02DN60M3 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 20mΩ
Gate charge: 12nC
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.46 EUR
451+0.16 EUR
754+0.095 EUR
837+0.086 EUR
946+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN60M3 WM02DN60M3 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 20mΩ
Gate charge: 12nC
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
451+0.16 EUR
754+0.095 EUR
837+0.086 EUR
946+0.076 EUR
3000+0.068 EUR
6000+0.066 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN70A WM02DN70A WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D28768937500D6&compId=WM02DN70A.pdf?ci_sign=926a7a92c713b713f2c6d1ee145cec43841061be Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 8.8nC
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.57 EUR
350+0.2 EUR
435+0.16 EUR
463+0.15 EUR
527+0.14 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN70A WM02DN70A WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D28768937500D6&compId=WM02DN70A.pdf?ci_sign=926a7a92c713b713f2c6d1ee145cec43841061be Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 8.8nC
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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125+0.57 EUR
350+0.2 EUR
435+0.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN70M3 WM02DN70M3 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D28F2B664640D6&compId=WM02DN70M3.pdf?ci_sign=e7f5f8ac380963b9175008c918531f28436c4c8f Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 1.7W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 17mΩ
Gate charge: 9.6nC
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 2970 Stücke:
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143+0.5 EUR
400+0.18 EUR
669+0.11 EUR
741+0.097 EUR
837+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN70M3 WM02DN70M3 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D28F2B664640D6&compId=WM02DN70M3.pdf?ci_sign=e7f5f8ac380963b9175008c918531f28436c4c8f Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 1.7W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 17mΩ
Gate charge: 9.6nC
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2970 Stücke:
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143+0.5 EUR
400+0.18 EUR
669+0.11 EUR
741+0.097 EUR
837+0.086 EUR
3000+0.077 EUR
6000+0.075 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DP06D WAYON WM02DP06D-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 3002 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DP06T WAYON WM02DP06T-CYG Multi channel transistors
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168+0.43 EUR
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1254+0.057 EUR
12000+0.056 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N08FB WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1C8C19A3060D6&compId=WM02N08FB.pdf?ci_sign=45d33a641badf72ed7a52b9626db5879dfee8068 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 3A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.15W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N08G WAYON WM02N08G-CYG SMD N channel transistors
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153+0.47 EUR
2703+0.026 EUR
12000+0.025 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N08H WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1D924EFEEE0D6&compId=WM02N08H.pdf?ci_sign=cce02ca9a030bde62c82c978eff8532c02b544a8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.8A; 150mW; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N08L WAYON WM02N08L-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2500 Stücke:
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170+0.42 EUR
2500+0.029 EUR
12000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 170
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N20F WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.76nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N20G WM02N20G WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.4 EUR
544+0.13 EUR
1263+0.057 EUR
1812+0.039 EUR
2000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N20G WM02N20G WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
544+0.13 EUR
1263+0.057 EUR
1812+0.039 EUR
2000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N25M WAYON WM02N25M-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
134+0.54 EUR
3000+0.024 EUR
12000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N28M WAYON WM02N28M-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.48 EUR
1750+0.041 EUR
2051+0.034 EUR
12000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N31M WAYON WM02N31M-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
170+0.42 EUR
2526+0.028 EUR
2674+0.027 EUR
12000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 170
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N50M WAYON WM02N50M-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2963 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.48 EUR
2101+0.034 EUR
2223+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N70ME WAYON WM02N70ME-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2729 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
133+0.54 EUR
1880+0.038 EUR
1985+0.036 EUR
12000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 133
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N75M2 WAYON WM02N75M2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2854 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
149+0.48 EUR
1053+0.068 EUR
1114+0.064 EUR
12000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 149
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P06F WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D2A5A688DB60D6&compId=WM02P06F.pdf?ci_sign=ad8804d2f8ab25b99a2276db98caabfcbb5434b7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.6A; 300mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -660mA
Pulsed drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P06L WAYON WM02P06L-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
170+0.42 EUR
2200+0.033 EUR
12000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 170
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P14G WAYON WM02P14G-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
160+0.45 EUR
2370+0.03 EUR
2500+0.029 EUR
12000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P160R WM02P160R WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -64A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -16A
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±10V
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.66 EUR
313+0.23 EUR
391+0.18 EUR
414+0.17 EUR
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P160R WM02P160R WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -64A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -16A
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
313+0.23 EUR
391+0.18 EUR
414+0.17 EUR
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P18F WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -7.2A; 700mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 0.7W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P20G WAYON WM02P20G-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
147+0.49 EUR
2084+0.034 EUR
2203+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 147
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P23M WAYON WM02P23M-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2817 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.48 EUR
2817+0.026 EUR
12000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P26M WM02P26M WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; Idm: -10A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.47 EUR
404+0.18 EUR
870+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P26M WM02P26M WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; Idm: -10A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
404+0.18 EUR
870+0.082 EUR
1890+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P30M WAYON WM02P30M-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 17960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
151+0.47 EUR
2243+0.032 EUR
2370+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P40M3 WAYON WM02P40M3-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 1962 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
149+0.48 EUR
1578+0.045 EUR
1673+0.043 EUR
12000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 149
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P40ME WAYON WM02P40ME-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
134+0.53 EUR
1894+0.038 EUR
2000+0.036 EUR
12000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P41M WAYON WM02P41M-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.48 EUR
2101+0.034 EUR
2223+0.032 EUR
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WM02P56M2 WAYON WM02P56M2-CYG SMD P channel transistors
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WM02P56M3 WAYON WM02P56M3-CYG SMD P channel transistors
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WM02P60M2 WAYON WM02P60M2-CYG SMD P channel transistors
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WM03DN06D WAYON WM03DN06D-CYG Multi channel transistors
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WM03DN85A WAYON WM03DN85A-CYG Multi channel transistors
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WM02DH08D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D298ADBDE820D6&compId=WM02DH08D.pdf?ci_sign=28e62b2ba27fa82af141b9f2530b25a3d8951001
WM02DH08D
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 750/-660mA; 200mW; ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 750/-660mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 380/520mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Anzahl Preis
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538+0.13 EUR
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WM02DH08D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D298ADBDE820D6&compId=WM02DH08D.pdf?ci_sign=28e62b2ba27fa82af141b9f2530b25a3d8951001
WM02DH08D
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 750/-660mA; 200mW; ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 750/-660mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 380/520mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WM02DN080C
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; Idm: 49A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 15.5mΩ
Gate charge: 11nC
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 49A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
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103+0.7 EUR
256+0.28 EUR
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WM02DN080C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D25A930590E0D6&compId=WM02DN080C.pdf?ci_sign=e461db1c35525e7d143d6fa7b0dbb17a4a5c4f90
WM02DN080C
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; Idm: 49A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 15.5mΩ
Gate charge: 11nC
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 49A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
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256+0.28 EUR
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WM02DN085C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D261063CACC0D6&compId=WM02DN085C.pdf?ci_sign=c0f47102cdb03b3a3b7dc8a690bbaef529923f25
WM02DN085C
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 56A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 10.9mΩ
Gate charge: 22.1nC
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 500 Stücke:
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Anzahl Preis
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256+0.28 EUR
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WM02DN085C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D261063CACC0D6&compId=WM02DN085C.pdf?ci_sign=c0f47102cdb03b3a3b7dc8a690bbaef529923f25
WM02DN085C
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 56A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 10.9mΩ
Gate charge: 22.1nC
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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256+0.28 EUR
307+0.23 EUR
323+0.22 EUR
500+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
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WM02DN08D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D2670217B5A0D6&compId=WM02DN08D.pdf?ci_sign=053ec78552c076aca41259edf9e2959311e6f9cc
WM02DN08D
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 1.1nC
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2589 Stücke:
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Anzahl Preis
193+0.37 EUR
582+0.12 EUR
1374+0.052 EUR
1539+0.046 EUR
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WM02DN08D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D2670217B5A0D6&compId=WM02DN08D.pdf?ci_sign=053ec78552c076aca41259edf9e2959311e6f9cc
WM02DN08D
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 1.1nC
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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193+0.37 EUR
582+0.12 EUR
1374+0.052 EUR
1539+0.046 EUR
1743+0.041 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN08T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D26CECC8F400D6&compId=WM02DN08T.pdf?ci_sign=1287f74d37080f45fe7319ee7eda57d4b8b7247b
WM02DN08T
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 270mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 1.1nC
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
544+0.13 EUR
913+0.078 EUR
1011+0.071 EUR
1147+0.062 EUR
3000+0.056 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN08T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D26CECC8F400D6&compId=WM02DN08T.pdf?ci_sign=1287f74d37080f45fe7319ee7eda57d4b8b7247b
WM02DN08T
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 270mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 1.1nC
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
544+0.13 EUR
913+0.078 EUR
1011+0.071 EUR
1147+0.062 EUR
3000+0.056 EUR
6000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN095C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D272BA1DA7E0D6&compId=WM02DN095C.pdf?ci_sign=534ee738da5243640365c24be5bcec4258a7f72e
WM02DN095C
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.5A; Idm: 60A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 9.4mΩ
Gate charge: 22nC
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
214+0.33 EUR
256+0.28 EUR
271+0.26 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN095C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D272BA1DA7E0D6&compId=WM02DN095C.pdf?ci_sign=534ee738da5243640365c24be5bcec4258a7f72e
WM02DN095C
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.5A; Idm: 60A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 9.4mΩ
Gate charge: 22nC
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
214+0.33 EUR
256+0.28 EUR
271+0.26 EUR
500+0.23 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN110C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D27A3C0FFDA0D6&compId=WM02DN110C.pdf?ci_sign=f17be88a9934e6fbf697851e74eed9483fa9bba2
WM02DN110C
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 11A; Idm: 70A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate charge: 23nC
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 70A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
236+0.3 EUR
288+0.25 EUR
325+0.22 EUR
500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN110C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D27A3C0FFDA0D6&compId=WM02DN110C.pdf?ci_sign=f17be88a9934e6fbf697851e74eed9483fa9bba2
WM02DN110C
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 11A; Idm: 70A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate charge: 23nC
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 70A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
236+0.3 EUR
288+0.25 EUR
325+0.22 EUR
500+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN48A
WM02DN48A
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 30A; 1.25W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 30mΩ
Gate charge: 10nC
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 30A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
455+0.16 EUR
754+0.095 EUR
837+0.086 EUR
937+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN48A
WM02DN48A
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 30A; 1.25W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 30mΩ
Gate charge: 10nC
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 30A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
455+0.16 EUR
754+0.095 EUR
837+0.086 EUR
937+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN50M3
WM02DN50M3
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 20A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 11nC
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
582+0.12 EUR
1374+0.052 EUR
1539+0.046 EUR
1743+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN50M3
WM02DN50M3
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 20A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 11nC
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
582+0.12 EUR
1374+0.052 EUR
1539+0.046 EUR
1743+0.041 EUR
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Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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WM02DN560Q
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 31W
Case: DFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 5.4mΩ
Gate charge: 27.8nC
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 100A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 490 Stücke:
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Anzahl Preis
87+0.83 EUR
145+0.5 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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WM02DN560Q
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 31W
Case: DFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 5.4mΩ
Gate charge: 27.8nC
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 100A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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145+0.5 EUR
161+0.45 EUR
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3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN60M3
WM02DN60M3
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 20mΩ
Gate charge: 12nC
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
451+0.16 EUR
754+0.095 EUR
837+0.086 EUR
946+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN60M3
WM02DN60M3
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 20mΩ
Gate charge: 12nC
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2890 Stücke:
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Anzahl Preis
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451+0.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN70A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D28768937500D6&compId=WM02DN70A.pdf?ci_sign=926a7a92c713b713f2c6d1ee145cec43841061be
WM02DN70A
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 8.8nC
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
350+0.2 EUR
435+0.16 EUR
463+0.15 EUR
527+0.14 EUR
2000+0.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN70A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D28768937500D6&compId=WM02DN70A.pdf?ci_sign=926a7a92c713b713f2c6d1ee145cec43841061be
WM02DN70A
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 8.8nC
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
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Anzahl Preis
125+0.57 EUR
350+0.2 EUR
435+0.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN70M3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D28F2B664640D6&compId=WM02DN70M3.pdf?ci_sign=e7f5f8ac380963b9175008c918531f28436c4c8f
WM02DN70M3
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 1.7W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 17mΩ
Gate charge: 9.6nC
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
400+0.18 EUR
669+0.11 EUR
741+0.097 EUR
837+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DN70M3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D28F2B664640D6&compId=WM02DN70M3.pdf?ci_sign=e7f5f8ac380963b9175008c918531f28436c4c8f
WM02DN70M3
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 1.7W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 17mΩ
Gate charge: 9.6nC
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
400+0.18 EUR
669+0.11 EUR
741+0.097 EUR
837+0.086 EUR
3000+0.077 EUR
6000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DP06D
Hersteller: WAYON
WM02DP06D-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 3002 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
170+0.42 EUR
1806+0.04 EUR
1909+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 170
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02DP06T
Hersteller: WAYON
WM02DP06T-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
168+0.43 EUR
1185+0.06 EUR
1254+0.057 EUR
12000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 168
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N08FB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1C8C19A3060D6&compId=WM02N08FB.pdf?ci_sign=45d33a641badf72ed7a52b9626db5879dfee8068
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 3A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.15W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N08G
Hersteller: WAYON
WM02N08G-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2767 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
153+0.47 EUR
2703+0.026 EUR
12000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 153
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N08H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1D924EFEEE0D6&compId=WM02N08H.pdf?ci_sign=cce02ca9a030bde62c82c978eff8532c02b544a8
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.8A; 150mW; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N08L
Hersteller: WAYON
WM02N08L-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
170+0.42 EUR
2500+0.029 EUR
12000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 170
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N20F
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.76nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N20G
WM02N20G
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
544+0.13 EUR
1263+0.057 EUR
1812+0.039 EUR
2000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N20G
WM02N20G
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
544+0.13 EUR
1263+0.057 EUR
1812+0.039 EUR
2000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N25M
Hersteller: WAYON
WM02N25M-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
134+0.54 EUR
3000+0.024 EUR
12000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N28M
Hersteller: WAYON
WM02N28M-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.48 EUR
1750+0.041 EUR
2051+0.034 EUR
12000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N31M
Hersteller: WAYON
WM02N31M-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
170+0.42 EUR
2526+0.028 EUR
2674+0.027 EUR
12000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 170
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N50M
Hersteller: WAYON
WM02N50M-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2963 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
150+0.48 EUR
2101+0.034 EUR
2223+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N70ME
Hersteller: WAYON
WM02N70ME-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2729 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
133+0.54 EUR
1880+0.038 EUR
1985+0.036 EUR
12000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 133
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02N75M2
Hersteller: WAYON
WM02N75M2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2854 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
149+0.48 EUR
1053+0.068 EUR
1114+0.064 EUR
12000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 149
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P06F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D2A5A688DB60D6&compId=WM02P06F.pdf?ci_sign=ad8804d2f8ab25b99a2276db98caabfcbb5434b7
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.6A; 300mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -660mA
Pulsed drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P06L
Hersteller: WAYON
WM02P06L-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
170+0.42 EUR
2200+0.033 EUR
12000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 170
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P14G
Hersteller: WAYON
WM02P14G-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
160+0.45 EUR
2370+0.03 EUR
2500+0.029 EUR
12000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P160R
WM02P160R
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -64A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -16A
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±10V
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
313+0.23 EUR
391+0.18 EUR
414+0.17 EUR
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P160R
WM02P160R
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -64A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -16A
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
313+0.23 EUR
391+0.18 EUR
414+0.17 EUR
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P18F
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -7.2A; 700mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 0.7W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P20G
Hersteller: WAYON
WM02P20G-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
147+0.49 EUR
2084+0.034 EUR
2203+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 147
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P23M
Hersteller: WAYON
WM02P23M-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2817 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.48 EUR
2817+0.026 EUR
12000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P26M
WM02P26M
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; Idm: -10A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
404+0.18 EUR
870+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P26M
WM02P26M
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; Idm: -10A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
404+0.18 EUR
870+0.082 EUR
1890+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P30M
Hersteller: WAYON
WM02P30M-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 17960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
151+0.47 EUR
2243+0.032 EUR
2370+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P40M3
Hersteller: WAYON
WM02P40M3-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 1962 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
149+0.48 EUR
1578+0.045 EUR
1673+0.043 EUR
12000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 149
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P40ME
Hersteller: WAYON
WM02P40ME-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
134+0.53 EUR
1894+0.038 EUR
2000+0.036 EUR
12000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P41M
Hersteller: WAYON
WM02P41M-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
150+0.48 EUR
2101+0.034 EUR
2223+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P56M2
Hersteller: WAYON
WM02P56M2-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
1263+0.057 EUR
1337+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P56M3
Hersteller: WAYON
WM02P56M3-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
163+0.44 EUR
1147+0.062 EUR
1214+0.059 EUR
12000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 163
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM02P60M2
Hersteller: WAYON
WM02P60M2-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2896 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
142+0.51 EUR
997+0.072 EUR
1055+0.068 EUR
12000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 142
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM03DN06D
Hersteller: WAYON
WM03DN06D-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
156+0.46 EUR
1645+0.043 EUR
1743+0.041 EUR
12000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 156
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM03DN85A
Hersteller: WAYON
WM03DN85A-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 3390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
140+0.51 EUR
790+0.091 EUR
835+0.086 EUR
8000+0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 140
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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