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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WMB025N06HG4 WMB025N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+1.06 EUR
72+1 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB025N06HG4 WMB025N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
72+1 EUR
81+0.89 EUR
100+0.82 EUR
500+0.8 EUR
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB025N06LG4 WMB025N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+1.06 EUR
72+1 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB025N06LG4 WMB025N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
72+1 EUR
81+0.89 EUR
100+0.82 EUR
500+0.8 EUR
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB027N08HG4 WMB027N08HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 195A; Idm: 780A; 192.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 195A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 192.3W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB02DN10T1 WMB02DN10T1 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 6.94W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 6.94W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+0.7 EUR
212+0.34 EUR
253+0.28 EUR
269+0.27 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB02DN10T1 WMB02DN10T1 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 6.94W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 6.94W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
212+0.34 EUR
253+0.28 EUR
269+0.27 EUR
500+0.23 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB034N06HG4 WMB034N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+1.06 EUR
79+0.91 EUR
89+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB034N06HG4 WMB034N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
79+0.91 EUR
89+0.8 EUR
100+0.74 EUR
500+0.72 EUR
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB034N06LG4 WMB034N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB034N06LG4 WMB034N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.65 EUR
100+0.75 EUR
500+0.72 EUR
3000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB037N10HGS WMB037N10HGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 544A; 142W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 544A
Power dissipation: 142W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB03DN06T1 WAYON WMB03DN06T1-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.8 EUR
317+0.23 EUR
336+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB040N03LG2 WMB040N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 28W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.57 EUR
211+0.34 EUR
235+0.3 EUR
265+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB040N03LG2 WMB040N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 28W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
211+0.34 EUR
235+0.3 EUR
265+0.27 EUR
500+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB040N08HGS WMB040N08HGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 122.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB040N08HGS WMB040N08HGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 122.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB042DN03LG2 WMB042DN03LG2 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 45/50A; 26/27.1W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 45/50A
Power dissipation: 26/27.1W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5/4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.1 EUR
81+0.88 EUR
86+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB042DN03LG2 WMB042DN03LG2 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 45/50A; 26/27.1W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 45/50A
Power dissipation: 26/27.1W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5/4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
81+0.88 EUR
86+0.84 EUR
100+0.74 EUR
500+0.69 EUR
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB043N10HGS WMB043N10HGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB043N10HGS WMB043N10HGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
76+0.94 EUR
100+0.87 EUR
500+0.84 EUR
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB043N10LGS WMB043N10LGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
76+0.94 EUR
100+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB043N10LGS WMB043N10LGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
76+0.94 EUR
100+0.87 EUR
500+0.84 EUR
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB048NV6HG4 WAYON WMB048NV6HG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.95 EUR
86+0.83 EUR
102+0.7 EUR
12000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB048NV6LG4 WAYON WMB048NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
100+0.72 EUR
110+0.64 EUR
12000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB049N12HG2 WMB049N12HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 66A; Idm: 420A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 420A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.04 EUR
37+1.96 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB049N12HG2 WMB049N12HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 66A; Idm: 420A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 420A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.04 EUR
37+1.96 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
6000+1.4 EUR
12000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB050N03LG4 WMB050N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+0.56 EUR
242+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB050N03LG4 WMB050N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
242+0.3 EUR
500+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB060N08LG2 WAYON WMB060N08LG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
87+0.82 EUR
12000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB060N10HGS WAYON WMB060N10HGS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.21 EUR
94+0.77 EUR
97+0.74 EUR
12000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB060N10LGS WAYON WMB060N10LGS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
93+0.77 EUR
98+0.73 EUR
12000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB072N12HG2 WMB072N12HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 90A; Idm: 360A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 104W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+1.54 EUR
50+1.46 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB072N12HG2 WMB072N12HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 90A; Idm: 360A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 104W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
50+1.46 EUR
54+1.33 EUR
6000+1.04 EUR
12000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB072N12LG2-S WMB072N12LG2-S WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 90A; Idm: 360A; 118W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 118W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+1.29 EUR
59+1.23 EUR
75+0.96 EUR
76+0.94 EUR
80+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB072N12LG2-S WMB072N12LG2-S WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 90A; Idm: 360A; 118W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 118W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
59+1.23 EUR
75+0.96 EUR
76+0.94 EUR
80+0.9 EUR
12000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N03LG2 WMB080N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+0.6 EUR
252+0.28 EUR
300+0.24 EUR
407+0.18 EUR
428+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N03LG2 WMB080N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
252+0.28 EUR
300+0.24 EUR
407+0.18 EUR
428+0.17 EUR
12000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N10HG2 WMB080N10HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.1 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N10HG2 WMB080N10HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
100+0.72 EUR
500+0.61 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N10LG2 WMB080N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N10LG2 WMB080N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.4 EUR
100+0.72 EUR
500+0.43 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090DN04LG2 WAYON WMB090DN04LG2-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
244+0.29 EUR
260+0.28 EUR
12000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090DNV6LG4 WMB090DNV6LG4 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 40A; Idm: 160A; 27.8W
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 65V
Gate charge: 22.1nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 27.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+1.14 EUR
99+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090DNV6LG4 WMB090DNV6LG4 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 40A; Idm: 160A; 27.8W
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 65V
Gate charge: 22.1nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 27.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
99+0.73 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090N04LG2 WMB090N04LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 32.9W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+0.73 EUR
193+0.37 EUR
211+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090N04LG2 WMB090N04LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 32.9W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
193+0.37 EUR
211+0.34 EUR
6000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090NV6LG4 WAYON WMB090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
115+0.62 EUR
290+0.25 EUR
305+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB093N15HG4 WMB093N15HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 95A; Idm: 380A; 178.5W
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37.2nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 380A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 178.5W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB098N03LG2 WAYON WMB098N03LG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
115+0.63 EUR
443+0.16 EUR
468+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB099N10HGS WAYON WMB099N10HGS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
100+0.72 EUR
106+0.67 EUR
12000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB099N10LG2 WAYON WMB099N10LG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.19 EUR
100+0.72 EUR
12000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB099N10LGS WAYON WMB099N10LGS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
100+0.72 EUR
106+0.67 EUR
12000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100N04TS WAYON WMB100N04TS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
98+0.73 EUR
137+0.51 EUR
12000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100N07TS WMB100N07TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 100A; Idm: 400A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 125W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100P03TS WMB100P03TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 73.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100P03TS WMB100P03TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 73.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
500+0.45 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB108N03T1 WMB108N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.57 EUR
211+0.34 EUR
234+0.31 EUR
264+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB108N03T1 WMB108N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
211+0.34 EUR
234+0.31 EUR
264+0.27 EUR
500+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB115N15HG4 WAYON WMB115N15HG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
12000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB025N06HG4
WMB025N06HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
72+1 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB025N06HG4
WMB025N06HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
72+1 EUR
81+0.89 EUR
100+0.82 EUR
500+0.8 EUR
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB025N06LG4
WMB025N06LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
72+1 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB025N06LG4
WMB025N06LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
72+1 EUR
81+0.89 EUR
100+0.82 EUR
500+0.8 EUR
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB027N08HG4
WMB027N08HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 195A; Idm: 780A; 192.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 195A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 192.3W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB02DN10T1
WMB02DN10T1
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 6.94W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 6.94W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
212+0.34 EUR
253+0.28 EUR
269+0.27 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB02DN10T1
WMB02DN10T1
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 6.94W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 6.94W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
212+0.34 EUR
253+0.28 EUR
269+0.27 EUR
500+0.23 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB034N06HG4
WMB034N06HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
79+0.91 EUR
89+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB034N06HG4
WMB034N06HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
79+0.91 EUR
89+0.8 EUR
100+0.74 EUR
500+0.72 EUR
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB034N06LG4
WMB034N06LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB034N06LG4
WMB034N06LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.65 EUR
100+0.75 EUR
500+0.72 EUR
3000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB037N10HGS
WMB037N10HGS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 544A; 142W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 544A
Power dissipation: 142W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB03DN06T1
Hersteller: WAYON
WMB03DN06T1-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
317+0.23 EUR
336+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB040N03LG2
WMB040N03LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 28W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
211+0.34 EUR
235+0.3 EUR
265+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB040N03LG2
WMB040N03LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 28W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
211+0.34 EUR
235+0.3 EUR
265+0.27 EUR
500+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB040N08HGS
WMB040N08HGS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 122.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB040N08HGS
WMB040N08HGS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 122.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB042DN03LG2
WMB042DN03LG2
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 45/50A; 26/27.1W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 45/50A
Power dissipation: 26/27.1W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5/4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
81+0.88 EUR
86+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB042DN03LG2
WMB042DN03LG2
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 45/50A; 26/27.1W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 45/50A
Power dissipation: 26/27.1W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5/4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
81+0.88 EUR
86+0.84 EUR
100+0.74 EUR
500+0.69 EUR
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB043N10HGS
WMB043N10HGS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB043N10HGS
WMB043N10HGS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
76+0.94 EUR
100+0.87 EUR
500+0.84 EUR
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB043N10LGS
WMB043N10LGS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
76+0.94 EUR
100+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB043N10LGS
WMB043N10LGS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
76+0.94 EUR
100+0.87 EUR
500+0.84 EUR
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB048NV6HG4
Hersteller: WAYON
WMB048NV6HG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.95 EUR
86+0.83 EUR
102+0.7 EUR
12000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB048NV6LG4
Hersteller: WAYON
WMB048NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
100+0.72 EUR
110+0.64 EUR
12000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB049N12HG2
WMB049N12HG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 66A; Idm: 420A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 420A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
37+1.96 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB049N12HG2
WMB049N12HG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 66A; Idm: 420A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 420A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
37+1.96 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
6000+1.4 EUR
12000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB050N03LG4
WMB050N03LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
242+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB050N03LG4
WMB050N03LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
242+0.3 EUR
500+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB060N08LG2
Hersteller: WAYON
WMB060N08LG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
87+0.82 EUR
12000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB060N10HGS
Hersteller: WAYON
WMB060N10HGS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.21 EUR
94+0.77 EUR
97+0.74 EUR
12000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB060N10LGS
Hersteller: WAYON
WMB060N10LGS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB072N12HG2
WMB072N12HG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 90A; Idm: 360A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 104W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB072N12HG2
WMB072N12HG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 90A; Idm: 360A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 104W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB072N12LG2-S
WMB072N12LG2-S
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 90A; Idm: 360A; 118W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 118W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB072N12LG2-S
WMB072N12LG2-S
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 90A; Idm: 360A; 118W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 118W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: reel; tape
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N03LG2
WMB080N03LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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120+0.6 EUR
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300+0.24 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N03LG2
WMB080N03LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N10HG2
WMB080N10HG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N10HG2
WMB080N10HG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N10LG2
WMB080N10LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
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51+1.4 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N10LG2
WMB080N10LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090DN04LG2
Hersteller: WAYON
WMB090DN04LG2-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 497 Stücke:
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99+0.73 EUR
244+0.29 EUR
260+0.28 EUR
12000+0.27 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090DNV6LG4
WMB090DNV6LG4
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 40A; Idm: 160A; 27.8W
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 65V
Gate charge: 22.1nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 27.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 99 Stücke:
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Anzahl Preis
63+1.14 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090DNV6LG4
WMB090DNV6LG4
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 40A; Idm: 160A; 27.8W
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 65V
Gate charge: 22.1nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 27.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090N04LG2
WMB090N04LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 32.9W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
193+0.37 EUR
211+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090N04LG2
WMB090N04LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 32.9W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
193+0.37 EUR
211+0.34 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090NV6LG4
Hersteller: WAYON
WMB090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
115+0.62 EUR
290+0.25 EUR
305+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB093N15HG4
WMB093N15HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 95A; Idm: 380A; 178.5W
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37.2nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 380A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 178.5W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB098N03LG2
Hersteller: WAYON
WMB098N03LG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
115+0.63 EUR
443+0.16 EUR
468+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB099N10HGS
Hersteller: WAYON
WMB099N10HGS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
100+0.72 EUR
106+0.67 EUR
12000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB099N10LG2
Hersteller: WAYON
WMB099N10LG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.19 EUR
100+0.72 EUR
12000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB099N10LGS
Hersteller: WAYON
WMB099N10LGS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
100+0.72 EUR
106+0.67 EUR
12000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100N04TS
Hersteller: WAYON
WMB100N04TS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
98+0.73 EUR
137+0.51 EUR
12000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100N07TS
WMB100N07TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 100A; Idm: 400A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 125W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100P03TS
WMB100P03TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 73.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100P03TS
WMB100P03TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 73.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
500+0.45 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB108N03T1
WMB108N03T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
211+0.34 EUR
234+0.31 EUR
264+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB108N03T1
WMB108N03T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
211+0.34 EUR
234+0.31 EUR
264+0.27 EUR
500+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB115N15HG4
Hersteller: WAYON
WMB115N15HG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
12000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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