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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WMJ36N60C4 WMJ36N60C4 WAYON WMx36N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.56 EUR
12+6.05 EUR
16+4.53 EUR
30+4.09 EUR
120+3.79 EUR
300+3.6 EUR
900+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ36N60F2 WMJ36N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.81 EUR
14+5.45 EUR
18+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ36N60F2 WMJ36N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.81 EUR
14+5.45 EUR
18+4.09 EUR
30+3.68 EUR
120+3.42 EUR
300+3.25 EUR
900+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ36N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ38N65C2 WMJ38N65C2 WAYON WMx38N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ3N120D1 WAYON WMJ3N120D1-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.92 EUR
84+0.86 EUR
88+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ3N150D1 WMJ3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.59 EUR
35+2.07 EUR
46+1.56 EUR
52+1.39 EUR
120+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ3N150D1 WMJ3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.59 EUR
35+2.07 EUR
46+1.56 EUR
52+1.39 EUR
120+1.3 EUR
300+1.23 EUR
900+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ40N50D1 WMJ40N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.88 EUR
16+4.7 EUR
21+3.53 EUR
30+3.17 EUR
120+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ40N50D1 WMJ40N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.88 EUR
16+4.7 EUR
21+3.53 EUR
30+3.17 EUR
120+2.95 EUR
300+2.8 EUR
900+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ4N150D1 WAYON WMJ4N150D1-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.93 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ53N60C4 WAYON WMJ53N60C4-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.92 EUR
18+4.03 EUR
19+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ53N60F2 WAYON WMJ53N60F2-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.11 EUR
16+4.58 EUR
17+4.33 EUR
900+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ53N65C4 WAYON WMJ53N65C4-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
4+17.88 EUR
11+6.51 EUR
900+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ53N65F2 WAYON WMJ53N65F2-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.74 EUR
10+7.15 EUR
11+6.51 EUR
900+4.6 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ60N60EM WMJ60N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4 WAYON WMJ80N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.5 EUR
8+10.02 EUR
10+7.52 EUR
30+6.76 EUR
120+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4 WAYON WMJ80N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.5 EUR
8+10.02 EUR
10+7.52 EUR
30+6.76 EUR
120+6.26 EUR
300+5.98 EUR
900+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N60EM WMJ80N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+24.15 EUR
4+19.45 EUR
10+14.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N60EM WMJ80N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.15 EUR
4+19.45 EUR
10+14.43 EUR
30+13.04 EUR
120+12.07 EUR
300+11.54 EUR
900+11.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N60F2 WMJ80N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+17.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N60F2 WMJ80N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
10+9.95 EUR
30+8.97 EUR
120+8.31 EUR
300+7.92 EUR
900+7.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N65C4 WMJ80N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.63 EUR
6+12.54 EUR
10+9.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N65C4 WMJ80N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.63 EUR
6+12.54 EUR
10+9.4 EUR
30+8.47 EUR
120+7.84 EUR
300+7.48 EUR
900+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2 WAYON WMJ80N65F2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.9 EUR
8+9.52 EUR
10+7.15 EUR
30+6.44 EUR
120+5.95 EUR
300+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2 WAYON WMJ80N65F2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.9 EUR
8+9.52 EUR
10+7.15 EUR
30+6.44 EUR
120+5.95 EUR
300+5.68 EUR
900+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80R350S WAYON WMJ80R350S-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.98 EUR
23+3.25 EUR
24+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ90N60C4 WAYON WMJ90N60C4-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.9 EUR
9+8.04 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ90N60F2 WAYON WMJ90N60F2-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.12 EUR
8+8.98 EUR
9+8.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ90N65C4 WMJ90N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+20.41 EUR
5+16.3 EUR
10+12.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ90N65C4 WMJ90N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.41 EUR
5+16.3 EUR
10+12.21 EUR
30+11.01 EUR
120+10.18 EUR
300+9.72 EUR
900+8.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ90N65F2 WMJ90N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.49 EUR
5+17.17 EUR
10+12.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ90N65F2 WMJ90N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.49 EUR
5+17.17 EUR
10+12.86 EUR
30+11.55 EUR
120+10.71 EUR
300+10.22 EUR
900+9.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ90N65SR WMJ90N65SR WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ SR
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.25 EUR
10+7.88 EUR
30+7.08 EUR
120+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ90N65SR WMJ90N65SR WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ SR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.25 EUR
10+7.88 EUR
30+7.08 EUR
120+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ99N60C4 WMJ99N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+22.27 EUR
5+17.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ99N60C4 WMJ99N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+22.27 EUR
5+17.8 EUR
10+13.36 EUR
30+12.08 EUR
120+11.13 EUR
300+10.6 EUR
900+10.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ99N60F2 WMJ99N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+24.6 EUR
4+19.71 EUR
10+14.73 EUR
30+13.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ99N60F2 WMJ99N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.6 EUR
4+19.71 EUR
10+14.73 EUR
30+13.24 EUR
120+12.3 EUR
300+11.77 EUR
900+11.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ9N150D1 WAYON WMJ9N150D1-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.37 EUR
13+5.56 EUR
14+5.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJP32N50D1 WMJP32N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.69 EUR
16+4.55 EUR
22+3.4 EUR
25+3.06 EUR
125+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJP32N50D1 WMJP32N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.69 EUR
16+4.55 EUR
22+3.4 EUR
25+3.06 EUR
125+2.85 EUR
300+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK023N08HGS WAYON WMK023N08HGS-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.87 EUR
56+1.29 EUR
59+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK028N10HGS WAYON WMK028N10HGS-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.84 EUR
56+1.29 EUR
59+1.23 EUR
2000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK030N06HG4 WMK030N06HG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 736A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 736A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1 EUR
78+0.93 EUR
87+0.82 EUR
250+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK030N06HG4 WMK030N06HG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 736A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 736A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
78+0.93 EUR
87+0.82 EUR
250+0.74 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK036N12HGS WAYON WMK036N12HGS-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.8 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK043N10HGS WAYON WMK043N10HGS-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.17 EUR
88+0.81 EUR
93+0.77 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK048NV6HG4 WAYON WMK048NV6HG4-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
31+2.3 EUR
84+0.86 EUR
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK053N09HGS WAYON WMK053N09HGS-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1.01 EUR
95+0.76 EUR
102+0.7 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK053N10HGS WAYON WMK053N10HGS-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.08 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK053NV8HGS WAYON WMK053NV8HGS-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
129+0.56 EUR
136+0.53 EUR
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK05N80M3 WMK05N80M3 WAYON WMx05N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 4A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK05N80M3 WMK05N80M3 WAYON WMx05N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 4A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.89 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
250+0.64 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK060N08HG2 WAYON WMK060N08HG2-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+3.98 EUR
25+2.86 EUR
68+1.06 EUR
2000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK060N10LGS WAYON WMK060N10LGS-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
22+3.25 EUR
58+1.23 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK06N80M3 WMK06N80M3 WAYON WMx06N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+1.16 EUR
75+0.96 EUR
93+0.77 EUR
123+0.58 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK06N80M3 WMK06N80M3 WAYON WMx06N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
75+0.96 EUR
93+0.77 EUR
123+0.58 EUR
138+0.52 EUR
250+0.49 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK071N15HG2 WAYON WMK071N15HG2-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.69 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
2000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK072N12HG2 WAYON WMK072N12HG2-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
14+5.11 EUR
39+1.83 EUR
2000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ36N60C4 WMx36N60C4.pdf
WMJ36N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.56 EUR
12+6.05 EUR
16+4.53 EUR
30+4.09 EUR
120+3.79 EUR
300+3.6 EUR
900+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ36N60F2
WMJ36N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.81 EUR
14+5.45 EUR
18+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ36N60F2
WMJ36N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.81 EUR
14+5.45 EUR
18+4.09 EUR
30+3.68 EUR
120+3.42 EUR
300+3.25 EUR
900+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ36N65F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ38N65C2 WMx38N65C2.pdf
WMJ38N65C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ3N120D1
Hersteller: WAYON
WMJ3N120D1-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.92 EUR
84+0.86 EUR
88+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ3N150D1
WMJ3N150D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.59 EUR
35+2.07 EUR
46+1.56 EUR
52+1.39 EUR
120+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ3N150D1
WMJ3N150D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.59 EUR
35+2.07 EUR
46+1.56 EUR
52+1.39 EUR
120+1.3 EUR
300+1.23 EUR
900+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ40N50D1
WMJ40N50D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.88 EUR
16+4.7 EUR
21+3.53 EUR
30+3.17 EUR
120+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ40N50D1
WMJ40N50D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.88 EUR
16+4.7 EUR
21+3.53 EUR
30+3.17 EUR
120+2.95 EUR
300+2.8 EUR
900+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ4N150D1
Hersteller: WAYON
WMJ4N150D1-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.93 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ53N60C4
Hersteller: WAYON
WMJ53N60C4-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.92 EUR
18+4.03 EUR
19+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ53N60F2
Hersteller: WAYON
WMJ53N60F2-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.11 EUR
16+4.58 EUR
17+4.33 EUR
900+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ53N65C4
Hersteller: WAYON
WMJ53N65C4-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
4+17.88 EUR
11+6.51 EUR
900+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ53N65F2
Hersteller: WAYON
WMJ53N65F2-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.74 EUR
10+7.15 EUR
11+6.51 EUR
900+4.6 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ60N60EM
WMJ60N60EM
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4.pdf
WMJ80N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.5 EUR
8+10.02 EUR
10+7.52 EUR
30+6.76 EUR
120+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4.pdf
WMJ80N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.5 EUR
8+10.02 EUR
10+7.52 EUR
30+6.76 EUR
120+6.26 EUR
300+5.98 EUR
900+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N60EM
WMJ80N60EM
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.15 EUR
4+19.45 EUR
10+14.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N60EM
WMJ80N60EM
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.15 EUR
4+19.45 EUR
10+14.43 EUR
30+13.04 EUR
120+12.07 EUR
300+11.54 EUR
900+11.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N60F2
WMJ80N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N60F2
WMJ80N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
10+9.95 EUR
30+8.97 EUR
120+8.31 EUR
300+7.92 EUR
900+7.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N65C4
WMJ80N65C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.63 EUR
6+12.54 EUR
10+9.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N65C4
WMJ80N65C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.63 EUR
6+12.54 EUR
10+9.4 EUR
30+8.47 EUR
120+7.84 EUR
300+7.48 EUR
900+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2.pdf
WMJ80N65F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.9 EUR
8+9.52 EUR
10+7.15 EUR
30+6.44 EUR
120+5.95 EUR
300+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2.pdf
WMJ80N65F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.9 EUR
8+9.52 EUR
10+7.15 EUR
30+6.44 EUR
120+5.95 EUR
300+5.68 EUR
900+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ80R350S
Hersteller: WAYON
WMJ80R350S-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.98 EUR
23+3.25 EUR
24+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ90N60C4
Hersteller: WAYON
WMJ90N60C4-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.9 EUR
9+8.04 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ90N60F2
Hersteller: WAYON
WMJ90N60F2-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.12 EUR
8+8.98 EUR
9+8.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ90N65C4
WMJ90N65C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.41 EUR
5+16.3 EUR
10+12.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ90N65C4
WMJ90N65C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.41 EUR
5+16.3 EUR
10+12.21 EUR
30+11.01 EUR
120+10.18 EUR
300+9.72 EUR
900+8.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ90N65F2
WMJ90N65F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.49 EUR
5+17.17 EUR
10+12.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ90N65F2
WMJ90N65F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.49 EUR
5+17.17 EUR
10+12.86 EUR
30+11.55 EUR
120+10.71 EUR
300+10.22 EUR
900+9.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ90N65SR
WMJ90N65SR
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ SR
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.25 EUR
10+7.88 EUR
30+7.08 EUR
120+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ90N65SR
WMJ90N65SR
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ SR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.25 EUR
10+7.88 EUR
30+7.08 EUR
120+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ99N60C4
WMJ99N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+22.27 EUR
5+17.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ99N60C4
WMJ99N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+22.27 EUR
5+17.8 EUR
10+13.36 EUR
30+12.08 EUR
120+11.13 EUR
300+10.6 EUR
900+10.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ99N60F2
WMJ99N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.6 EUR
4+19.71 EUR
10+14.73 EUR
30+13.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ99N60F2
WMJ99N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.6 EUR
4+19.71 EUR
10+14.73 EUR
30+13.24 EUR
120+12.3 EUR
300+11.77 EUR
900+11.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ9N150D1
Hersteller: WAYON
WMJ9N150D1-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.37 EUR
13+5.56 EUR
14+5.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJP32N50D1
WMJP32N50D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.69 EUR
16+4.55 EUR
22+3.4 EUR
25+3.06 EUR
125+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJP32N50D1
WMJP32N50D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.69 EUR
16+4.55 EUR
22+3.4 EUR
25+3.06 EUR
125+2.85 EUR
300+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK023N08HGS
Hersteller: WAYON
WMK023N08HGS-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.87 EUR
56+1.29 EUR
59+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK028N10HGS
Hersteller: WAYON
WMK028N10HGS-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.84 EUR
56+1.29 EUR
59+1.23 EUR
2000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK030N06HG4
WMK030N06HG4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 736A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 736A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
78+0.93 EUR
87+0.82 EUR
250+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK030N06HG4
WMK030N06HG4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 736A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 736A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
78+0.93 EUR
87+0.82 EUR
250+0.74 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK036N12HGS
Hersteller: WAYON
WMK036N12HGS-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.8 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK043N10HGS
Hersteller: WAYON
WMK043N10HGS-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.17 EUR
88+0.81 EUR
93+0.77 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK048NV6HG4
Hersteller: WAYON
WMK048NV6HG4-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
31+2.3 EUR
84+0.86 EUR
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK053N09HGS
Hersteller: WAYON
WMK053N09HGS-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1.01 EUR
95+0.76 EUR
102+0.7 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK053N10HGS
Hersteller: WAYON
WMK053N10HGS-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.08 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK053NV8HGS
Hersteller: WAYON
WMK053NV8HGS-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
129+0.56 EUR
136+0.53 EUR
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK05N80M3 WMx05N80M3.pdf
WMK05N80M3
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 4A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK05N80M3 WMx05N80M3.pdf
WMK05N80M3
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 4A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.89 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
250+0.64 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK060N08HG2
Hersteller: WAYON
WMK060N08HG2-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+3.98 EUR
25+2.86 EUR
68+1.06 EUR
2000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK060N10LGS
Hersteller: WAYON
WMK060N10LGS-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
22+3.25 EUR
58+1.23 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK06N80M3 WMx06N80M3.pdf
WMK06N80M3
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
75+0.96 EUR
93+0.77 EUR
123+0.58 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK06N80M3 WMx06N80M3.pdf
WMK06N80M3
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
75+0.96 EUR
93+0.77 EUR
123+0.58 EUR
138+0.52 EUR
250+0.49 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK071N15HG2
Hersteller: WAYON
WMK071N15HG2-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.69 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
2000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK072N12HG2
Hersteller: WAYON
WMK072N12HG2-CYG THT N channel transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
14+5.11 EUR
39+1.83 EUR
2000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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