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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WMB080N10HG2 WMB080N10HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
94+0.77 EUR
98+0.73 EUR
100+0.72 EUR
500+0.59 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N10LG2 WMB080N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N10LG2 WMB080N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.4 EUR
100+0.72 EUR
500+0.42 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090DN04LG2 WAYON WMB090DN04LG2-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
244+0.29 EUR
260+0.28 EUR
12000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090DNV6LG4 WAYON WMB090DNV6LG4-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
99+0.73 EUR
12000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090N04LG2 WMB090N04LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 32.9W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+0.69 EUR
205+0.35 EUR
211+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090N04LG2 WMB090N04LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 32.9W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
205+0.35 EUR
211+0.34 EUR
500+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090NV6LG4 WAYON WMB090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
115+0.62 EUR
290+0.25 EUR
305+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB098N03LG2 WAYON WMB098N03LG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
115+0.63 EUR
443+0.16 EUR
468+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB099N10HGS WAYON WMB099N10HGS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
100+0.72 EUR
106+0.67 EUR
12000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB099N10LG2 WAYON WMB099N10LG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.19 EUR
100+0.72 EUR
12000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB099N10LGS WAYON WMB099N10LGS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
100+0.72 EUR
106+0.67 EUR
12000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100N04TS WAYON WMB100N04TS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
98+0.73 EUR
137+0.51 EUR
12000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100N07TS WMB100N07TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 100A; Idm: 400A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 125W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100P03TS WMB100P03TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 73.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100P03TS WMB100P03TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 73.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
500+0.45 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB108N03T1 WMB108N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.57 EUR
211+0.34 EUR
236+0.3 EUR
266+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB108N03T1 WMB108N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
211+0.34 EUR
236+0.3 EUR
266+0.27 EUR
500+0.25 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB115N15HG4 WAYON WMB115N15HG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
12000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB119N10LG2 WMB119N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 148A
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+0.86 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB119N10LG2 WMB119N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 148A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
100+0.72 EUR
500+0.41 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB119N12HG4 WMB119N12HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 96.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 260A
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.07 EUR
97+0.74 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB119N12HG4 WMB119N12HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 96.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 260A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
97+0.74 EUR
100+0.72 EUR
500+0.57 EUR
3000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB119N12LG4 WMB119N12LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 11.9mΩ
Power dissipation: 96.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 260A
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.07 EUR
97+0.74 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB119N12LG4 WMB119N12LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 11.9mΩ
Power dissipation: 96.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 260A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
97+0.74 EUR
100+0.72 EUR
500+0.57 EUR
3000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB128N10T2 WAYON WMB128N10T2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
12000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB129N10T2 WMB129N10T2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 129A; Idm: 402A; 127.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 129A
Pulsed drain current: 402A
Power dissipation: 127.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
78+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB129N10T2 WMB129N10T2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 129A; Idm: 402A; 127.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 129A
Pulsed drain current: 402A
Power dissipation: 127.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
78+0.92 EUR
100+0.86 EUR
500+0.83 EUR
3000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB13N65EM WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 11A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 31W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB140DNV6LG4 WMB140DNV6LG4 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 32A; Idm: 128A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+0.83 EUR
145+0.49 EUR
162+0.44 EUR
183+0.39 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB140DNV6LG4 WMB140DNV6LG4 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 32A; Idm: 128A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
145+0.49 EUR
162+0.44 EUR
183+0.39 EUR
500+0.36 EUR
3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB140NV6LG4 WMB140NV6LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 34A; Idm: 136A; 27W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 27W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+0.69 EUR
204+0.35 EUR
249+0.29 EUR
280+0.26 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB140NV6LG4 WMB140NV6LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 34A; Idm: 136A; 27W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 27W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
204+0.35 EUR
249+0.29 EUR
280+0.26 EUR
500+0.24 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB14N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Case: PDFN5060-8
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB150N03TS WMB150N03TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; Idm: 600A; 96W
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 96W
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 600A
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB150N03TS WMB150N03TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; Idm: 600A; 96W
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 96W
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 600A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.89 EUR
100+0.72 EUR
500+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB175DN10LG4 WAYON WMB175DN10LG4-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.21 EUR
95+0.76 EUR
12000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB175N10HG4 WAYON WMB175N10HG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.08 EUR
240+0.3 EUR
253+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB175N10LG4 WAYON WMB175N10LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
226+0.32 EUR
239+0.3 EUR
12000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB240P10HG4 WMB240P10HG4 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -33A; Idm: -212A; 147W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -33A
Pulsed drain current: -212A
Power dissipation: 147W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+1.2 EUR
62+1.16 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB240P10HG4 WMB240P10HG4 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -33A; Idm: -212A; 147W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -33A
Pulsed drain current: -212A
Power dissipation: 147W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
62+1.16 EUR
71+1.02 EUR
100+0.96 EUR
500+0.9 EUR
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB26DN06TS WAYON WMB26DN06TS-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
249+0.29 EUR
265+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB26N06TS WAYON WMB26N06TS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
115+0.63 EUR
447+0.16 EUR
472+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB31430DN WMB31430DN WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/130A; 24/37.8W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56/130A
Power dissipation: 24/37.8W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5/1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31.1/90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
65+1.1 EUR
100+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB31430DN WMB31430DN WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/130A; 24/37.8W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56/130A
Power dissipation: 24/37.8W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5/1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31.1/90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
65+1.1 EUR
100+1.03 EUR
500+1 EUR
3000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB340N20HG2 WMB340N20HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 40A; Idm: 160A; 108.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 108.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.23 EUR
35+2.1 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB340N20HG2 WMB340N20HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 40A; Idm: 160A; 108.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 108.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
35+2.1 EUR
39+1.86 EUR
100+1.73 EUR
500+1.67 EUR
3000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB35P04T1 WAYON WMB35P04T1-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
300+0.24 EUR
317+0.23 EUR
12000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB35P06TS WAYON WMB35P06TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
89+0.8 EUR
134+0.53 EUR
12000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB40N04TS WMB40N04TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 33W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.53 EUR
283+0.25 EUR
338+0.21 EUR
358+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB40N04TS WMB40N04TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 33W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
283+0.25 EUR
338+0.21 EUR
358+0.2 EUR
500+0.18 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB40N20JN WAYON WMx40N20JN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 21A; Idm: 110A; 89W; 141ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 89W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 141ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB46N03T1 WMB46N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 37A; Idm: 180A; 41.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 41.7W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.53 EUR
283+0.25 EUR
338+0.21 EUR
358+0.2 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB46N03T1 WMB46N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 37A; Idm: 180A; 41.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 41.7W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
283+0.25 EUR
338+0.21 EUR
358+0.2 EUR
500+0.18 EUR
3000+0.16 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB50N20JN WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091EB7C55EB1C40DF&compId=WMx50N20JN.pdf?ci_sign=877202bcb6657740029e20258de8a4a07cdd67a9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; Idm: 120A; 90W; 138ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 90W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 138ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB50N25JN WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091EC0E6872BD60DF&compId=WMx50N25JN.pdf?ci_sign=97686a73fddd6aff5a9aecd5149af61eeae68624 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 16A; Idm: 90A; 89W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 89W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 182ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB50P03TS WMB50P03TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A; 39W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 39W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.57 EUR
216+0.33 EUR
262+0.27 EUR
296+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB50P03TS WMB50P03TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A; 39W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 39W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
216+0.33 EUR
262+0.27 EUR
296+0.24 EUR
500+0.22 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB50P04TS WMB50P04TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -200A; 55W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 55W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.66 EUR
183+0.39 EUR
202+0.35 EUR
230+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB50P04TS WMB50P04TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -200A; 55W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 55W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
183+0.39 EUR
202+0.35 EUR
230+0.31 EUR
500+0.29 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N10HG2
WMB080N10HG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
94+0.77 EUR
98+0.73 EUR
100+0.72 EUR
500+0.59 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N10LG2
WMB080N10LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB080N10LG2
WMB080N10LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.4 EUR
100+0.72 EUR
500+0.42 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090DN04LG2
Hersteller: WAYON
WMB090DN04LG2-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
244+0.29 EUR
260+0.28 EUR
12000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090DNV6LG4
Hersteller: WAYON
WMB090DNV6LG4-CYG Multi channel transistors
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60+1.2 EUR
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12000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090N04LG2
WMB090N04LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 32.9W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 211 Stücke:
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105+0.69 EUR
205+0.35 EUR
211+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090N04LG2
WMB090N04LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 32.9W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
205+0.35 EUR
211+0.34 EUR
500+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB090NV6LG4
Hersteller: WAYON
WMB090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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115+0.62 EUR
290+0.25 EUR
305+0.23 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB098N03LG2
Hersteller: WAYON
WMB098N03LG2-CYG SMD N channel transistors
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443+0.16 EUR
468+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB099N10HGS
Hersteller: WAYON
WMB099N10HGS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
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Anzahl Preis
75+0.96 EUR
100+0.72 EUR
106+0.67 EUR
12000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB099N10LG2
Hersteller: WAYON
WMB099N10LG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
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61+1.19 EUR
100+0.72 EUR
12000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB099N10LGS
Hersteller: WAYON
WMB099N10LGS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
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75+0.96 EUR
100+0.72 EUR
106+0.67 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100N04TS
Hersteller: WAYON
WMB100N04TS-CYG SMD N channel transistors
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85+0.84 EUR
98+0.73 EUR
137+0.51 EUR
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Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100N07TS
WMB100N07TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 100A; Idm: 400A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 125W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100P03TS
WMB100P03TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 73.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5 Stücke:
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Anzahl Preis
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB100P03TS
WMB100P03TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 73.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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5+14.3 EUR
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500+0.45 EUR
3000+0.42 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB108N03T1
WMB108N03T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
211+0.34 EUR
236+0.3 EUR
266+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB108N03T1
WMB108N03T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
211+0.34 EUR
236+0.3 EUR
266+0.27 EUR
500+0.25 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB115N15HG4
Hersteller: WAYON
WMB115N15HG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
12000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB119N10LG2
WMB119N10LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 148A
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB119N10LG2
WMB119N10LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 148A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
100+0.72 EUR
500+0.41 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB119N12HG4
WMB119N12HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 96.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 260A
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
97+0.74 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB119N12HG4
WMB119N12HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 96.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 260A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
97+0.74 EUR
100+0.72 EUR
500+0.57 EUR
3000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB119N12LG4
WMB119N12LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 11.9mΩ
Power dissipation: 96.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 260A
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
97+0.74 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB119N12LG4
WMB119N12LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 11.9mΩ
Power dissipation: 96.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 260A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
97+0.74 EUR
100+0.72 EUR
500+0.57 EUR
3000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB128N10T2
Hersteller: WAYON
WMB128N10T2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
12000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB129N10T2
WMB129N10T2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 129A; Idm: 402A; 127.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 129A
Pulsed drain current: 402A
Power dissipation: 127.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
78+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB129N10T2
WMB129N10T2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 129A; Idm: 402A; 127.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 129A
Pulsed drain current: 402A
Power dissipation: 127.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
78+0.92 EUR
100+0.86 EUR
500+0.83 EUR
3000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB13N65EM
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 11A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 31W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB140DNV6LG4
WMB140DNV6LG4
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 32A; Idm: 128A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
145+0.49 EUR
162+0.44 EUR
183+0.39 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB140DNV6LG4
WMB140DNV6LG4
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 32A; Idm: 128A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
145+0.49 EUR
162+0.44 EUR
183+0.39 EUR
500+0.36 EUR
3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB140NV6LG4
WMB140NV6LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 34A; Idm: 136A; 27W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 27W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
204+0.35 EUR
249+0.29 EUR
280+0.26 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB140NV6LG4
WMB140NV6LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 34A; Idm: 136A; 27W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 27W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
204+0.35 EUR
249+0.29 EUR
280+0.26 EUR
500+0.24 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB14N60C4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Case: PDFN5060-8
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB150N03TS
WMB150N03TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; Idm: 600A; 96W
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 96W
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 600A
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB150N03TS
WMB150N03TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; Idm: 600A; 96W
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 96W
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 600A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.89 EUR
100+0.72 EUR
500+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB175DN10LG4
Hersteller: WAYON
WMB175DN10LG4-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.21 EUR
95+0.76 EUR
12000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB175N10HG4
Hersteller: WAYON
WMB175N10HG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.08 EUR
240+0.3 EUR
253+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB175N10LG4
Hersteller: WAYON
WMB175N10LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
226+0.32 EUR
239+0.3 EUR
12000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB240P10HG4
WMB240P10HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -33A; Idm: -212A; 147W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -33A
Pulsed drain current: -212A
Power dissipation: 147W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
62+1.16 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB240P10HG4
WMB240P10HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -33A; Idm: -212A; 147W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -33A
Pulsed drain current: -212A
Power dissipation: 147W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
62+1.16 EUR
71+1.02 EUR
100+0.96 EUR
500+0.9 EUR
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB26DN06TS
Hersteller: WAYON
WMB26DN06TS-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
249+0.29 EUR
265+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB26N06TS
Hersteller: WAYON
WMB26N06TS-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
115+0.63 EUR
447+0.16 EUR
472+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB31430DN
WMB31430DN
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/130A; 24/37.8W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56/130A
Power dissipation: 24/37.8W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5/1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31.1/90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
65+1.1 EUR
100+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB31430DN
WMB31430DN
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/130A; 24/37.8W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56/130A
Power dissipation: 24/37.8W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5/1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31.1/90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
65+1.1 EUR
100+1.03 EUR
500+1 EUR
3000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB340N20HG2
WMB340N20HG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 40A; Idm: 160A; 108.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 108.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
35+2.1 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB340N20HG2
WMB340N20HG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 40A; Idm: 160A; 108.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 108.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
35+2.1 EUR
39+1.86 EUR
100+1.73 EUR
500+1.67 EUR
3000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB35P04T1
Hersteller: WAYON
WMB35P04T1-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
300+0.24 EUR
317+0.23 EUR
12000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB35P06TS
Hersteller: WAYON
WMB35P06TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
89+0.8 EUR
134+0.53 EUR
12000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB40N04TS
WMB40N04TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 33W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
283+0.25 EUR
338+0.21 EUR
358+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB40N04TS
WMB40N04TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 33W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
283+0.25 EUR
338+0.21 EUR
358+0.2 EUR
500+0.18 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB40N20JN WMx40N20JN.pdf
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 21A; Idm: 110A; 89W; 141ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 89W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 141ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB46N03T1
WMB46N03T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 37A; Idm: 180A; 41.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 41.7W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
283+0.25 EUR
338+0.21 EUR
358+0.2 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB46N03T1
WMB46N03T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 37A; Idm: 180A; 41.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 41.7W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
283+0.25 EUR
338+0.21 EUR
358+0.2 EUR
500+0.18 EUR
3000+0.16 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB50N20JN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091EB7C55EB1C40DF&compId=WMx50N20JN.pdf?ci_sign=877202bcb6657740029e20258de8a4a07cdd67a9
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; Idm: 120A; 90W; 138ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 90W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 138ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB50N25JN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091EC0E6872BD60DF&compId=WMx50N25JN.pdf?ci_sign=97686a73fddd6aff5a9aecd5149af61eeae68624
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 16A; Idm: 90A; 89W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 89W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 182ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB50P03TS
WMB50P03TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A; 39W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 39W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
216+0.33 EUR
262+0.27 EUR
296+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB50P03TS
WMB50P03TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A; 39W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 39W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
216+0.33 EUR
262+0.27 EUR
296+0.24 EUR
500+0.22 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB50P04TS
WMB50P04TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -200A; 55W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 55W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
183+0.39 EUR
202+0.35 EUR
230+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB50P04TS
WMB50P04TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -200A; 55W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 55W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
183+0.39 EUR
202+0.35 EUR
230+0.31 EUR
500+0.29 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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