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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WM10P20M2 WAYON WM10P20M2-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2862 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
108+0.67 EUR
610+0.12 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM12N35M2 WAYON WM12N35M2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.68 EUR
747+0.096 EUR
794+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM15P10M2 WAYON WM15P10M2-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
94+0.76 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM4C62160A WM4C62160A WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1AC2B0065E0D6&compId=WM4C62160A.pdf?ci_sign=a6e86181c162d575bdc8742796f9affdba3a8f43 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: CSP1515-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 19.5mΩ
Gate charge: 13nC
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.53 EUR
268+0.27 EUR
325+0.22 EUR
368+0.19 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM4C62160A WM4C62160A WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1AC2B0065E0D6&compId=WM4C62160A.pdf?ci_sign=a6e86181c162d575bdc8742796f9affdba3a8f43 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: CSP1515-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 19.5mΩ
Gate charge: 13nC
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
268+0.27 EUR
325+0.22 EUR
368+0.19 EUR
500+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM6C61042A
+1
 		WM6C61042A WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1B1CFB953E0D6&compId=WM6C61042A.pdf?ci_sign=d9963b69f81c92ed09d30bc27410da0e3036c47d Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 8A; 450mW; CSP6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8A
Power dissipation: 0.45W
Case: CSP6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
Gate charge: 34nC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+0.56 EUR
218+0.33 EUR
242+0.3 EUR
274+0.26 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM6C61042A
+1
 		WM6C61042A WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1B1CFB953E0D6&compId=WM6C61042A.pdf?ci_sign=d9963b69f81c92ed09d30bc27410da0e3036c47d Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 8A; 450mW; CSP6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8A
Power dissipation: 0.45W
Case: CSP6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
Gate charge: 34nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
218+0.33 EUR
242+0.3 EUR
274+0.26 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMAA2N100D1 WMAA2N100D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 60W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMAA4N65D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMAA4N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMAA4N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMAA6N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB007N03LG4 WAYON WMB007N03LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
12000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB009N03LG4 WMB009N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+1.16 EUR
66+1.09 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB009N03LG4 WMB009N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
66+1.09 EUR
68+1.06 EUR
6000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB010N04LG4 WMB010N04LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 114W
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
Case: PDFN5060-8
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.12 EUR
69+1.05 EUR
88+0.82 EUR
93+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB010N04LG4 WMB010N04LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 114W
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
Case: PDFN5060-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
69+1.05 EUR
88+0.82 EUR
93+0.78 EUR
6000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB014N04LG4 WAYON WMB014N04LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
64+1.12 EUR
12000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB014N06HG4 WMB014N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB014N06LG4 WMB014N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
79+0.92 EUR
100+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB014N06LG4 WMB014N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
79+0.92 EUR
100+0.85 EUR
500+0.82 EUR
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB017N03LG2 WMB017N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63.3A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB017N03LG2 WMB017N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63.3A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB020N03LG4 WMB020N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+0.93 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB020N03LG4 WMB020N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
100+0.72 EUR
106+0.67 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB020N06HG4 WMB020N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 174A; Idm: 696A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+1.13 EUR
68+1.07 EUR
70+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB020N06HG4 WMB020N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 174A; Idm: 696A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
68+1.07 EUR
70+1.02 EUR
500+0.85 EUR
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB023N03LG2 WMB023N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+0.84 EUR
122+0.59 EUR
135+0.53 EUR
153+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB023N03LG2 WMB023N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
122+0.59 EUR
135+0.53 EUR
153+0.47 EUR
500+0.44 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB025N06HG4 WMB025N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+1.06 EUR
72+1 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB025N06HG4 WMB025N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
72+1 EUR
81+0.89 EUR
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Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB025N06LG4 WMB025N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 98 Stücke:
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68+1.06 EUR
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Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB025N06LG4 WMB025N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
72+1 EUR
81+0.89 EUR
100+0.82 EUR
500+0.8 EUR
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB027N08HG4 WMB027N08HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 195A; Idm: 780A; 192.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 195A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 192.3W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB02DN10T1 WAYON WMB02DN10T1-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
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317+0.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB034N06HG4 WMB034N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+1.06 EUR
79+0.91 EUR
89+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB034N06HG4 WMB034N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
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68+1.06 EUR
79+0.91 EUR
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100+0.75 EUR
500+0.72 EUR
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Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB034N06LG4 WMB034N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB034N06LG4 WMB034N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.65 EUR
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500+0.72 EUR
3000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB037N10HGS WMB037N10HGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 544A; 142W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 544A
Power dissipation: 142W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB03DN06T1 WAYON WMB03DN06T1-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.8 EUR
317+0.23 EUR
336+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB040N03LG2 WMB040N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 28W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
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auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.57 EUR
211+0.34 EUR
235+0.3 EUR
265+0.27 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB040N03LG2 WMB040N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 28W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 478 Stücke:
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125+0.57 EUR
211+0.34 EUR
235+0.3 EUR
265+0.27 EUR
500+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB040N08HGS WMB040N08HGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 122.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB040N08HGS WMB040N08HGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 122.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.79 EUR
47+1.52 EUR
6000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB042DN03LG2 WAYON WMB042DN03LG2-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.24 EUR
99+0.73 EUR
12000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB043N10HGS WMB043N10HGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
81+0.89 EUR
85+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB043N10HGS WMB043N10HGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
81+0.89 EUR
85+0.84 EUR
6000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB043N10LGS WMB043N10LGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
81+0.89 EUR
86+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB043N10LGS WMB043N10LGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
81+0.89 EUR
86+0.84 EUR
6000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB048NV6HG4 WAYON WMB048NV6HG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.95 EUR
86+0.83 EUR
102+0.7 EUR
12000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB048NV6LG4 WAYON WMB048NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
100+0.72 EUR
110+0.64 EUR
12000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB049N12HG2 WMB049N12HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 66A; Idm: 420A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 420A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.04 EUR
37+1.96 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB049N12HG2 WMB049N12HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 66A; Idm: 420A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 420A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.04 EUR
37+1.96 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
6000+1.4 EUR
12000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB050N03LG4 WMB050N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+0.56 EUR
242+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB050N03LG4 WMB050N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
242+0.3 EUR
500+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB060N08LG2 WAYON WMB060N08LG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
87+0.82 EUR
12000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB060N10HGS WMB060N10HGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 95A; Idm: 380A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+1.13 EUR
74+0.97 EUR
95+0.76 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB060N10HGS WMB060N10HGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 95A; Idm: 380A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
74+0.97 EUR
95+0.76 EUR
97+0.74 EUR
6000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB060N10LGS WMB060N10LGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 95A; Idm: 380A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+1.14 EUR
73+0.98 EUR
94+0.77 EUR
99+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM10P20M2
Hersteller: WAYON
WM10P20M2-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 2862 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
108+0.67 EUR
610+0.12 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM12N35M2
Hersteller: WAYON
WM12N35M2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 2973 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM15P10M2
Hersteller: WAYON
WM15P10M2-CYG SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM4C62160A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1AC2B0065E0D6&compId=WM4C62160A.pdf?ci_sign=a6e86181c162d575bdc8742796f9affdba3a8f43
WM4C62160A
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: CSP1515-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 19.5mΩ
Gate charge: 13nC
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 500 Stücke:
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136+0.53 EUR
268+0.27 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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WM4C62160A
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: CSP1515-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 19.5mΩ
Gate charge: 13nC
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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WM6C61042A
+1
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 8A; 450mW; CSP6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8A
Power dissipation: 0.45W
Case: CSP6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
Gate charge: 34nC
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129+0.56 EUR
218+0.33 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WM6C61042A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1B1CFB953E0D6&compId=WM6C61042A.pdf?ci_sign=d9963b69f81c92ed09d30bc27410da0e3036c47d
WM6C61042A
+1
Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 8A; 450mW; CSP6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8A
Power dissipation: 0.45W
Case: CSP6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
Gate charge: 34nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMAA2N100D1
WMAA2N100D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 60W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMAA4N65D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMAA4N80D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMAA4N80D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMAA6N80D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB007N03LG4
Hersteller: WAYON
WMB007N03LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
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52+1.4 EUR
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12000+0.92 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB009N03LG4
WMB009N03LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
66+1.09 EUR
68+1.06 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB009N03LG4
WMB009N03LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
66+1.09 EUR
68+1.06 EUR
6000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB010N04LG4
WMB010N04LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 114W
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
Case: PDFN5060-8
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
69+1.05 EUR
88+0.82 EUR
93+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB010N04LG4
WMB010N04LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 114W
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
Case: PDFN5060-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
69+1.05 EUR
88+0.82 EUR
93+0.78 EUR
6000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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WMB014N04LG4
Hersteller: WAYON
WMB014N04LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
64+1.12 EUR
12000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB014N06HG4
WMB014N06HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB014N06LG4
WMB014N06LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
79+0.92 EUR
100+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB014N06LG4
WMB014N06LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
79+0.92 EUR
100+0.85 EUR
500+0.82 EUR
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB017N03LG2
WMB017N03LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63.3A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB017N03LG2
WMB017N03LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63.3A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB020N03LG4
WMB020N03LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB020N03LG4
WMB020N03LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
100+0.72 EUR
106+0.67 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB020N06HG4
WMB020N06HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 174A; Idm: 696A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
68+1.07 EUR
70+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB020N06HG4
WMB020N06HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 174A; Idm: 696A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
68+1.07 EUR
70+1.02 EUR
500+0.85 EUR
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB023N03LG2
WMB023N03LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
122+0.59 EUR
135+0.53 EUR
153+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB023N03LG2
WMB023N03LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
122+0.59 EUR
135+0.53 EUR
153+0.47 EUR
500+0.44 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB025N06HG4
WMB025N06HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
72+1 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB025N06HG4
WMB025N06HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
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100+0.82 EUR
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3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB025N06LG4
WMB025N06LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
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Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB025N06LG4
WMB025N06LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
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Anzahl Preis
68+1.06 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB027N08HG4
WMB027N08HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 195A; Idm: 780A; 192.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 195A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 192.3W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB02DN10T1
Hersteller: WAYON
WMB02DN10T1-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB034N06HG4
WMB034N06HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 98 Stücke:
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Anzahl Preis
68+1.06 EUR
79+0.91 EUR
89+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB034N06HG4
WMB034N06HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
79+0.91 EUR
89+0.8 EUR
100+0.75 EUR
500+0.72 EUR
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB034N06LG4
WMB034N06LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 27 Stücke:
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Anzahl Preis
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB034N06LG4
WMB034N06LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.65 EUR
100+0.75 EUR
500+0.72 EUR
3000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB037N10HGS
WMB037N10HGS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 544A; 142W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 544A
Power dissipation: 142W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB03DN06T1
Hersteller: WAYON
WMB03DN06T1-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
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90+0.8 EUR
317+0.23 EUR
336+0.21 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB040N03LG2
WMB040N03LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 28W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
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auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
211+0.34 EUR
235+0.3 EUR
265+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB040N03LG2
WMB040N03LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 28W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
211+0.34 EUR
235+0.3 EUR
265+0.27 EUR
500+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB040N08HGS
WMB040N08HGS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 122.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB040N08HGS
WMB040N08HGS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 122.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
47+1.52 EUR
6000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB042DN03LG2
Hersteller: WAYON
WMB042DN03LG2-CYG Multi channel transistors
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.24 EUR
99+0.73 EUR
12000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB043N10HGS
WMB043N10HGS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
81+0.89 EUR
85+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB043N10HGS
WMB043N10HGS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
81+0.89 EUR
85+0.84 EUR
6000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB043N10LGS
WMB043N10LGS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
81+0.89 EUR
86+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB043N10LGS
WMB043N10LGS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
81+0.89 EUR
86+0.84 EUR
6000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB048NV6HG4
Hersteller: WAYON
WMB048NV6HG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.95 EUR
86+0.83 EUR
102+0.7 EUR
12000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB048NV6LG4
Hersteller: WAYON
WMB048NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
100+0.72 EUR
110+0.64 EUR
12000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB049N12HG2
WMB049N12HG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 66A; Idm: 420A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 420A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
37+1.96 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB049N12HG2
WMB049N12HG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 66A; Idm: 420A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 420A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
37+1.96 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
6000+1.4 EUR
12000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB050N03LG4
WMB050N03LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
242+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB050N03LG4
WMB050N03LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
242+0.3 EUR
500+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB060N08LG2
Hersteller: WAYON
WMB060N08LG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
87+0.82 EUR
12000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB060N10HGS
WMB060N10HGS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 95A; Idm: 380A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
74+0.97 EUR
95+0.76 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB060N10HGS
WMB060N10HGS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 95A; Idm: 380A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
74+0.97 EUR
95+0.76 EUR
97+0.74 EUR
6000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB060N10LGS
WMB060N10LGS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 95A; Idm: 380A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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