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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WMO16N65SR WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 8.4A; Idm: 35A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19.5nC
Pulsed drain current: 35A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO16N70SR WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 700V; 8.4A; Idm: 35A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19.5nC
Pulsed drain current: 35A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO175N10HG4 WAYON WMO175N10HG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
190+0.38 EUR
200+0.36 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO175N10LG4 WAYON WMO175N10LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
180+0.4 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO18N20JN WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091F052BC183460DF&compId=WMx18N20JN.pdf?ci_sign=fc2448d11187b1127b662e603dfa38eeb089f0c9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 7A; Idm: 39A; 36W; TO252; 80ns
Case: TO252
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 80ns
On-state resistance: 135mΩ
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 36W
Pulsed drain current: 39A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.2nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO18N20T2 WMO18N20T2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A280B1C3D43A60E1&compId=WMO18N20T2.pdf?ci_sign=3f8eda1ad88a68d2e6a821d6a4d659c3e84a33c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 83W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.13Ω
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+1.09 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO18N20T2 WMO18N20T2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A280B1C3D43A60E1&compId=WMO18N20T2.pdf?ci_sign=3f8eda1ad88a68d2e6a821d6a4d659c3e84a33c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 83W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.13Ω
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
81+0.89 EUR
100+0.72 EUR
250+0.62 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO18N50C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 10A; Idm: 50A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 75W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO18P10TS WMO18P10TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -18A; Idm: -72A; 70W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 70W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+0.84 EUR
113+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO18P10TS WMO18P10TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -18A; Idm: -72A; 70W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 70W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
113+0.63 EUR
250+0.36 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO190N15HG4 WAYON WMO190N15HG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
85+0.84 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO20N15T2 WMO20N15T2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12.6A; Idm: 80A; 56.8W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7.8nC
On-state resistance: 88mΩ
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 56.8W
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+0.84 EUR
144+0.5 EUR
160+0.45 EUR
180+0.4 EUR
250+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO20N15T2 WMO20N15T2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12.6A; Idm: 80A; 56.8W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7.8nC
On-state resistance: 88mΩ
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 56.8W
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
144+0.5 EUR
160+0.45 EUR
180+0.4 EUR
250+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO20N65EM WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO252
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO20P15TS WAYON WMO20P15TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.05 EUR
152+0.47 EUR
5000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO22N50C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 11A; Idm: 60A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO240N10LG2 WMO240N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 144A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+0.54 EUR
250+0.29 EUR
278+0.26 EUR
315+0.23 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO240N10LG2 WMO240N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 144A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2345 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
250+0.29 EUR
278+0.26 EUR
315+0.23 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO25N06TS WMO25N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 41.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+0.59 EUR
291+0.25 EUR
388+0.18 EUR
435+0.16 EUR
486+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO25N06TS WMO25N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 41.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
291+0.25 EUR
388+0.18 EUR
435+0.16 EUR
486+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO25N10T1 WMO25N10T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; Idm: 100A; 53.2W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 53.2W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.53 EUR
288+0.25 EUR
319+0.22 EUR
363+0.2 EUR
404+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO25N10T1 WMO25N10T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; Idm: 100A; 53.2W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 53.2W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
288+0.25 EUR
319+0.22 EUR
363+0.2 EUR
404+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO25N50C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 13A; Idm: 65A; 135W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 135W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO25P03TS WMO25P03TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; Idm: -100A; 22.5W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.57 EUR
298+0.24 EUR
394+0.18 EUR
447+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO25P03TS WMO25P03TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; Idm: -100A; 22.5W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
298+0.24 EUR
394+0.18 EUR
447+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO25P04TS WAYON WMO25P04TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
94+0.76 EUR
400+0.18 EUR
424+0.17 EUR
5000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO25P06T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; Idm: -100A; 44.6W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 44.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO25P06T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; Idm: -100A; 44.6W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 44.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
250+0.29 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO26N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 135W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 22.1nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO26N65C4 WAYON WMx26N65C4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 135W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 22.1nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO26N65F2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO28N15T2 WAYON WMO28N15T2-CYG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO2N100D1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO30N25JN WAYON WMx30N25JN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 12A; Idm: 63A; 59W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 59W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 133ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO30P03TS WAYON WMO30P03TS-CYG SMD P channel transistors
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WMO30P10TS WAYON WMO30P10TS-CYG SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO35N06T1 WMO35N06T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 140A; 44.6W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 44.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 434 Stücke:
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125+0.57 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO35N06T1 WMO35N06T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 140A; 44.6W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 44.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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272+0.26 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO35P04T1 WAYON WMO35P04T1-CYG SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO35P06TS WAYON WMO35P06TS-CYG SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO40N04TS WMO40N04TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 33W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 386 Stücke:
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139+0.51 EUR
305+0.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO40N04TS WMO40N04TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 33W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 386 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO40N20JN WAYON WMx40N20JN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 21A; Idm: 110A; 89W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 89W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 141ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO4N65D1B WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO4N80D1B WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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WMO4N90D1C WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO50N06TS WMO50N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.53 EUR
258+0.28 EUR
288+0.25 EUR
300+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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WMO50N06TS WMO50N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
258+0.28 EUR
288+0.25 EUR
300+0.24 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO50N20JN WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091EB7C55EB1C40DF&compId=WMx50N20JN.pdf?ci_sign=877202bcb6657740029e20258de8a4a07cdd67a9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; Idm: 120A; 90W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 90W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 138ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO50P04T1 WAYON WMO50P04T1-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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249+0.29 EUR
265+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO55N03T1 WMO55N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 220A; 34.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 34.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+0.64 EUR
268+0.27 EUR
353+0.2 EUR
400+0.18 EUR
429+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO55N03T1 WMO55N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 220A; 34.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 34.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
268+0.27 EUR
353+0.2 EUR
400+0.18 EUR
429+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO5N50D1B WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO60N02T1 WMO60N02T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 60A; Idm: 240A; 35.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 35.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+0.64 EUR
271+0.26 EUR
358+0.2 EUR
404+0.18 EUR
451+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO60N02T1 WMO60N02T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 60A; Idm: 240A; 35.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 35.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2553 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
271+0.26 EUR
358+0.2 EUR
404+0.18 EUR
451+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO60N04T1 WMO60N04T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 46.2W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 46.2W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.53 EUR
290+0.25 EUR
321+0.22 EUR
365+0.2 EUR
407+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO60N04T1 WMO60N04T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 46.2W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 46.2W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
290+0.25 EUR
321+0.22 EUR
365+0.2 EUR
407+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO60P02TS WAYON WMO60P02TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
118+0.61 EUR
379+0.19 EUR
400+0.18 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 118
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO60P03TS WAYON WMO60P03TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.8 EUR
224+0.32 EUR
236+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO690N15HG2 WAYON WMO690N15HG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.18 EUR
100+0.72 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO16N65SR
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 8.4A; Idm: 35A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19.5nC
Pulsed drain current: 35A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO16N70SR
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 700V; 8.4A; Idm: 35A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19.5nC
Pulsed drain current: 35A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO175N10HG4
Hersteller: WAYON
WMO175N10HG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
190+0.38 EUR
200+0.36 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO175N10LG4
Hersteller: WAYON
WMO175N10LG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
180+0.4 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO18N20JN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091F052BC183460DF&compId=WMx18N20JN.pdf?ci_sign=fc2448d11187b1127b662e603dfa38eeb089f0c9
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 7A; Idm: 39A; 36W; TO252; 80ns
Case: TO252
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 80ns
On-state resistance: 135mΩ
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 36W
Pulsed drain current: 39A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.2nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO18N20T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A280B1C3D43A60E1&compId=WMO18N20T2.pdf?ci_sign=3f8eda1ad88a68d2e6a821d6a4d659c3e84a33c2
WMO18N20T2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 83W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.13Ω
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO18N20T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A280B1C3D43A60E1&compId=WMO18N20T2.pdf?ci_sign=3f8eda1ad88a68d2e6a821d6a4d659c3e84a33c2
WMO18N20T2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 83W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.13Ω
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
81+0.89 EUR
100+0.72 EUR
250+0.62 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO18N50C4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 10A; Idm: 50A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 75W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO18P10TS
WMO18P10TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -18A; Idm: -72A; 70W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 70W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
113+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO18P10TS
WMO18P10TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -18A; Idm: -72A; 70W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 70W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
113+0.63 EUR
250+0.36 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO190N15HG4
Hersteller: WAYON
WMO190N15HG4-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
85+0.84 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO20N15T2
WMO20N15T2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12.6A; Idm: 80A; 56.8W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7.8nC
On-state resistance: 88mΩ
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 56.8W
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
144+0.5 EUR
160+0.45 EUR
180+0.4 EUR
250+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO20N15T2
WMO20N15T2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12.6A; Idm: 80A; 56.8W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7.8nC
On-state resistance: 88mΩ
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 56.8W
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
144+0.5 EUR
160+0.45 EUR
180+0.4 EUR
250+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO20N65EM
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO252
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO20P15TS
Hersteller: WAYON
WMO20P15TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.05 EUR
152+0.47 EUR
5000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO22N50C4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 11A; Idm: 60A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO240N10LG2
WMO240N10LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 144A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
250+0.29 EUR
278+0.26 EUR
315+0.23 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO240N10LG2
WMO240N10LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 144A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2345 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
250+0.29 EUR
278+0.26 EUR
315+0.23 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO25N06TS
WMO25N06TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 41.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
291+0.25 EUR
388+0.18 EUR
435+0.16 EUR
486+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO25N06TS
WMO25N06TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 41.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
291+0.25 EUR
388+0.18 EUR
435+0.16 EUR
486+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO25N10T1
WMO25N10T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; Idm: 100A; 53.2W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 53.2W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
288+0.25 EUR
319+0.22 EUR
363+0.2 EUR
404+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO25N10T1
WMO25N10T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; Idm: 100A; 53.2W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 53.2W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
288+0.25 EUR
319+0.22 EUR
363+0.2 EUR
404+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO25N50C4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 13A; Idm: 65A; 135W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 135W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO25P03TS
WMO25P03TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; Idm: -100A; 22.5W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
298+0.24 EUR
394+0.18 EUR
447+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO25P03TS
WMO25P03TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; Idm: -100A; 22.5W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
298+0.24 EUR
394+0.18 EUR
447+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO25P04TS
Hersteller: WAYON
WMO25P04TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
94+0.76 EUR
400+0.18 EUR
424+0.17 EUR
5000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO25P06T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; Idm: -100A; 44.6W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 44.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO25P06T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; Idm: -100A; 44.6W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 44.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
250+0.29 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO26N60C4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 135W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 22.1nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO26N65C4 WMx26N65C4.pdf
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 135W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 22.1nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO26N65F2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO28N15T2
Hersteller: WAYON
WMO28N15T2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.34 EUR
102+0.7 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO2N100D1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO30N25JN WMx30N25JN.pdf
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 12A; Idm: 63A; 59W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 59W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 133ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO30P03TS
Hersteller: WAYON
WMO30P03TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
366+0.2 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO30P10TS
Hersteller: WAYON
WMO30P10TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
133+0.54 EUR
147+0.49 EUR
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO35N06T1
WMO35N06T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 140A; 44.6W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 44.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
272+0.26 EUR
302+0.24 EUR
343+0.21 EUR
379+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO35N06T1
WMO35N06T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 140A; 44.6W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 44.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
272+0.26 EUR
302+0.24 EUR
343+0.21 EUR
379+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO35P04T1
Hersteller: WAYON
WMO35P04T1-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
118+0.61 EUR
341+0.21 EUR
360+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 118
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO35P06TS
Hersteller: WAYON
WMO35P06TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.94 EUR
169+0.43 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO40N04TS
WMO40N04TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 33W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
305+0.23 EUR
386+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO40N04TS
WMO40N04TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 33W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
305+0.23 EUR
386+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO40N20JN WMx40N20JN.pdf
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 21A; Idm: 110A; 89W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 89W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 141ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO4N65D1B
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO4N80D1B
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO4N90D1C
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO50N06TS
WMO50N06TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
258+0.28 EUR
288+0.25 EUR
300+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO50N06TS
WMO50N06TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
258+0.28 EUR
288+0.25 EUR
300+0.24 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO50N20JN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091EB7C55EB1C40DF&compId=WMx50N20JN.pdf?ci_sign=877202bcb6657740029e20258de8a4a07cdd67a9
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; Idm: 120A; 90W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 90W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 138ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO50P04T1
Hersteller: WAYON
WMO50P04T1-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
249+0.29 EUR
265+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO55N03T1
WMO55N03T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 220A; 34.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 34.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
268+0.27 EUR
353+0.2 EUR
400+0.18 EUR
429+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO55N03T1
WMO55N03T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 220A; 34.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 34.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
268+0.27 EUR
353+0.2 EUR
400+0.18 EUR
429+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO5N50D1B
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO60N02T1
WMO60N02T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 60A; Idm: 240A; 35.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 35.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
271+0.26 EUR
358+0.2 EUR
404+0.18 EUR
451+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO60N02T1
WMO60N02T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 60A; Idm: 240A; 35.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 35.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2553 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
271+0.26 EUR
358+0.2 EUR
404+0.18 EUR
451+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO60N04T1
WMO60N04T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 46.2W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 46.2W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
290+0.25 EUR
321+0.22 EUR
365+0.2 EUR
407+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO60N04T1
WMO60N04T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 46.2W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 46.2W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
290+0.25 EUR
321+0.22 EUR
365+0.2 EUR
407+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO60P02TS
Hersteller: WAYON
WMO60P02TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
118+0.61 EUR
379+0.19 EUR
400+0.18 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 118
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO60P03TS
Hersteller: WAYON
WMO60P03TS-CYG SMD P channel transistors
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
224+0.32 EUR
236+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO690N15HG2
Hersteller: WAYON
WMO690N15HG2-CYG SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.18 EUR
100+0.72 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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