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XP10A250YT XP10A250YT XSemi XP10A250YT-3132655.pdf MOSFET Dual N Channe l 100V 2.1A PMPAK-3x
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XP10C150M XP10C150M XSemi XP10C150M-3132717.pdf MOSFET Complementary N ch + P ch 100V/-1
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XP10C150M XP10C150M XSEMI 3931023.pdf Description: XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10C150 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 200 Stücke:
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XP10C150M XP10C150M XSEMI 3931023.pdf Description: XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10C150 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP10N3R5XT XP10N3R5XT XSemi XP10N3R5XT-3132689.pdf MOSFET N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.67 EUR
10+ 9.15 EUR
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250+ 7.18 EUR
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1000+ 6.39 EUR
XP10N3R8P XP10N3R8P XSemi XP10N3R8P-3132712.pdf MOSFET N-CH 100V 130 A TO-220
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.16 EUR
10+ 10.42 EUR
25+ 9.47 EUR
100+ 8.69 EUR
250+ 8.17 EUR
500+ 7.66 EUR
1000+ 6.9 EUR
XP10NA011J XP10NA011J XSemi XP10NA011J-3132645.pdf MOSFET N-CH 100V 48. 5A TO-251
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.03 EUR
10+ 4.22 EUR
25+ 4 EUR
100+ 3.41 EUR
250+ 3.24 EUR
500+ 3.04 EUR
1000+ 2.6 EUR
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL XSEMI 3930987.pdf Description: XSEMI - XP10NA1R5TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 347 A, 0.0015 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 347A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP10NA1R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL XSEMI 3930987.pdf Description: XSEMI - XP10NA1R5TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 347 A, 0.0015 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 347A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP10NA1R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP10P500N XP10P500N XSemi XP10P500N-3132675.pdf MOSFET P-CH -100V -1 .2A SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 192-196 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+ 2.34 EUR
100+ 1.83 EUR
500+ 1.51 EUR
1000+ 1.2 EUR
3000+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP10TN028YT XP10TN028YT XSEMI 3930994.pdf Description: XSEMI - XP10TN028YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.028 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.125W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10TN028 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP10TN028YT XP10TN028YT XSEMI 3930994.pdf Description: XSEMI - XP10TN028YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.028 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.125W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10TN028 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP10TN135K XP10TN135K XSemi XP10TN135K-3132666.pdf MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.88 EUR
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100+ 1.2 EUR
500+ 1.01 EUR
1000+ 0.86 EUR
3000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP10TN135N XP10TN135N XSEMI 3930997.pdf Description: XSEMI - XP10TN135N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP10TN135N XP10TN135N XSEMI 3930997.pdf Description: XSEMI - XP10TN135N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP1504MT XP1504MT XSemi XP1504MT-3132713.pdf MOSFET N-CH 150V 6.3 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.63 EUR
10+ 3.03 EUR
100+ 2.41 EUR
250+ 2.22 EUR
500+ 2.01 EUR
1000+ 1.83 EUR
3000+ 1.58 EUR
XP1504YT XP1504YT XSemi XP1504YT-3132667.pdf MOSFET N-CH 150V 5A PMPAK-3x3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.31 EUR
10+ 2.75 EUR
100+ 2.2 EUR
250+ 2.01 EUR
500+ 1.83 EUR
1000+ 1.58 EUR
3000+ 1.5 EUR
XP2306AGN XP2306AGN XSEMI 3930927.pdf Description: XSEMI - XP2306AGN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2306A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP2306AGN XP2306AGN XSEMI 3930927.pdf Description: XSEMI - XP2306AGN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP2306AGN XP2306AGN XSemi XP2306AGN_HF-3132720.pdf MOSFET N-CH 30V 5A S OT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.79 EUR
10+ 0.66 EUR
100+ 0.45 EUR
500+ 0.33 EUR
1000+ 0.25 EUR
3000+ 0.23 EUR
6000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
XP2318GEN XP2318GEN XSemi XP2318GEN_HF-3132683.pdf MOSFET N-CH 30V 0.5A SOT-23S
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.75 EUR
10+ 0.65 EUR
100+ 0.49 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.3 EUR
3000+ 0.27 EUR
9000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
XP2332GEN XP2332GEN XSEMI 3931009.pdf Description: XSEMI - XP2332GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP2332GEN XP2332GEN XSEMI 3931009.pdf Description: XSEMI - XP2332GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP2344GN XP2344GN XSEMI 3930914.pdf Description: XSEMI - XP2344GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2344 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP2344GN XP2344GN XSEMI 3930914.pdf Description: XSEMI - XP2344GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP2530AGY XP2530AGY XSemi XP2530AGY_HF-3132721.pdf MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+ 1.14 EUR
100+ 0.89 EUR
500+ 0.75 EUR
1000+ 0.61 EUR
3000+ 0.58 EUR
6000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
XP2N1K2EN1 XP2N1K2EN1 XSEMI 3930916.pdf Description: XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N1K2E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP2N1K2EN1 XP2N1K2EN1 XSEMI 3930916.pdf Description: XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP2P038N XP2P038N XSemi XP2P038N-3132676.pdf MOSFET P-CH -20V -5A SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 192-196 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+ 1.05 EUR
100+ 0.81 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.51 EUR
3000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
XP2P038N XP2P038N XSEMI 3930923.pdf Description: XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP2P038N XP2P038N XSEMI 3930923.pdf Description: XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P038 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3700M XP3700M XSEMI 3931020.pdf Description: XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3700M XP3700M XSEMI 3931020.pdf Description: XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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XP3700M XP3700M XSemi XP3700M-3132636.pdf MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
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XP3700MT XP3700MT XSemi XP3700MT-3132670.pdf MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
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XP3700MT XP3700MT XSEMI 3931018.pdf Description: XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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XP3700MT XP3700MT XSEMI 3931018.pdf Description: XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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XP3700YT XP3700YT XSemi XP3700YT-3132704.pdf MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
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XP3832CMT XP3832CMT XSemi XP3832CMT-3132741.pdf MOSFET Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
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XP3C023AMT XP3C023AMT XSemi XP3C023AMT-3132656.pdf MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
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XP3N028EN XP3N028EN XSEMI 3930951.pdf Description: XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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XP3N028EN XP3N028EN XSEMI 3930951.pdf Description: XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: SOT-23S
usEccn: EAR99
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XP3N2R8AMT XP3N2R8AMT XSemi XP3N2R8AMT-3132749.pdf MOSFET N-CH 30V 32.8 A PMPAK-5x6
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XP3N5R0M XP3N5R0M XSEMI 3930940.pdf Description: XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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XP3N5R0M XP3N5R0M XSEMI 3930940.pdf Description: XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: SOIC
usEccn: EAR99
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XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT XSEMI 3930947.pdf Description: XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT XSEMI 3930947.pdf Description: XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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XP3P010M XP3P010M XSEMI 3930955.pdf Description: XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: SOIC
usEccn: EAR99
auf Bestellung 200 Stücke:
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XP3P010M XP3P010M XSEMI 3930955.pdf Description: XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P010 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
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XP3P080N XP3P080N XSEMI 3930953.pdf Description: XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P080 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P080N XP3P080N XSEMI 3930953.pdf Description: XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: SOT-23S
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P7R0EM XP3P7R0EM XSEMI 3930964.pdf Description: XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P7R0E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P7R0EM XP3P7R0EM XSEMI 3930964.pdf Description: XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P7R0E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4024EM XP4024EM XSEMI 3930938.pdf Description: XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: SOIC
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4024EM XP4024EM XSEMI 3930938.pdf Description: XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4060CMT XP4060CMT XSemi XP4060CMT-3132668.pdf MOSFET N-CH 30V 37A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.91 EUR
10+ 4.42 EUR
100+ 3.54 EUR
500+ 2.9 EUR
1000+ 2.41 EUR
3000+ 2.15 EUR
XP4064CMT XP4064CMT XSemi XP4064CMT-3132715.pdf MOSFET N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+ 2.29 EUR
100+ 1.81 EUR
250+ 1.69 EUR
500+ 1.52 EUR
1000+ 1.38 EUR
3000+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP4NAR95CMT-A XP4NAR95CMT-A XSemi XP4NAR95CMT_A-3132672.pdf MOSFET N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 192-196 Tag (e)
1+9.19 EUR
10+ 8.25 EUR
100+ 6.76 EUR
500+ 5.76 EUR
1000+ 4.86 EUR
3000+ 4.4 EUR
XP60SA290DH XP60SA290DH XSemi XP60SA290DH-3132724.pdf MOSFET N-CH 600V 13. 3A TO-252
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.32 EUR
10+ 6.14 EUR
25+ 5.79 EUR
100+ 4.98 EUR
250+ 4.7 EUR
500+ 4.42 EUR
1000+ 3.98 EUR
XP60SL115DR XP60SL115DR XSemi XP60SL115DR-3132641.pdf MOSFET N-CH 600V 28A TO-262
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17 EUR
10+ 14.57 EUR
25+ 13.22 EUR
100+ 12.14 EUR
250+ 11.42 EUR
500+ 10.98 EUR
1000+ 9.31 EUR
XP10A250YT XP10A250YT-3132655.pdf
XP10A250YT
Hersteller: XSemi
MOSFET Dual N Channe l 100V 2.1A PMPAK-3x
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.04 EUR
10+ 1.69 EUR
100+ 1.32 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 0.91 EUR
3000+ 0.86 EUR
6000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP10C150M XP10C150M-3132717.pdf
XP10C150M
Hersteller: XSemi
MOSFET Complementary N ch + P ch 100V/-1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.36 EUR
10+ 3.03 EUR
100+ 2.43 EUR
500+ 1.99 EUR
1000+ 1.66 EUR
3000+ 1.47 EUR
XP10C150M 3931023.pdf
XP10C150M
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10C150 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP10C150M 3931023.pdf
XP10C150M
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10C150 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP10N3R5XT XP10N3R5XT-3132689.pdf
XP10N3R5XT
Hersteller: XSemi
MOSFET N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X
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XP10N3R8P XP10N3R8P-3132712.pdf
XP10N3R8P
Hersteller: XSemi
MOSFET N-CH 100V 130 A TO-220
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XP10NA011J XP10NA011J-3132645.pdf
XP10NA011J
Hersteller: XSemi
MOSFET N-CH 100V 48. 5A TO-251
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XP10NA1R5TL 3930987.pdf
XP10NA1R5TL
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP10NA1R5TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 347 A, 0.0015 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 347A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP10NA1R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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XP10NA1R5TL 3930987.pdf
XP10NA1R5TL
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP10NA1R5TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 347 A, 0.0015 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 347A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP10NA1R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 151 Stücke:
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XP10P500N XP10P500N-3132675.pdf
XP10P500N
Hersteller: XSemi
MOSFET P-CH -100V -1 .2A SOT-23
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XP10TN028YT 3930994.pdf
XP10TN028YT
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP10TN028YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.028 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.125W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10TN028 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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XP10TN028YT 3930994.pdf
XP10TN028YT
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP10TN028YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.028 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.125W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10TN028 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 200 Stücke:
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XP10TN135K XP10TN135K-3132666.pdf
XP10TN135K
Hersteller: XSemi
MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223
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2+1.88 EUR
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XP10TN135N 3930997.pdf
XP10TN135N
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP10TN135N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
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XP10TN135N 3930997.pdf
XP10TN135N
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP10TN135N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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XP1504MT XP1504MT-3132713.pdf
XP1504MT
Hersteller: XSemi
MOSFET N-CH 150V 6.3 A PMPAK-5x6
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1000+ 1.83 EUR
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XP1504YT XP1504YT-3132667.pdf
XP1504YT
Hersteller: XSemi
MOSFET N-CH 150V 5A PMPAK-3x3
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1+3.31 EUR
10+ 2.75 EUR
100+ 2.2 EUR
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500+ 1.83 EUR
1000+ 1.58 EUR
3000+ 1.5 EUR
XP2306AGN 3930927.pdf
XP2306AGN
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP2306AGN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2306A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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XP2306AGN 3930927.pdf
XP2306AGN
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP2306AGN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
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XP2306AGN XP2306AGN_HF-3132720.pdf
XP2306AGN
Hersteller: XSemi
MOSFET N-CH 30V 5A S OT-23
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4+0.79 EUR
10+ 0.66 EUR
100+ 0.45 EUR
500+ 0.33 EUR
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3000+ 0.23 EUR
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XP2318GEN XP2318GEN_HF-3132683.pdf
XP2318GEN
Hersteller: XSemi
MOSFET N-CH 30V 0.5A SOT-23S
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3000+ 0.27 EUR
9000+ 0.23 EUR
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XP2332GEN 3931009.pdf
XP2332GEN
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP2332GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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XP2332GEN 3931009.pdf
XP2332GEN
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP2332GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP2344GN 3930914.pdf
XP2344GN
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP2344GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2344 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP2344GN 3930914.pdf
XP2344GN
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP2344GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP2530AGY XP2530AGY_HF-3132721.pdf
XP2530AGY
Hersteller: XSemi
MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.39 EUR
10+ 1.14 EUR
100+ 0.89 EUR
500+ 0.75 EUR
1000+ 0.61 EUR
3000+ 0.58 EUR
6000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
XP2N1K2EN1 3930916.pdf
XP2N1K2EN1
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N1K2E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP2N1K2EN1 3930916.pdf
XP2N1K2EN1
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP2P038N XP2P038N-3132676.pdf
XP2P038N
Hersteller: XSemi
MOSFET P-CH -20V -5A SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3+1.19 EUR
10+ 1.05 EUR
100+ 0.81 EUR
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3000+ 0.44 EUR
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XP2P038N 3930923.pdf
XP2P038N
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP2P038N 3930923.pdf
XP2P038N
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P038 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3700M 3931020.pdf
XP3700M
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3700M 3931020.pdf
XP3700M
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3700M XP3700M-3132636.pdf
XP3700M
Hersteller: XSemi
MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.74 EUR
10+ 1.42 EUR
100+ 1.1 EUR
500+ 0.93 EUR
1000+ 0.8 EUR
3000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP3700MT XP3700MT-3132670.pdf
XP3700MT
Hersteller: XSemi
MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.2 EUR
10+ 1.8 EUR
100+ 1.4 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 1.01 EUR
3000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP3700MT 3931018.pdf
XP3700MT
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3700MT 3931018.pdf
XP3700MT
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3700YT XP3700YT-3132704.pdf
XP3700YT
Hersteller: XSemi
MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
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2+1.83 EUR
10+ 1.51 EUR
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XP3832CMT XP3832CMT-3132741.pdf
XP3832CMT
Hersteller: XSemi
MOSFET Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
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100+ 5.54 EUR
500+ 4.72 EUR
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3000+ 3.78 EUR
6000+ 3.64 EUR
XP3C023AMT XP3C023AMT-3132656.pdf
XP3C023AMT
Hersteller: XSemi
MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
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1+3.12 EUR
10+ 2.8 EUR
100+ 2.25 EUR
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1000+ 1.54 EUR
3000+ 1.43 EUR
6000+ 1.38 EUR
XP3N028EN 3930951.pdf
XP3N028EN
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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XP3N028EN 3930951.pdf
XP3N028EN
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: SOT-23S
usEccn: EAR99
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XP3N2R8AMT XP3N2R8AMT-3132749.pdf
XP3N2R8AMT
Hersteller: XSemi
MOSFET N-CH 30V 32.8 A PMPAK-5x6
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2+1.58 EUR
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XP3N5R0M 3930940.pdf
XP3N5R0M
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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XP3N5R0M 3930940.pdf
XP3N5R0M
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: SOIC
usEccn: EAR99
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XP3N9R5AYT 3930947.pdf
XP3N9R5AYT
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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XP3N9R5AYT 3930947.pdf
XP3N9R5AYT
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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XP3P010M 3930955.pdf
XP3P010M
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: SOIC
usEccn: EAR99
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P010M 3930955.pdf
XP3P010M
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P010 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
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XP3P080N 3930953.pdf
XP3P080N
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P080 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P080N 3930953.pdf
XP3P080N
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: SOT-23S
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P7R0EM 3930964.pdf
XP3P7R0EM
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P7R0E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P7R0EM 3930964.pdf
XP3P7R0EM
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P7R0E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4024EM 3930938.pdf
XP4024EM
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: SOIC
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4024EM 3930938.pdf
XP4024EM
Hersteller: XSEMI
Description: XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP4060CMT XP4060CMT-3132668.pdf
XP4060CMT
Hersteller: XSemi
MOSFET N-CH 30V 37A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.91 EUR
10+ 4.42 EUR
100+ 3.54 EUR
500+ 2.9 EUR
1000+ 2.41 EUR
3000+ 2.15 EUR
XP4064CMT XP4064CMT-3132715.pdf
XP4064CMT
Hersteller: XSemi
MOSFET N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.75 EUR
10+ 2.29 EUR
100+ 1.81 EUR
250+ 1.69 EUR
500+ 1.52 EUR
1000+ 1.38 EUR
3000+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP4NAR95CMT-A XP4NAR95CMT_A-3132672.pdf
XP4NAR95CMT-A
Hersteller: XSemi
MOSFET N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 192-196 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+9.19 EUR
10+ 8.25 EUR
100+ 6.76 EUR
500+ 5.76 EUR
1000+ 4.86 EUR
3000+ 4.4 EUR
XP60SA290DH XP60SA290DH-3132724.pdf
XP60SA290DH
Hersteller: XSemi
MOSFET N-CH 600V 13. 3A TO-252
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+7.32 EUR
10+ 6.14 EUR
25+ 5.79 EUR
100+ 4.98 EUR
250+ 4.7 EUR
500+ 4.42 EUR
1000+ 3.98 EUR
XP60SL115DR XP60SL115DR-3132641.pdf
XP60SL115DR
Hersteller: XSemi
MOSFET N-CH 600V 28A TO-262
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+17 EUR
10+ 14.57 EUR
25+ 13.22 EUR
100+ 12.14 EUR
250+ 11.42 EUR
500+ 10.98 EUR
1000+ 9.31 EUR
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