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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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1N3890 1N3890 GeneSiC Semiconductor 1n3889r.pdf Diode Switching 100V 12A 2-Pin DO-4
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1N1206AR 1N1206AR GeneSiC Semiconductor 1n1200a.pdf Diode Switching 600V 12A 2-Pin DO-4
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S16MR S16MR GeneSiC Semiconductor s16q.pdf Diode Switching 1KV 16A 2-Pin DO-4
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S16M S16M GeneSiC Semiconductor s16q.pdf Diode Switching 1KV 16A 2-Pin DO-4
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KBP201G KBP201G GeneSiC Semiconductor kbp201g.pdf Diode Rectifier Bridge Single 50V 2A 4-Pin Case KBP
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G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 29 Stücke:
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7+22.25 EUR
10+20.13 EUR
25+18.55 EUR
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NV6127 NV6127 GeneSiC Semiconductor nv6127_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf Power IC 30-Pin QFN EP T/R
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5000+4.1 EUR
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NV6127 NV6127 GeneSiC Semiconductor nv6127_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf Power IC 30-Pin QFN EP T/R
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KBP204G KBP204G GeneSiC Semiconductor kbp201g.pdf Diode Rectifier Bridge Single 400V 2A 4-Pin Case KBP
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NV6136A GeneSiC Semiconductor NV6136A-Datasheet-FINAL-10-11-22.pdf GaNSense Single 700V 170mOhm PQFN 68
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+3.23 EUR
10000+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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NV6136A GeneSiC Semiconductor NV6136A-Datasheet-FINAL-10-11-22.pdf GaNSense Single 700V 170mOhm PQFN 68
auf Bestellung 10000 Stücke:
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5000+3.23 EUR
10000+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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GBU8M GBU8M GeneSiC Semiconductor gbu8m.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 8A 4-Pin Case GBU
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GC10MPS12-252 GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor gc10mps12-252.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 28A 3-Pin(2+Tab) TO-252
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NV6125 NV6125 GeneSiC Semiconductor nv6125_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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NV6125 NV6125 GeneSiC Semiconductor nv6125_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720485.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GENESIC SEMICONDUCTOR 2722357.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
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GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GENESIC SEMICONDUCTOR 2722356.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 2849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720499.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 94 A, 79 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 94
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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G2R1000MT17D G2R1000MT17D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189232.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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G3R45MT17D G3R45MT17D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189235.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GE06MPS06E GE06MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR 3163666.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GE06MPS06E GE06MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR GE06MPS06E.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GE06MPS06A GE06MPS06A GENESIC SEMICONDUCTOR 3163673.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J GD30MPS06J GENESIC SEMICONDUCTOR 3163696.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189236.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GENESIC SEMICONDUCTOR 3163683.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD60MPS17H GD60MPS17H GENESIC SEMICONDUCTOR 3593581.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H GENESIC SEMICONDUCTOR 3967288.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS33J GC05MPS33J GENESIC SEMICONDUCTOR 3967273.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC05MPS33J - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 3.3 kV, 11 A, 42 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 42nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GENESIC SEMICONDUCTOR 3967269.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GENESIC SEMICONDUCTOR 3967269.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBPC3510T GeneSiC Semiconductor kbpc3506w.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 35A 4-Pin Case GBPC-T
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBPC1510W GeneSiC Semiconductor kbpc1506w.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 15A 4-Pin Case GBPC-W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBPC1510T GeneSiC Semiconductor kbpc1506w.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 15A 4-Pin Case GBPC-T
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL406G KBL406G GeneSiC Semiconductor kbl408g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6096 GeneSiC Semiconductor 386910112501433441n6095_thru_1n6096r.pdf Rectifier Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6095 GeneSiC Semiconductor 386910112501433441n6095_thru_1n6096r.pdf Rectifier Diode Schottky 30V 25A 2-Pin DO-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6096R GeneSiC Semiconductor 386910112501433441n6095_thru_1n6096r.pdf Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6098 GeneSiC Semiconductor 386910546239196081n6097_thru_1n6098r.pdf Rectifier Diode Schottky 40V 50A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6097R GeneSiC Semiconductor 386910546239196081n6097_thru_1n6098r.pdf Rectifier Diode Schottky 30V 50A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6098R GeneSiC Semiconductor 386910546239196081n6097_thru_1n6098r.pdf Diode Schottky 40V 50A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6095R GeneSiC Semiconductor 386910112501433441n6095_thru_1n6096r.pdf Rectifier Diode Schottky 30V 25A 2-Pin DO-4
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1N6097 1N6097 GeneSiC Semiconductor 386910546239196081n6097_thru_1n6098r.pdf Rectifier Diode Schottky 30V 50A 2-Pin DO-5
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KBPC5010T GeneSiC Semiconductor kbpc5010t.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-T
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KBPC5010W GeneSiC Semiconductor kbpc5010t.pdf Diode Rectifier Bridge Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-W
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KBU6M KBU6M GeneSiC Semiconductor kbu6m.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 6A 4-Pin Case KBU
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KBU8J GeneSiC Semiconductor kbu8m.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case KBU
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MBR400150CTR GeneSiC Semiconductor mbr400150ctr.pdf Silicon Power Schottky Diode
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MBR400200CT GeneSiC Semiconductor mbr400150ctr.pdf Silicon Power Schottky Diode
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MBR40040CT MBR40040CT GeneSiC Semiconductor 8mbr40020ct_thru_mbr40040ctr.pdf Rectifier Diode Schottky 40V 400A 3-Pin Twin Tower
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MBR400100CT GeneSiC Semiconductor 2497125744268350mbr40045ct_thru_mbr400100ctr.pdf Rectifier Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
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MBR400100CTR GeneSiC Semiconductor 2497125744268350mbr40045ct_thru_mbr400100ctr.pdf Rectifier Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR400150CT GeneSiC Semiconductor mbr400150ctr.pdf Silicon Power Schottky Diode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR40045CTR GeneSiC Semiconductor 2497125744268350mbr40045ct_thru_mbr400100ctr.pdf Rectifier Diode Schottky 45V 400A 3-Pin Twin Tower
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR40020CTR MBR40020CTR GeneSiC Semiconductor 8mbr40020ct_thru_mbr40040ctr.pdf Rectifier Diode Schottky 20V 400A 3-Pin Twin Tower
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR40030CT MBR40030CT GeneSiC Semiconductor 8mbr40020ct_thru_mbr40040ctr.pdf Rectifier Diode Schottky 30V 400A 3-Pin Twin Tower
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR40060CT GeneSiC Semiconductor 2497125744268350mbr40045ct_thru_mbr400100ctr.pdf Rectifier Diode Schottky 60V 400A 3-Pin Twin Tower
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N3890 1n3889r.pdf
1N3890
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 100V 12A 2-Pin DO-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N1206AR 1n1200a.pdf
1N1206AR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 600V 12A 2-Pin DO-4
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
132+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16MR s16q.pdf
S16MR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 1KV 16A 2-Pin DO-4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16M s16q.pdf
S16M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 1KV 16A 2-Pin DO-4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBP201G kbp201g.pdf
KBP201G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Rectifier Bridge Single 50V 2A 4-Pin Case KBP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+22.25 EUR
10+20.13 EUR
25+18.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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NV6127 nv6127_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf
NV6127
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+4.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6127 nv6127_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf
NV6127
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+4.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBP204G kbp201g.pdf
KBP204G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Rectifier Bridge Single 400V 2A 4-Pin Case KBP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6136A NV6136A-Datasheet-FINAL-10-11-22.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
GaNSense Single 700V 170mOhm PQFN 68
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+3.23 EUR
10000+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6136A NV6136A-Datasheet-FINAL-10-11-22.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
GaNSense Single 700V 170mOhm PQFN 68
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+3.23 EUR
10000+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU8M gbu8m.pdf
GBU8M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 8A 4-Pin Case GBU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC10MPS12-252 gc10mps12-252.pdf
GC10MPS12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 28A 3-Pin(2+Tab) TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6125 nv6125_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf
NV6125
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6125 nv6125_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf
NV6125
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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GA01PNS150-201 2720485.pdf
GA01PNS150-201
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT06-214 2722357.pdf
GB01SLT06-214
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT12-214 2722356.pdf
GB01SLT12-214
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 2849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GC20MPS12-220 2720499.pdf
GC20MPS12-220
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 94 A, 79 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 94
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D 3189232.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17D 3189235.pdf
G3R45MT17D
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06E 3163666.pdf
GE06MPS06E
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06E GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06A 3163673.pdf
GE06MPS06A
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J 3163696.pdf
GD30MPS06J
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D 3189236.pdf
G3R40MT12D
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X75MPS17N 3163683.pdf
GD2X75MPS17N
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD60MPS17H 3593581.pdf
GD60MPS17H
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H 3967288.pdf
GD10MPS12H
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS33J 3967273.pdf
GC05MPS33J
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC05MPS33J - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 3.3 kV, 11 A, 42 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 42nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E 3967269.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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GD10MPS12E
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 35A 4-Pin Case GBPC-T
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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KBPC1510W kbpc1506w.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 15A 4-Pin Case GBPC-W
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 15A 4-Pin Case GBPC-T
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KBL406G kbl408g.pdf
KBL406G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL
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1N6096 386910112501433441n6095_thru_1n6096r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4
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1N6095 386910112501433441n6095_thru_1n6096r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 30V 25A 2-Pin DO-4
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1N6096R 386910112501433441n6095_thru_1n6096r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4
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1N6098 386910546239196081n6097_thru_1n6098r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 40V 50A 2-Pin DO-5
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1N6097R 386910546239196081n6097_thru_1n6098r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 30V 50A 2-Pin DO-5
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1N6098R 386910546239196081n6097_thru_1n6098r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 40V 50A 2-Pin DO-5
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1N6095R 386910112501433441n6095_thru_1n6096r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 30V 25A 2-Pin DO-4
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1N6097 386910546239196081n6097_thru_1n6098r.pdf
1N6097
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 30V 50A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
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KBPC5010T kbpc5010t.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-T
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KBPC5010W kbpc5010t.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Rectifier Bridge Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-W
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KBU6M kbu6m.pdf
KBU6M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 6A 4-Pin Case KBU
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KBU8J kbu8m.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case KBU
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MBR400150CTR mbr400150ctr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Power Schottky Diode
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MBR400200CT mbr400150ctr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Power Schottky Diode
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MBR40040CT 8mbr40020ct_thru_mbr40040ctr.pdf
MBR40040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 40V 400A 3-Pin Twin Tower
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MBR400100CT 2497125744268350mbr40045ct_thru_mbr400100ctr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
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MBR400100CTR 2497125744268350mbr40045ct_thru_mbr400100ctr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
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MBR400150CT mbr400150ctr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Power Schottky Diode
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MBR40045CTR 2497125744268350mbr40045ct_thru_mbr400100ctr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 45V 400A 3-Pin Twin Tower
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MBR40020CTR 8mbr40020ct_thru_mbr40040ctr.pdf
MBR40020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 20V 400A 3-Pin Twin Tower
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MBR40030CT 8mbr40020ct_thru_mbr40040ctr.pdf
MBR40030CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 30V 400A 3-Pin Twin Tower
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MBR40060CT 2497125744268350mbr40045ct_thru_mbr400100ctr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 60V 400A 3-Pin Twin Tower
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