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GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
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GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor gd10mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
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GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor gd10mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
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GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
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GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
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GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
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G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A
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G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A
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GBU4J GBU4J GeneSiC Semiconductor 251135481325926gbu4j_thru_gbu4m.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case GBU
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BR88 BR88 GeneSiC Semiconductor br86.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case BR-8
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BR88 BR88 GeneSiC Semiconductor br86.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case BR-8
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GD02MPS12E GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor gd02mps12e.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+1.21 EUR
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GD02MPS12E GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor gd02mps12e.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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GD02MPS12E GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor gd02mps12e.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2500+1.21 EUR
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GBL10 GBL10 GeneSiC Semiconductor gbl10.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL
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10000+0.49 EUR
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G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf G3R75MT12J-TR
auf Bestellung 800 Stücke:
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800+11.25 EUR
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G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf G3R75MT12J-TR
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800+11.25 EUR
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KBU8K KBU8K GeneSiC Semiconductor kbu8m.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case KBU
auf Bestellung 18000 Stücke:
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18000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 18000
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KBU8K KBU8K GeneSiC Semiconductor kbu8m.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case KBU
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18000+0.88 EUR
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G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 204 Stücke:
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12+12.97 EUR
13+10.75 EUR
50+8.07 EUR
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G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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10+14.57 EUR
13+11 EUR
14+10.05 EUR
50+7.87 EUR
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G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
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50+21.79 EUR
100+19.65 EUR
250+18.05 EUR
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G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 244 Stücke:
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6+24.85 EUR
7+21.34 EUR
10+18.03 EUR
200+15.04 EUR
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G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 100 Stücke:
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5+31.84 EUR
10+29.72 EUR
20+27.81 EUR
50+26.07 EUR
100+24.46 EUR
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G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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100+19.65 EUR
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G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC Semiconductor g3r40mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 52 Stücke:
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7+23.13 EUR
8+19.28 EUR
10+18.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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G3R40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf 1200V 40m TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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GD2X25MPS17N GD2X25MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x25mps17n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
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10+64.93 EUR
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GD2X10MPS12D GD2X10MPS12D GeneSiC Semiconductor gd2x10mps12d.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 600 Stücke:
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GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x60mps06n.pdf 650V 120A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
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10+48.24 EUR
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GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
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10+33.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6117 NV6117 GeneSiC Semiconductor nv6117_datasheet_final_v0a10-11-20.pdf Power IC 8-Pin QFN EP
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NV6117-RA NV6117-RA GeneSiC Semiconductor nv6117_datasheet_final_v0a10-11-20.pdf Power IC 8-Pin QFN EP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+7.84 EUR
2000+6.62 EUR
3000+6.05 EUR
4000+5.57 EUR
5000+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6117-RA NV6117-RA GeneSiC Semiconductor nv6117_datasheet_final_v0a10-11-20.pdf Power IC 8-Pin QFN EP
auf Bestellung 5000 Stücke:
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1000+7.84 EUR
2000+6.62 EUR
3000+6.05 EUR
4000+5.57 EUR
5000+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU6A GBU6A GeneSiC Semiconductor gbu6g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 50V 2.8A 4-Pin Case GBU
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G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+21.69 EUR
100+19.83 EUR
250+18.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BR1005 BR1005 GeneSiC Semiconductor br1005.pdf Rectifier Bridge Diode Single 50V 10A 4-Pin Case BR-10
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBP206G KBP206G GeneSiC Semiconductor kbp210g.pdf description Diode Rectifier Bridge Single 600V 2A 4-Pin Case KBP
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KBU1010 KBU1010 GeneSiC Semiconductor kbu1006.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 10A 4-Pin Case KBU
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 16000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.09 EUR
120+4.69 EUR
270+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720485.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GENESIC SEMICONDUCTOR 2722357.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GENESIC SEMICONDUCTOR 2722356.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 2849 Stücke:
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GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720499.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 94 A, 79 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 94
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
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G2R1000MT17D G2R1000MT17D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189232.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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G3R45MT17D G3R45MT17D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189235.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
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GE06MPS06E GE06MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR 3163666.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 6 Stücke:
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GE06MPS06E GE06MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR GE06MPS06E.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 11 Stücke:
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GE06MPS06A GE06MPS06A GENESIC SEMICONDUCTOR 3163673.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J GD30MPS06J GENESIC SEMICONDUCTOR 3163696.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189236.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A GENESIC SEMICONDUCTOR 3967278.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 24 A, 32 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GENESIC SEMICONDUCTOR 3163683.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+9.27 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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GD10MPS12H gd10mps12h.pdf
GD10MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+5.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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GD10MPS12H gd10mps12h.pdf
GD10MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+5.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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GD10MPS12H gd10mps12h.pdf
GD10MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
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GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
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G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+11.71 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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G2R1000MT33J-TR g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+24.7 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J-TR g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+24.7 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU4J 251135481325926gbu4j_thru_gbu4m.pdf
GBU4J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case GBU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR88 br86.pdf
BR88
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case BR-8
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
145+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR88 br86.pdf
BR88
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case BR-8
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
145+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD02MPS12E gd02mps12e.pdf
GD02MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD02MPS12E gd02mps12e.pdf
GD02MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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GD02MPS12E gd02mps12e.pdf
GD02MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBL10 gbl10.pdf
GBL10
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
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G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
G3R75MT12J-TR
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+11.25 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
G3R75MT12J-TR
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+11.25 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBU8K kbu8m.pdf
KBU8K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case KBU
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 18000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBU8K kbu8m.pdf
KBU8K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case KBU
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 18000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+12.97 EUR
13+10.75 EUR
50+8.07 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+14.57 EUR
13+11 EUR
14+10.05 EUR
50+7.87 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+21.79 EUR
100+19.65 EUR
250+18.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+24.85 EUR
7+21.34 EUR
10+18.03 EUR
200+15.04 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+31.84 EUR
10+29.72 EUR
20+27.81 EUR
50+26.07 EUR
100+24.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+21.79 EUR
100+19.65 EUR
250+18.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12K g3r40mt12k.pdf
G3R40MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+23.13 EUR
8+19.28 EUR
10+18.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 40m TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X25MPS17N gd2x25mps17n.pdf
GD2X25MPS17N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+64.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X10MPS12D gd2x10mps12d.pdf
GD2X10MPS12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+10.87 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X60MPS06N gd2x60mps06n.pdf
GD2X60MPS06N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+48.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N gd2x30mps06n.pdf
GD2X30MPS06N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+33.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6117 nv6117_datasheet_final_v0a10-11-20.pdf
NV6117
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 8-Pin QFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6117-RA nv6117_datasheet_final_v0a10-11-20.pdf
NV6117-RA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 8-Pin QFN EP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+7.84 EUR
2000+6.62 EUR
3000+6.05 EUR
4000+5.57 EUR
5000+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6117-RA nv6117_datasheet_final_v0a10-11-20.pdf
NV6117-RA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 8-Pin QFN EP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+7.84 EUR
2000+6.62 EUR
3000+6.05 EUR
4000+5.57 EUR
5000+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU6A gbu6g.pdf
GBU6A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 50V 2.8A 4-Pin Case GBU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+21.69 EUR
100+19.83 EUR
250+18.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR1005 br1005.pdf
BR1005
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 50V 10A 4-Pin Case BR-10
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBP206G description kbp210g.pdf
KBP206G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Rectifier Bridge Single 600V 2A 4-Pin Case KBP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBU1010 kbu1006.pdf
KBU1010
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 10A 4-Pin Case KBU
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 16000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D g3r350mt12d.pdf
G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+5.09 EUR
120+4.69 EUR
270+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA01PNS150-201 2720485.pdf
GA01PNS150-201
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT06-214 2722357.pdf
GB01SLT06-214
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT12-214 2722356.pdf
GB01SLT12-214
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 2849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-220 2720499.pdf
GC20MPS12-220
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 94 A, 79 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 94
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D 3189232.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17D 3189235.pdf
G3R45MT17D
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06E 3163666.pdf
GE06MPS06E
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06E GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06A 3163673.pdf
GE06MPS06A
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J 3163696.pdf
GD30MPS06J
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D 3189236.pdf
G3R40MT12D
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A 3967278.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 24 A, 32 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X75MPS17N 3163683.pdf
GD2X75MPS17N
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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