Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2EDB8259FXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2EDR6258XXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 9A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 1480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2EDB8259FXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 9A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 16Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2EDB7259YXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 9A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2EDB8259YXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 9A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 2434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TLE9166EQEVALBOARDTOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85437090 Prozessorkern: TLE9166EQ Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9166EQ euEccn: NLR Unterart Anwendung: Türsteuerung hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TLS203B0EJVXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 1.22V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 20V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 20V euEccn: NLR Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 2.3V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 300mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 270mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1EDI3025ASXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 20A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: PWM usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 20A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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GS66502BMRXUSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1.6nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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GS66508TMRXUSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 6.1nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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GS61008TTRXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 8nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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GS61008PMRXUSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 8nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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GS66508TMRXUSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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GS66516BMRXUSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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GS66506TTRXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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GS66504BMRXUSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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GS66508BTRXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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GS66502BMRXUSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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GS61004BTRXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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GS61008PMRXUSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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GS61008TTRXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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GS61008TMRXUSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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GS66504BTRXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BSC0803LSATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MA5342MSXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: PQFN usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -10°C Lastimpedanz: 8ohm Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm euEccn: NLR Anzahl der Pins: 42Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Audioverstärker: D SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MA5342MSXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: PQFN usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -10°C Lastimpedanz: 8ohm Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm euEccn: NLR Anzahl der Pins: 42Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Audioverstärker: D SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MA5302MSXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - MA5302MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgang: 1 x Mono, 2 x Stereo Versorgungsspannung: 32V bis 64V, ±17V bis ±32V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: PQFN usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Lastimpedanz: 2ohm Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm euEccn: NLR Anzahl der Pins: 42Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Audioverstärker: D SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FF2MR12KM1HHPSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 290A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FF2400R12IP7PBPSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 2.4kA Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FF2400R12IP7BPSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 2.4kA Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMBG65R048M1HXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 183W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 183W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMBG65R033M2HXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMBG65R040M2HXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 197W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMBG65R020M2HXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 663 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMBG65R033M2HXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMBG65R060M2HXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMBG65R020M2HXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 663 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMBG65R040M2HXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 197W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMBG65R010M2HXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 158A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 535W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
![]() |
IMBG65R050M2HXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 172W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
![]() |
IMBG65R010M2HXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 158A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 535W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
![]() |
IMBG65R026M2HXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
![]() |
IMBG65R050M2HXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 172W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
![]() |
IMBG65R026M2HXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMBG65R007M2HXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 238A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 789W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMBG65R007M2HXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 238A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 789W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMW120R060M1HXKSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
![]() |
IMW65R010M2HXKSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 440W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
![]() |
IMW65R040M2HXKSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 172W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 427 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMW65R060M2HXKSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMW65R033M2HXKSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMW65R007M2HXKSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 171A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMWH170R650M1XKSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMW65R050M2HXKSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 153W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMW65R015M2HXKSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TCIXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Sensortyp/-technologie: Gassensor Betriebstemperatur, min.: -40°C Sensormontage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung, min.: 3.25V Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP euEccn: NLR Messbereich: - Abtastmethode: Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD) Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: XENSIV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.35V Medium: Gas Betriebstemperatur, max.: 105°C Ausgangsschnittstelle: I2C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TCIXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 1794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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EB2ED24103D1BCSPTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCSPTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung tariffCode: 84733020 Art des Zubehörs: Tochterplatine productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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EB2ED24103D1BCDPTOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733020 Art des Zubehörs: Tochterplatine productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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EB2ED24103D1BCDTOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733020 Art des Zubehörs: Tochterplatine productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
2EDB8259FXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB8259FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - 2EDB8259FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EDR6258XXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDR6258XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 2EDR6258XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EDB8259FXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB8259FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 2EDB8259FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EDB7259YXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB7259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 2EDB7259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EDB8259YXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB8259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 2EDB8259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TLE9166EQEVALBOARDTOBO1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9166EQEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, TLE9166EQ, Türsteuerung, Power-Management - Motorsteuerung
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: TLE9166EQ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9166EQ
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Türsteuerung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLE9166EQEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, TLE9166EQ, Türsteuerung, Power-Management - Motorsteuerung
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: TLE9166EQ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9166EQ
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Türsteuerung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TLS203B0EJVXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLS203B0EJVXUMA1 - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.3V bis 20Vin, 270mV Dropout, 1.22V bis 20Vout/300mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.22V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 270mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLS203B0EJVXUMA1 - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.3V bis 20Vin, 270mV Dropout, 1.22V bis 20Vout/300mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.22V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 270mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
1EDI3025ASXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3025ASXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: PWM
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1EDI3025ASXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: PWM
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS66502BMRXUSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.6nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.6nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS66508TMRXUSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.1nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.1nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS61008TTRXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS61008PMRXUSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS66508TMRXUSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS66516BMRXUSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS66506TTRXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66506TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 22.5 A, 0.09 ohm, 4.5 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - GS66506TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 22.5 A, 0.09 ohm, 4.5 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS66504BMRXUSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS66508BTRXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS66502BMRXUSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS61004BTRXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS61004BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.022 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - GS61004BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.022 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS61008PMRXUSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS61008TTRXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS61008TMRXUSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GS66504BTRXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66504BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - GS66504BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC0803LSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BSC0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MA5342MSXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo
Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Lastimpedanz: 8ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo
Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Lastimpedanz: 8ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MA5342MSXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo
Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Lastimpedanz: 8ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo
Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Lastimpedanz: 8ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MA5302MSXUMA1 |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - MA5302MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 1 x Mono, 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 32V bis 64V, ±17V bis ±32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 2ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - MA5302MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 1 x Mono, 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 32V bis 64V, ±17V bis ±32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 2ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FF2MR12KM1HHPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FF2400R12IP7PBPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF2400R12IP7PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2.4kA
Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FF2400R12IP7PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2.4kA
Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FF2400R12IP7BPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF2400R12IP7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2.4kA
Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FF2400R12IP7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2.4kA
Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R048M1HXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R048M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 183W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R048M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 183W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R033M2HXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R040M2HXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R020M2HXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R033M2HXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R060M2HXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R020M2HXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R040M2HXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R010M2HXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R050M2HXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R010M2HXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R026M2HXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R050M2HXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R026M2HXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R007M2HXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R007M2HXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMW120R060M1HXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMW65R010M2HXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 130 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMW65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 130 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMW65R040M2HXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMW65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMW65R060M2HXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMW65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMW65R033M2HXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMW65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMW65R007M2HXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 171 A, 650 V, 0.0085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMW65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 171 A, 650 V, 0.0085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMWH170R650M1XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMWH170R650M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.5 A, 1.7 kV, 0.58 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMWH170R650M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.5 A, 1.7 kV, 0.58 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMW65R050M2HXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMW65R015M2HXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 93 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMW65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 93 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TCIXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TCIXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, DSOSP-14, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sensortyp/-technologie: Gassensor
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 3.25V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP
euEccn: NLR
Messbereich: -
Abtastmethode: Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.35V
Medium: Gas
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TCIXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, DSOSP-14, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sensortyp/-technologie: Gassensor
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 3.25V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP
euEccn: NLR
Messbereich: -
Abtastmethode: Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.35V
Medium: Gas
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TCIXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TCIXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, DSOSP-14, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - TCIXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, DSOSP-14, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
EB2ED24103D1BCSPTOBO1 |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCSPTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCSPTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
EB2ED24103D1BCDPTOBO1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCDPTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCDPTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
EB2ED24103D1BCDTOBO1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCDTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCDTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH