| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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GS66508BTRXUMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS66502BMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS61004BTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS61004BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.022 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS61008PMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS61008TTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS61008TMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS66504BTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS66504BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7319TRPBF | INFINEON |
 Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 77656 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC0803LSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MA5342MSXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: PQFN usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -10°C Lastimpedanz: 8ohm Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm euEccn: NLR Anzahl der Pins: 42Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Audioverstärker: D SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MA5342MSXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: PQFN usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -10°C Lastimpedanz: 8ohm Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm euEccn: NLR Anzahl der Pins: 42Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Audioverstärker: D SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MA5302MSXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - MA5302MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgang: 1 x Mono, 2 x Stereo Versorgungsspannung: 32V bis 64V, ±17V bis ±32V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: PQFN usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Lastimpedanz: 2ohm Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm euEccn: NLR Anzahl der Pins: 42Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Audioverstärker: D SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF2MR12KM1HHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 290A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF2400R12IP7PBPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF2400R12IP7PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 2.4kA Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF2400R12IP7BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF2400R12IP7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 2.4kA Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R048M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R048M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 183W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 183W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R033M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R040M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 197W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R020M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 663 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R033M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R060M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R020M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 663 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R040M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 197W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R010M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 158A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 535W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R050M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 172W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R010M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 158A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 535W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R026M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R050M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 172W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R026M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R007M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 238A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 789W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R007M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 238A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 789W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMW120R060M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMW65R010M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMW65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 130 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 440W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMW65R040M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMW65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 172W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 427 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMW65R060M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMW65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMW65R033M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMW65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMW65R007M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMW65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 171 A, 650 V, 0.0085 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 171A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMWH170R650M1XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMWH170R650M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.5 A, 1.7 kV, 0.58 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMW65R050M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 153W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMW65R015M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMW65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 93 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML9301TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 10192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TCIXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TCIXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, DSOSP-14, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Sensortyp/-technologie: Gassensor Betriebstemperatur, min.: -40°C Sensormontage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung, min.: 3.25V Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP euEccn: NLR Messbereich: - Abtastmethode: Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD) Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: XENSIV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.35V Medium: Gas Betriebstemperatur, max.: 105°C Ausgangsschnittstelle: I2C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TCIXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TCIXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, DSOSP-14, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 1794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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EB2ED24103D1BCSPTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCSPTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung tariffCode: 84733020 Art des Zubehörs: Tochterplatine productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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EB2ED24103D1BCDPTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCDPTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung tariffCode: 84733020 Art des Zubehörs: Tochterplatine productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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EB2ED24103D1BCDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCDTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung tariffCode: 84733020 Art des Zubehörs: Tochterplatine productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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EB2ED24103D1BCSTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCSTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung tariffCode: 84733020 Art des Zubehörs: Tochterplatine productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ISC033N03LF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 108 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ISC033N03LF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 108 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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XMC1401Q048F0064AAXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - XMC1401Q048F0064AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 12Kanäle Programmspeichergröße: 64KB Versorgungsspannung, min.: 1.8V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz euEccn: NLR RAM-Speichergröße: 16KB Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s) Anzahl der Pins: 48Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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XMC1404Q048X0200AAXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - XMC1404Q048X0200AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 200 KB tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VQFN usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 12Kanäle Programmspeichergröße: 200KB Versorgungsspannung, min.: 1.8V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz euEccn: NLR MCU-Familie: XMC1000 RAM-Speichergröße: 16KB MCU-Baureihe: XMC1400 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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XMC1404Q048X0064AAXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - XMC1404Q048X0064AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 12Kanäle Programmspeichergröße: 64KB Versorgungsspannung, min.: 1.8V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz euEccn: NLR RAM-Speichergröße: 16KB Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s) Anzahl der Pins: 48Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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XMC1404Q064X0200AAXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - XMC1404Q064X0200AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 200 KB tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 12Kanäle Programmspeichergröße: 200KB Versorgungsspannung, min.: 1.8V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz euEccn: NLR RAM-Speichergröße: 16KB Anzahl der Ein-/Ausgänge: 48I/O(s) Anzahl der Pins: 64Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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XMC1100T016F0016ABXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - XMC1100T016F0016ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 16 KB tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 6Kanäle Programmspeichergröße: 16KB Versorgungsspannung, min.: 1.8V Betriebsfrequenz, max.: 32MHz euEccn: NLR MCU-Familie: XMC1000 RAM-Speichergröße: 16KB MCU-Baureihe: XMC1100 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s) Anzahl der Pins: 16Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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XMC1403Q064X0200AAXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - XMC1403Q064X0200AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 200 KB tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VQFN usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 12Kanäle Programmspeichergröße: 200KB Versorgungsspannung, min.: 1.8V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz euEccn: NLR MCU-Familie: XMC1000 RAM-Speichergröße: 16KB MCU-Baureihe: XMC1400 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 48I/O(s) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XMC1402Q048X0128AAXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - XMC1402Q048X0128AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VQFN usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 12Kanäle Programmspeichergröße: 128KB Versorgungsspannung, min.: 1.8V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz euEccn: NLR MCU-Familie: XMC1000 RAM-Speichergröße: 16KB MCU-Baureihe: XMC1400 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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XMC1402Q048X0128AAXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - XMC1402Q048X0128AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 12Kanäle Programmspeichergröße: 128KB Versorgungsspannung, min.: 1.8V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz euEccn: NLR RAM-Speichergröße: 16KB Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s) Anzahl der Pins: 48Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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XMC1404Q064X0200AAXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - XMC1404Q064X0200AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 200 KB tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VQFN usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 12Kanäle Programmspeichergröße: 200KB Versorgungsspannung, min.: 1.8V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz euEccn: NLR MCU-Familie: XMC1000 RAM-Speichergröße: 16KB MCU-Baureihe: XMC1400 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 48I/O(s) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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XMC1402Q040X0128AAXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - XMC1402Q040X0128AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VQFN usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 12Kanäle Programmspeichergröße: 128KB Versorgungsspannung, min.: 1.8V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz euEccn: NLR MCU-Familie: XMC1000 RAM-Speichergröße: 16KB MCU-Baureihe: XMC1400 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 27I/O(s) Anzahl der Pins: 40Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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XMC1100T016F0016ABXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - XMC1100T016F0016ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 16 KB tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 6Kanäle Programmspeichergröße: 16KB Versorgungsspannung, min.: 1.8V Betriebsfrequenz, max.: 32MHz euEccn: NLR MCU-Familie: XMC1000 RAM-Speichergröße: 16KB MCU-Baureihe: XMC1100 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s) Anzahl der Pins: 16Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GS66508BTRXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS66502BMRXUSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS61004BTRXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS61004BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.022 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
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Description: INFINEON - GS61004BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.022 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS61008PMRXUSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
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Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS61008TTRXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS61008TMRXUSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GS66504BTRXUMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66504BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - GS66504BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF7319TRPBF | |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 77656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSC0803LSATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BSC0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MA5342MSXUMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo
Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Lastimpedanz: 8ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo
Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Lastimpedanz: 8ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MA5342MSXUMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo
Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Lastimpedanz: 8ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo
Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Lastimpedanz: 8ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MA5302MSXUMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - MA5302MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 1 x Mono, 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 32V bis 64V, ±17V bis ±32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 2ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - MA5302MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 1 x Mono, 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 32V bis 64V, ±17V bis ±32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 2ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FF2MR12KM1HHPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FF2400R12IP7PBPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF2400R12IP7PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2.4kA
Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FF2400R12IP7PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2.4kA
Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FF2400R12IP7BPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF2400R12IP7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2.4kA
Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FF2400R12IP7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2.4kA
Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMBG65R048M1HXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R048M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 183W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R048M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 183W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMBG65R033M2HXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMBG65R040M2HXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMBG65R020M2HXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMBG65R033M2HXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMBG65R060M2HXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMBG65R020M2HXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMBG65R040M2HXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMBG65R010M2HXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMBG65R050M2HXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
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Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
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Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMBG65R010M2HXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK)
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK)
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMBG65R026M2HXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMBG65R050M2HXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
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Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMBG65R026M2HXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
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Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMBG65R007M2HXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK)
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
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Produktpalette: CoolSiC G2 Series
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Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK)
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
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Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMBG65R007M2HXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK)
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
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Produktpalette: CoolSiC G2 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMW120R060M1HXKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMW65R010M2HXKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 130 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMW65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 130 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMW65R040M2HXKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMW65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMW65R060M2HXKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMW65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMW65R033M2HXKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMW65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMW65R007M2HXKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 171 A, 650 V, 0.0085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMW65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 171 A, 650 V, 0.0085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMWH170R650M1XKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMWH170R650M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.5 A, 1.7 kV, 0.58 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMWH170R650M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.5 A, 1.7 kV, 0.58 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMW65R050M2HXKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IMW65R015M2HXKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 93 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMW65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 93 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLML9301TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| TCIXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TCIXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, DSOSP-14, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sensortyp/-technologie: Gassensor
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 3.25V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP
euEccn: NLR
Messbereich: -
Abtastmethode: Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.35V
Medium: Gas
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TCIXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, DSOSP-14, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sensortyp/-technologie: Gassensor
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 3.25V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP
euEccn: NLR
Messbereich: -
Abtastmethode: Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.35V
Medium: Gas
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| TCIXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TCIXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, DSOSP-14, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - TCIXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, DSOSP-14, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| EB2ED24103D1BCSPTOBO1 |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCSPTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCSPTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| EB2ED24103D1BCDPTOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCDPTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCDPTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| EB2ED24103D1BCDTOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCDTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCDTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| EB2ED24103D1BCSTOBO1 |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCSTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - EB2ED24103D1BCSTOBO1 - Tochterplatine, EB 2ED2410 3M-Hauptplatinen, Leistungsverteilung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine EB 2ED2410 3M von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ISC033N03LF2SATMA1 |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 108 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - ISC033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 108 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ISC033N03LF2SATMA1 |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 108 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - ISC033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 108 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| XMC1401Q048F0064AAXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1401Q048F0064AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 16KB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - XMC1401Q048F0064AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 16KB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| XMC1404Q048X0200AAXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1404Q048X0200AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 200 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 200KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - XMC1404Q048X0200AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 200 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 200KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| XMC1404Q048X0064AAXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1404Q048X0064AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
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Anzahl der Pins: 48Pin(s)
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Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - XMC1404Q048X0064AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
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Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
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Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
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Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| XMC1404Q064X0200AAXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1404Q064X0200AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 200 KB
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - XMC1404Q064X0200AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 200 KB
tariffCode: 85423190
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Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| XMC1100T016F0016ABXUMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1100T016F0016ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 16 KB
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ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
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Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
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Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
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MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1100
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - XMC1100T016F0016ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 16 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 6Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1100
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| XMC1403Q064X0200AAXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1403Q064X0200AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 200 KB
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rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
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Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 200KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 48I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers
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Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - XMC1403Q064X0200AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 200 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 200KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 48I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| XMC1402Q048X0128AAXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1402Q048X0128AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
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Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
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Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - XMC1402Q048X0128AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
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Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
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MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| XMC1402Q048X0128AAXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1402Q048X0128AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
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Betriebstemperatur, min.: -40°C
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Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
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Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - XMC1402Q048X0128AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
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rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 16KB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| XMC1404Q064X0200AAXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1404Q064X0200AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 200 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 200KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 48I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - XMC1404Q064X0200AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 200 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 200KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 48I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| XMC1402Q040X0128AAXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1402Q040X0128AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 27I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - XMC1402Q040X0128AAXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 27I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1400 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| XMC1100T016F0016ABXUMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1100T016F0016ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 16 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 6Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1100
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - XMC1100T016F0016ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 16 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 6Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1100
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH