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FQB6N80TM ON-Semicoductor fqb6n80-d.pdf N-MOSFET 5.8A 800V 158W 1.95Ω FQB6N80TM TFQB6n80tm
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FQP6N80C FQP6N80C ONSEMI FQP6N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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FQP6N80C ON-Semicoductor fqpf6n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c
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FQP6N80C FQP6N80C ONSEMI FQP6N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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FQP6N80C FQP6N80C onsemi / Fairchild FQPF6N80C_D-2313685.pdf MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
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FQP6N80C FQP6N80C ON Semiconductor fqpf6n80c.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQPF6N80C FQPF6N80C ON Semiconductor fqpf6n80c.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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HI1206N800R-10 HI1206N800R-10 LAIRD 40849355371245752hi1206n800r-10.pdf Ferrite Beads High Current Chip 80Ohm 25% 100MHz 3A 0.035Ohm DCR 1206 T/R
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HI1206N800R-10 HI1206N800R-10 Laird Performance Materials hi1206n800r_10_datasheet-2947039.pdf Ferrite Beads 80ohms 100MHz 3A Monolithic 1206 SMD
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IXFH16N80P IXFH16N80P IXYS media-3320744.pdf MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds
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SIHA6N80AE-GE3 SIHA6N80AE-GE3 Vishay Semiconductors siha6n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220FP
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SIHB6N80E-GE3 SIHB6N80E-GE3 Vishay / Siliconix sihb6n80e.pdf MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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SIHD6N80AE-GE3 SIHD6N80AE-GE3 Vishay Semiconductors sihd6n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252)
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SIHD6N80AE-GE3 Vishay sihd6n80ae.pdf Power MOSFET
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SIHD6N80E-GE3 SIHD6N80E-GE3 Vishay Semiconductors sihd6n80e.pdf MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
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SIHP6N80AE-GE3 SIHP6N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihp6n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V
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SIHP6N80E-BE3 SIHP6N80E-BE3 Vishay / Siliconix sihp6n80e.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V
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SIHP6N80E-GE3 SIHP6N80E-GE3 Vishay / Siliconix sihp6n80e.pdf MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
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SIHU6N80AE-GE3 SIHU6N80AE-GE3 Vishay Semiconductors sihu6n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251)
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SPA06N80C3 SPA06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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33+ 2.19 EUR
43+ 1.67 EUR
46+ 1.57 EUR
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SPA06N80C3 SPA06N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPA06N80C3_DS_v02_92_EN-1732185.pdf MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
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Mindestbestellmenge: 11
SPA06N80C3XKSA1 SPA06N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPA06N80C3_DS_v02_92_EN-1732185.pdf MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
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11+5.02 EUR
14+ 3.95 EUR
100+ 3.28 EUR
500+ 2.86 EUR
1000+ 2.32 EUR
5000+ 2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 11
SPD06N80C3ATMA1 Infineon Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173 Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3 TSPD06n80c3
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SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD06N80C3_DataSheet_v02_94_EN-3363740.pdf MOSFET LOW POWER_LEGACY
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12+4.65 EUR
23+ 2.26 EUR
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500+ 2.2 EUR
1000+ 2.12 EUR
2500+ 2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 12
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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SPP06N80C3 SPP06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP06N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 29 Stücke:
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24+3.03 EUR
26+ 2.76 EUR
29+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 24
SPP06N80C3 Infineon description Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPP06N80C3 TSPP06N80C3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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10+3.46 EUR
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SPP06N80C3 SPP06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP06N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
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24+3.03 EUR
26+ 2.76 EUR
29+ 2.46 EUR
250+ 2 EUR
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SPP06N80C3 SPP06N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPP06N80C3_DS_v02_91_en-1732179.pdf description MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
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11+5.02 EUR
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500+ 2.76 EUR
1000+ 2.38 EUR
2500+ 2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11
SPP06N80C3XKSA1 SPP06N80C3XKSA1 Infineon Technologies spp06n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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SPP06N80C3XKSA1 SPP06N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP06N80C3_DS_v02_91_en-1732179.pdf MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
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13+4.03 EUR
17+ 3.07 EUR
100+ 2.78 EUR
500+ 2.54 EUR
1000+ 2.26 EUR
2500+ 2.25 EUR
5000+ 2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 13
STB6N80K5 STB6N80K5 STMicroelectronics 725201003193875dm00085379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB6N80K5 STB6N80K5 STMicroelectronics stb6n80k5-1850256.pdf MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 1007 Stücke:
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11+4.86 EUR
13+ 4.03 EUR
100+ 3.22 EUR
250+ 2.96 EUR
500+ 2.7 EUR
1000+ 2.26 EUR
2000+ 2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STD6N80K5 STD6N80K5 STMicroelectronics en.DM00085379.pdf MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
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10+5.28 EUR
12+ 4.39 EUR
100+ 3.51 EUR
250+ 3.43 EUR
500+ 2.94 EUR
1000+ 2.51 EUR
2500+ 2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STP6N80K5 STP6N80K5 STMicroelectronics en.DM00085379.pdf MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.39 EUR
14+ 3.87 EUR
100+ 3.33 EUR
250+ 3.17 EUR
500+ 2.99 EUR
1000+ 2.68 EUR
2000+ 2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12
WMK06N80M3 WMK06N80M3 WAYON WMx06N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.39 EUR
62+ 1.15 EUR
78+ 0.93 EUR
144+ 0.5 EUR
152+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 52
WMK06N80M3 WMK06N80M3 WAYON WMx06N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
62+ 1.15 EUR
78+ 0.93 EUR
144+ 0.5 EUR
152+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 52
WML06N80M3 WML06N80M3 WAYON WMx06N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.02 EUR
94+ 0.76 EUR
107+ 0.67 EUR
115+ 0.62 EUR
122+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 71
WML06N80M3 WML06N80M3 WAYON WMx06N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
94+ 0.76 EUR
107+ 0.67 EUR
115+ 0.62 EUR
122+ 0.59 EUR
500+ 0.56 EUR
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DD106N800K AEG 05+
auf Bestellung 300 Stücke:
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DD76N800K AEG 05+
auf Bestellung 460 Stücke:
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DT36N800KOC AEG 05+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DT46N800KOC AEG 05+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DT56N800KOF AEG 05+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N80 FAIRCHILD 07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N80 FAIRCHILD SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N80 FAIRCHILD TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N80 fairchild to-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
HI1206N800R-00 HI.pdf
auf Bestellung 1047000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
HI1206N800R-10 STEWARD EMI_Filtering_and_RF_Inductors.pdf 06+
auf Bestellung 5450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MTM6N80 MOTOROLA
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MTM6N80E MOTOROLA
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MTY16N80E
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SDH16N80P SW 05+
auf Bestellung 100 Stücke:
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SDL16N80P SW 05+
auf Bestellung 100 Stücke:
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SPD6N80C3
auf Bestellung 2000 Stücke:
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SSH6N80
auf Bestellung 72500 Stücke:
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SSP6N80A
auf Bestellung 10000 Stücke:
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SSS6N80
auf Bestellung 100000 Stücke:
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SSS6N80A
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FQB6N80TM fqb6n80-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
N-MOSFET 5.8A 800V 158W 1.95Ω FQB6N80TM TFQB6n80tm
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FQP6N80C FQP6N80C.pdf
FQP6N80C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 268 Stücke:
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28+2.57 EUR
32+ 2.3 EUR
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FQP6N80C fqpf6n80c-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c
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20+2.19 EUR
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FQP6N80C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 268 Stücke:
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28+2.57 EUR
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FQP6N80C FQPF6N80C_D-2313685.pdf
FQP6N80C
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
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10+5.64 EUR
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500+ 3.22 EUR
1000+ 2.6 EUR
5000+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FQP6N80C fqpf6n80c.pdf
FQP6N80C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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FQPF6N80C fqpf6n80c.pdf
FQPF6N80C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 999 Stücke:
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HI1206N800R-10 40849355371245752hi1206n800r-10.pdf
HI1206N800R-10
Hersteller: LAIRD
Ferrite Beads High Current Chip 80Ohm 25% 100MHz 3A 0.035Ohm DCR 1206 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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HI1206N800R-10 hi1206n800r_10_datasheet-2947039.pdf
HI1206N800R-10
Hersteller: Laird Performance Materials
Ferrite Beads 80ohms 100MHz 3A Monolithic 1206 SMD
auf Bestellung 58551 Stücke:
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103+0.51 EUR
182+ 0.29 EUR
205+ 0.25 EUR
250+ 0.22 EUR
500+ 0.19 EUR
1000+ 0.16 EUR
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IXFH16N80P media-3320744.pdf
IXFH16N80P
Hersteller: IXYS
MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds
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3+21.61 EUR
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30+ 16.8 EUR
120+ 15.44 EUR
270+ 14.53 EUR
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SIHA6N80AE-GE3 siha6n80ae.pdf
SIHA6N80AE-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220FP
auf Bestellung 566 Stücke:
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14+3.82 EUR
17+ 3.07 EUR
100+ 2.42 EUR
500+ 2.06 EUR
1000+ 1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 14
SIHB6N80E-GE3 sihb6n80e.pdf
SIHB6N80E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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9+6.4 EUR
10+ 5.36 EUR
100+ 4.26 EUR
250+ 3.93 EUR
500+ 3.56 EUR
1000+ 3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 9
SIHD6N80AE-GE3 sihd6n80ae.pdf
SIHD6N80AE-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252)
auf Bestellung 4219 Stücke:
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17+3.07 EUR
26+ 2.06 EUR
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500+ 1.57 EUR
1000+ 1.27 EUR
3000+ 1.26 EUR
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SIHD6N80AE-GE3 sihd6n80ae.pdf
Hersteller: Vishay
Power MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
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SIHD6N80E-GE3 sihd6n80e.pdf
SIHD6N80E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 2427 Stücke:
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11+4.97 EUR
13+ 4.11 EUR
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250+ 3.15 EUR
500+ 2.99 EUR
1000+ 2.7 EUR
3000+ 2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 11
SIHP6N80AE-GE3 sihp6n80ae.pdf
SIHP6N80AE-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
auf Bestellung 763 Stücke:
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14+3.95 EUR
17+ 3.22 EUR
100+ 2.51 EUR
500+ 2.12 EUR
1000+ 1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 14
SIHP6N80E-BE3 sihp6n80e.pdf
SIHP6N80E-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
auf Bestellung 1377 Stücke:
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10+5.69 EUR
13+ 4.08 EUR
100+ 3.54 EUR
250+ 3.41 EUR
500+ 3.28 EUR
1000+ 3.25 EUR
2500+ 3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SIHP6N80E-GE3 sihp6n80e.pdf
SIHP6N80E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 646 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
10+5.69 EUR
12+ 4.71 EUR
100+ 3.74 EUR
250+ 3.48 EUR
500+ 3.15 EUR
1000+ 2.63 EUR
2000+ 2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SIHU6N80AE-GE3 sihu6n80ae.pdf
SIHU6N80AE-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251)
auf Bestellung 5653 Stücke:
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16+3.33 EUR
20+ 2.73 EUR
100+ 2.13 EUR
500+ 1.8 EUR
1000+ 1.47 EUR
3000+ 1.39 EUR
6000+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16
SPA06N80C3
SPA06N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+2.43 EUR
33+ 2.19 EUR
43+ 1.67 EUR
46+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30
SPA06N80C3 Infineon_SPA06N80C3_DS_v02_92_EN-1732185.pdf
SPA06N80C3
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 3385 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+5.12 EUR
13+ 4.29 EUR
100+ 3.38 EUR
250+ 3.25 EUR
500+ 2.76 EUR
1000+ 2.44 EUR
2500+ 2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 11
SPA06N80C3XKSA1 Infineon_SPA06N80C3_DS_v02_92_EN-1732185.pdf
SPA06N80C3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 443 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
11+5.02 EUR
14+ 3.95 EUR
100+ 3.28 EUR
500+ 2.86 EUR
1000+ 2.32 EUR
5000+ 2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 11
SPD06N80C3ATMA1 Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3 TSPD06n80c3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+9.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5
SPD06N80C3ATMA1 Infineon_SPD06N80C3_DataSheet_v02_94_EN-3363740.pdf
SPD06N80C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 33840 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+4.65 EUR
23+ 2.26 EUR
100+ 2.25 EUR
500+ 2.2 EUR
1000+ 2.12 EUR
2500+ 2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 12
SPD06N80C3ATMA1 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf
SPD06N80C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SPP06N80C3 description SPP06N80C3.pdf
SPP06N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+3.03 EUR
26+ 2.76 EUR
29+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 24
SPP06N80C3 description
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPP06N80C3 TSPP06N80C3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SPP06N80C3 description SPP06N80C3.pdf
SPP06N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+3.03 EUR
26+ 2.76 EUR
29+ 2.46 EUR
250+ 2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
SPP06N80C3 description Infineon_SPP06N80C3_DS_v02_91_en-1732179.pdf
SPP06N80C3
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+5.02 EUR
13+ 4.16 EUR
100+ 3.3 EUR
250+ 3.07 EUR
500+ 2.76 EUR
1000+ 2.38 EUR
2500+ 2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11
SPP06N80C3XKSA1 spp06n80c3_rev2.91.pdf
SPP06N80C3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 45858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SPP06N80C3XKSA1 Infineon_SPP06N80C3_DS_v02_91_en-1732179.pdf
SPP06N80C3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 1464 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+4.03 EUR
17+ 3.07 EUR
100+ 2.78 EUR
500+ 2.54 EUR
1000+ 2.26 EUR
2500+ 2.25 EUR
5000+ 2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 13
STB6N80K5 725201003193875dm00085379.pdf
STB6N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB6N80K5 stb6n80k5-1850256.pdf
STB6N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 1007 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+4.86 EUR
13+ 4.03 EUR
100+ 3.22 EUR
250+ 2.96 EUR
500+ 2.7 EUR
1000+ 2.26 EUR
2000+ 2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STD6N80K5 en.DM00085379.pdf
STD6N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+5.28 EUR
12+ 4.39 EUR
100+ 3.51 EUR
250+ 3.43 EUR
500+ 2.94 EUR
1000+ 2.51 EUR
2500+ 2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STP6N80K5 en.DM00085379.pdf
STP6N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+4.39 EUR
14+ 3.87 EUR
100+ 3.33 EUR
250+ 3.17 EUR
500+ 2.99 EUR
1000+ 2.68 EUR
2000+ 2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12
WMK06N80M3 WMx06N80M3.pdf
WMK06N80M3
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
52+1.39 EUR
62+ 1.15 EUR
78+ 0.93 EUR
144+ 0.5 EUR
152+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 52
WMK06N80M3 WMx06N80M3.pdf
WMK06N80M3
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
52+1.39 EUR
62+ 1.15 EUR
78+ 0.93 EUR
144+ 0.5 EUR
152+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 52
WML06N80M3 WMx06N80M3.pdf
WML06N80M3
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
71+1.02 EUR
94+ 0.76 EUR
107+ 0.67 EUR
115+ 0.62 EUR
122+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 71
WML06N80M3 WMx06N80M3.pdf
WML06N80M3
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
71+1.02 EUR
94+ 0.76 EUR
107+ 0.67 EUR
115+ 0.62 EUR
122+ 0.59 EUR
500+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 71
DD106N800K
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DD76N800K
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DT36N800KOC
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DT46N800KOC
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DT56N800KOF
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N80
Hersteller: FAIRCHILD
07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB6N80
Hersteller: FAIRCHILD
SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N80
Hersteller: FAIRCHILD
TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N80
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
HI1206N800R-00 HI.pdf
auf Bestellung 1047000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
HI1206N800R-10 EMI_Filtering_and_RF_Inductors.pdf
Hersteller: STEWARD
06+
auf Bestellung 5450 Stücke:
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MTM6N80
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 1100 Stücke:
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MTM6N80E
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 1100 Stücke:
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MTY16N80E
auf Bestellung 1000 Stücke:
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SDH16N80P
Hersteller: SW
05+
auf Bestellung 100 Stücke:
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SDL16N80P
Hersteller: SW
05+
auf Bestellung 100 Stücke:
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SPD6N80C3
auf Bestellung 2000 Stücke:
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SSH6N80
auf Bestellung 72500 Stücke:
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SSP6N80A
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SSS6N80
auf Bestellung 100000 Stücke:
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SSS6N80A
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