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DMT4011LFG-13

Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 9200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm

auf Bestellung 54 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4011LFG-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.36 EUR
6000+	0.31 EUR
9000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4011LFG-13

Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 9200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm

auf Bestellung 54 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 54 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4011LFG-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V

auf Bestellung 3841 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.51 EUR
10+	0.92 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.42 EUR
3000+	0.37 EUR
6000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4011LFG-7

Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 9200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm

auf Bestellung 124 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4011LFG-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 9776 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.46 EUR
23+	0.92 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4011LFG-7

Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 9200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm

auf Bestellung 124 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4011LFG-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V

auf Bestellung 348 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	1.09 EUR
10+	0.83 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.4 EUR
2000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4011LFG-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.32 EUR
4000+	0.31 EUR
6000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4011LFG-7

Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4011LSS-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4011LSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.31W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4014LDV-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.93 EUR
15+	1.44 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4014LDV-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4014LDV-7

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K

auf Bestellung 1335 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.75 EUR
10+	1.45 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.8 EUR
2000+	0.68 EUR
10000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4015LDV-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 21.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4015LDV-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 21.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.55 EUR
4000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT40M9LPS-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT43M8LFV-13

Diodes Incorporated

MOSFETs 40V N-Ch Enhance Mode

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT43M8LFV-7

Diodes Incorporated

MOSFETs 40V N-Ch Enhance Mode

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT47M2LDV-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT47M2LDV-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT47M2LDV-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT47M2LDV-7

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 2K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT47M2LDVQ

Diodes Incorporated

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT47M2LDVQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT47M2LDVQ-13

Trans MOSFET N-CH 40V 11.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT47M2LDVQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2676 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.2 EUR
11+	2.03 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT47M2LDVQ-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI3333-8 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT47M2LDVQ-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT47M2LDVQ-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI3333-8 T&R 2K

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.12 EUR
10+	1.98 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.95 EUR
2000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT47M2LDVQ-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 255 Stücke:

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7+	3.2 EUR
11+	2.03 EUR
100+	1.36 EUR

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DMT47M2LDVQ-7

Trans MOSFET N-CH 40V 11.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

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DMT47M2SFVW-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMT47M2SFVW-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMT47M2SFVW-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V

auf Bestellung 112000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.49 EUR
6000+	0.45 EUR
10000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT47M2SFVW-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V

auf Bestellung 112000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.27 EUR
20+	1.09 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.54 EUR

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DMT47M2SFVW-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

auf Bestellung 3505 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.51 EUR
10+	1.06 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.51 EUR
2000+	0.5 EUR
4000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT47M2SFVWQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.42 EUR
6000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT47M2SFVWQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT47M2SFVWQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6188 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.74 EUR
20+	1.08 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT47M2SFVWQ-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT47M2SFVWQ-7

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

auf Bestellung 21502 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.63 EUR
10+	1.34 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.73 EUR
2000+	0.68 EUR
4000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT47M2SFVWQ-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4D47K

Cornell Dubilier Electronics (CDE)

Description: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4D68K-F

Cornell Dubilier - CDE

Film Capacitors .0068UF 400V 10%

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4P1K

Cornell Dubilier Electronics (CDE)

Description: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 200 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4P1K-F

Cornell Dubilier - CDE

Film Capacitors 0.1uF 400V 10%

auf Bestellung 3030 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.52 EUR
10+	10.77 EUR
50+	9.03 EUR
100+	7.94 EUR
200+	7.91 EUR
600+	7.25 EUR
1000+	6.97 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4P1K-F

Knowles / Illinois Capacitor

Film Capacitors 0.1uF 400V 10%

auf Bestellung 2894 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.9 EUR
10+	9.56 EUR
50+	8.21 EUR
100+	7.46 EUR
600+	7.02 EUR
1000+	6.89 EUR
2000+	6.45 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4P1K-F

Knowles / Cornell Dubilier (CDE)

Film Capacitors 0.1uF 400V 10%

auf Bestellung 2894 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.77 EUR
10+	7.44 EUR
100+	6.76 EUR
600+	6.34 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4P1K-F

Cornell Dubilier Knowles

Description: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL
Size / Dimension: 0.882" L x 0.472" W (22.40mm x 12.00mm)
Capacitance: 0.1 µF
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.763" (19.37mm)
Voltage Rating - DC: 400V
Voltage Rating - AC: 200V
Termination: PC Pins
Lead Spacing: 0.732" (18.60mm)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Radial
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Dielectric Material: Polyester, Metallized

auf Bestellung 1447 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.55 EUR
10+	10.79 EUR
50+	9.06 EUR
200+	7.96 EUR
600+	7.28 EUR
1000+	7.01 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4P22K

Cornell Dubilier Electronics (CDE)

Description: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4P22K-F

Knowles / Illinois Capacitor

Film Capacitors 0.22uF 400V 10%

auf Bestellung 41 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.89 EUR
10+	13.34 EUR
50+	12.86 EUR
100+	12.84 EUR
1000+	10.31 EUR
2000+	8.95 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4P22K-F

Knowles / Cornell Dubilier (CDE)

Film Capacitors 0.22uF 400V 10%

auf Bestellung 141 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16.54 EUR
10+	12.35 EUR
100+	11.66 EUR
1000+	8.88 EUR
2500+	8.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4P22K-F

Cornell Dubilier - CDE

Film Capacitors 0.22uF 400V 10%

auf Bestellung 142 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.33 EUR
10+	12.92 EUR
50+	11.1 EUR
100+	11.08 EUR
1000+	8.95 EUR
2500+	8.65 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4P22K-F

Cornell Dubilier Electronics (CDE)

Description: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4S1K-F

Cornell Dubilier Electronics (CDE)

Description: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD
Size / Dimension: 0.567" L x 0.331" W (14.40mm x 8.40mm)
Capacitance: 10000 pF
Part Status: Active
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Radial
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Height - Seated (Max): 0.551" (14.00mm)
Voltage Rating - DC: 400V
Voltage Rating - AC: 200V
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Termination: PC Pins
Lead Spacing: 0.402" (10.20mm)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C

auf Bestellung 27979 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.18 EUR
10+	3.97 EUR
500+	2.44 EUR
1000+	2.13 EUR
5000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT4S1K-F

Cornell Dubilier - CDE

Film Capacitors 0.01uF 400V 10%

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT5012LFVW-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT5012LFVW-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT5012LFVW-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT5012LFVW-7

Diodes Incorporated

Glenair CIRC MGHTY MSE (80/60) - CIRCULAR MIGHTY MOUSE

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT5015LFDF-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902.7 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT5015LFDF-13

Diodes Incorporated

MOSFET 50V N-Ch Enh FET 15mOhm 10Vgs 9.1A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT5015LFDF-7

Diodes Incorporated

MOSFET 50V N-Ch Enh FET 15mOhm 10Vgs 9.1A

auf Bestellung 64141 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.26 EUR
10+	1.09 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.5 EUR
3000+	0.45 EUR
9000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT5015LFDF-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902.7 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6002LPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 424 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.87 EUR
10+	3.8 EUR
100+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6002LPS-13

Description: DIODES INC. - DMT6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 457 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6002LPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6002LPS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V

auf Bestellung 111 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.78 EUR
10+	3.75 EUR
100+	2.59 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	2.01 EUR
2500+	1.87 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6002LPS-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 2.3W
Gate charge: 130.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6002LPS-13

Description: DIODES INC. - DMT6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	6.68 EUR
59+	3.99 EUR
100+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6004LPS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

auf Bestellung 53858 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.69 EUR
10+	2.78 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.57 EUR
2500+	1.45 EUR
5000+	1.37 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6004LPS-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; Idm: 400A; 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 78.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6004LPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 30 V

auf Bestellung 13522 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.99 EUR
10+	3.21 EUR
100+	2.2 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6004LPS-13

Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm

auf Bestellung 4544 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.57 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6004LPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 30 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.48 EUR
5000+	1.38 EUR
7500+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6004LPS-13

Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm

auf Bestellung 4544 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	5.75 EUR
64+	3.64 EUR
100+	2.57 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6004SCT

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6004SCT

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6004SCT

DIODES INCORPORATED

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 180A; 113W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 113W
Gate charge: 95.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6004SCT

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 139737 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.77 EUR
50+	2.36 EUR
100+	2.12 EUR
500+	1.7 EUR
1000+	1.57 EUR
2000+	1.46 EUR
5000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6004SPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 23A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1586 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.63 EUR
10+	2.96 EUR
100+	2.02 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6004SPS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V

auf Bestellung 1498 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.55 EUR
10+	2.92 EUR
100+	2 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.46 EUR
2500+	1.32 EUR
5000+	1.23 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6004SPS-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; Idm: 400A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 2.6W
Gate charge: 95.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6004SPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 23A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6005LCT

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6005LCT

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

50+	2.39 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6005LCT

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6005LCT

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6005LFG-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 400A; 1.98W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 1.98W
Gate charge: 48.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6005LFG-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 30 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.73 EUR
6000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6005LFG-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6005LFG-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6005LFG-7

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 400A; 1.98W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 1.98W
Gate charge: 48.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6005LFG-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 30 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.76 EUR
4000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6005LPS-13

Description: DIODES INC. - DMT6005LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 3500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1161 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

130+	1.93 EUR
145+	1.61 EUR
177+	1.21 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 130 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6005LPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 161 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.27 EUR
11+	2.07 EUR
100+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6005LPS-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.7A; Idm: 500A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 2.6W
Gate charge: 47.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 14.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6005LPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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