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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDB86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.07 EUR
10+3.27 EUR
100+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86102LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V NCHAN PwrTrench
auf Bestellung 3171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+2.15 EUR
100+1.92 EUR
500+1.55 EUR
800+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86102LZON Semiconductor
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86102LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 50A; 3.1W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 3.1W
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86102LZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V
auf Bestellung 6918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
345+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 345 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86135ON Semiconductor
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86135ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.79 EUR
28+5.89 EUR
100+5.3 EUR
250+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86135onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 2615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.07 EUR
10+8.85 EUR
100+6.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86135ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86135onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86135onsemi / FairchildMOSFETs PWM PFC COMBO
auf Bestellung 15946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.94 EUR
10+6.28 EUR
100+6.03 EUR
500+5.99 EUR
800+5.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86135ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.79 EUR
28+6.12 EUR
100+5.59 EUR
250+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86135ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86135onsemiMOSFETs PWM PFC COMBO
auf Bestellung 13718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.98 EUR
10+9.64 EUR
100+7.16 EUR
500+6.45 EUR
800+5.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86360-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 7882 Stücke:
Lieferzeit 407-411 Tag (e)
1+12.19 EUR
10+10.95 EUR
25+10.34 EUR
100+8.98 EUR
500+7.64 EUR
800+6.43 EUR
2400+6.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86360-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86360-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.48 EUR
10+8.41 EUR
100+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86360-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86360-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86360-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86360_SN00307onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.48 EUR
10+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench FDD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.45 EUR
39+6.1 EUR
100+5.03 EUR
500+4.77 EUR
1000+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 88800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363-F085ONN
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench FDD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+4.77 EUR
1000+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.73 EUR
10+8.77 EUR
100+7.19 EUR
500+6.12 EUR
800+5.15 EUR
2400+4.9 EUR
4800+4.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.02 EUR
43+3.82 EUR
100+3.62 EUR
250+3.43 EUR
500+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363_F085Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 88800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363_F085Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86366-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.27 EUR
10+4.76 EUR
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FDB86366-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 120 Stücke:
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FDB86366-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86366-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86366-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86366-F085onsemi / FairchildMOSFET 80V 110A N-Chnl PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+4.63 EUR
25+4.5 EUR
100+3.77 EUR
250+3.67 EUR
500+3.28 EUR
800+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86366-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86366-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86563-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86563-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 30 V
auf Bestellung 1739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.33 EUR
10+6.88 EUR
100+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86563-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86563-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86563-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86563-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86563-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86563-F085onsemi / FairchildMOSFETs 60V, 110A, 1.6mO, D2PAK
N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 3194 Stücke:
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1+4.69 EUR
10+4.32 EUR
100+3.89 EUR
500+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86566-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK)
Verlustleistung: 176
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86566-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86566-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86566-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 176
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86566-F085onsemi / FairchildMOSFET 60V N-channel LL PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 409-413 Tag (e)
1+5.97 EUR
10+5.38 EUR
25+5.09 EUR
100+4.33 EUR
500+3.56 EUR
800+2.93 EUR
2400+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86566-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86566-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86569-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86569-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V SG N-channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86569-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86569-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86569-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86569-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8832UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8832onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8832UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8832ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CH Logic Level PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8832onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8832-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CHAN PwrTrench
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8832-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 34A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8832_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8832_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8832_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.09 EUR
33+5.18 EUR
34+4.78 EUR
50+4.56 EUR
100+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PwrTrch MOSFET
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860-F085Fairchild SemiconductorDescription: FDB8860 - N-CHANNEL LOGIC LEVEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12585 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
174+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860-F085onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860_SB82193onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860_SB82194onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860_SN00039onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860_SN00040onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+2.2 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+2.2 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 23321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+2.2 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB8870 - MOSFET, N-CH, 30V, 35A, 175DEG C, 160W
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FDB8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB8870onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
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FDB8870onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
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FDB8870Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
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