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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
UF408G_AY_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 4A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF408G_AY_00001PanjitRectifiers 800V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,4A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF408G_AY_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 4A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.04 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF408G_AY_10001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 4A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF436
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF450LTO-247
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF460LTO-247
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120053B7SQorvoSiC MOSFETs UF4C120053B7S
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.25 EUR
25+20.23 EUR
100+17.45 EUR
250+16.06 EUR
500+15.58 EUR
2400+15.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120053B7SonsemiDescription: 1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.61 EUR
10+20.13 EUR
100+16.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120053B7SonsemiSiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO263-7
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.83 EUR
10+18.9 EUR
100+17.06 EUR
500+16.84 EUR
800+15.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120053B7SonsemiDescription: 1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120053B7SSBonsemiDescription: 1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120053B7SSRQorvoSiC MOSFETs UF4C120053B7S
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.25 EUR
25+20.23 EUR
100+18.18 EUR
600+18.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120053B7SSRonsemiDescription: 1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120053B7SSRonsemiSiC MOSFETs UF4C120053B7S
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.98 EUR
10+21.66 EUR
100+18.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120053K3SQORVODescription: QORVO - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+24.99 EUR
11+20.84 EUR
50+20.54 EUR
100+20.27 EUR
250+19.97 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120053K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO247-3
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.75 EUR
10+23.42 EUR
120+19.5 EUR
510+17.39 EUR
1020+16.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120053K3SonsemiDescription: 1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.26 EUR
30+18.72 EUR
120+16.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120053K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/53mO,SICFET,G4,TO247-3
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.7 EUR
25+20.61 EUR
100+17.78 EUR
250+16.37 EUR
600+15.9 EUR
3000+15.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120053K4SonsemiSiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO247-4
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.65 EUR
10+18.2 EUR
120+17.41 EUR
1020+15.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120053K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UF4C120053K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 263W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+25.8 EUR
10+22.09 EUR
50+20.33 EUR
100+18.59 EUR
250+16.86 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120053K4SQorvoSiC MOSFETs 1200V/53mO,SICFET,G4,TO247-4
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.22 EUR
25+21.03 EUR
100+18.16 EUR
250+16.71 EUR
600+16.21 EUR
3000+16.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120053K4SonsemiDescription: 1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.14 EUR
30+19.31 EUR
120+16.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120070B7SonsemiDescription: 1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
auf Bestellung 12785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.98 EUR
10+16.04 EUR
100+14.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120070B7SonsemiSiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO263-7
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.29 EUR
10+16.28 EUR
100+14.3 EUR
800+13.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120070B7SonsemiDescription: 1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+11.44 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120070B7SQorvoSiC MOSFETs UF4C120070B7S
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.01 EUR
25+14.79 EUR
100+12.76 EUR
250+11.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120070B7SSBonsemiDescription: 1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120070B7SSRQorvoSiC MOSFETs UF4C120070B7S
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.33 EUR
25+16.8 EUR
100+15.1 EUR
600+15.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120070B7SSRonsemiDescription: 1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120070B7SSRonsemiSiC MOSFETs UF4C120070B7S
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.09 EUR
10+17.97 EUR
100+15.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120070K3SQORVODescription: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.39 EUR
8+30.38 EUR
10+23.24 EUR
50+20.84 EUR
100+19.23 EUR
250+17.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120070K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/70mO,SICFET,G4,TO247-3
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.77 EUR
25+17.17 EUR
100+14.8 EUR
250+13.64 EUR
600+13.26 EUR
3000+13.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120070K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-3
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.66 EUR
10+19.54 EUR
120+16.28 EUR
510+13.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120070K3SonsemiDescription: 1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.36 EUR
30+15.45 EUR
120+13.27 EUR
510+12.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120070K4SonsemiDescription: 1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 28840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.54 EUR
30+16.1 EUR
120+13.82 EUR
510+12.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120070K4SQorvoSiC MOSFETs 1200V/70mO,SICFET,G4,TO247-4
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.29 EUR
25+17.64 EUR
100+15.23 EUR
250+14.01 EUR
600+13.61 EUR
3000+13.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120070K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UF4C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 217W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.17 EUR
11+21.77 EUR
15+15.18 EUR
50+14.91 EUR
100+14.65 EUR
250+14.38 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4C120070K4SonsemiSiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-4
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.68 EUR
10+15.79 EUR
120+14.83 EUR
510+12.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4SC120023B7SonsemiDescription: 1200V/23MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4SC120023B7SonsemiSiC MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO26
auf Bestellung 1027 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.73 EUR
10+33.84 EUR
100+31.83 EUR
500+29.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4SC120023B7SonsemiDescription: 1200V/23MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 800 V
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.54 EUR
10+33.71 EUR
100+31.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4SC120023B7SQorvoSiC MOSFETs UF4SC120023B7S
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.32 EUR
25+38.5 EUR
100+33.24 EUR
250+30.59 EUR
500+29.68 EUR
2400+29.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4SC120023B7SSBonsemiDescription: 1200V/23MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4SC120023K4SonsemiSiC MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO24
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.46 EUR
10+35.55 EUR
100+34.28 EUR
600+33.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4SC120023K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UF4SC120023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+52.96 EUR
6+44.26 EUR
10+39.17 EUR
50+37.48 EUR
100+35.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4SC120023K4SonsemiDescription: 1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
auf Bestellung 1284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.41 EUR
30+34.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4SC120023K4SQorvoSiC MOSFETs 1200V/23mO,SICFET,G4,TO247-4
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.26 EUR
25+39.33 EUR
100+33.95 EUR
250+31.27 EUR
600+30.32 EUR
3000+30.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4SC120030B7SonsemiDescription: 1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 800 V
auf Bestellung 9595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.3 EUR
10+26.03 EUR
100+25.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4SC120030B7SQorvoSiC MOSFETs UF4SC120030B7S
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.65 EUR
25+30.98 EUR
100+26.75 EUR
250+24.61 EUR
500+23.87 EUR
2400+23.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4SC120030B7SonsemiDescription: 1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 800 V
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+20.62 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4SC120030B7SonsemiSiC MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO26
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.38 EUR
10+31.02 EUR
100+25.61 EUR
500+24.56 EUR
800+24.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4SC120030B7SSBonsemiDescription: 1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4SC120030B7SSRonsemiDescription: 1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4SC120030K4SQorvoSiC MOSFETs 1200V/30mO,SICFET,G4,TO247-4
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.54 EUR
25+31.77 EUR
100+27.42 EUR
250+25.24 EUR
600+24.5 EUR
3000+24.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4SC120030K4SonsemiSiC MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO24
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.92 EUR
10+28 EUR
100+25.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4SC120030K4SonsemiDescription: 1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.17 EUR
30+26.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4SC120030K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UF4SC120030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30mohm
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+41.14 EUR
10+30.61 EUR
50+29.99 EUR
100+29.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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