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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
ZXMN4A06GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.77 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN4A06KDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN4A06K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.47 EUR
69+3.37 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN4A06KZETEX07+ DPAK
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN4A06KTCZETEXMOSFET N-CHAN 40V 10.9A DPAK
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+9.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN4A06KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 7.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN4A06KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN4A06KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 7.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 20 V
auf Bestellung 1796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.06 EUR
10+2.59 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN4A06KTCDiodes IncorporatedMOSFETs 40V 10.9A N-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 2863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.4 EUR
10+1.92 EUR
100+1.31 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.09 EUR
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN53BM832TA
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN60A11D
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN61P02FZETEX
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN62P03E6TA
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+1.36 EUR
222+1.05 EUR
354+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 729000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FQTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.8 EUR
10+1.13 EUR
100+0.65 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+1.36 EUR
222+1.05 EUR
354+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2523000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2523000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
27+0.79 EUR
100+0.51 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
15000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
485+0.36 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 485 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.1A; Idm: 6.9A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 6.9A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+0.95 EUR
132+0.64 EUR
198+0.43 EUR
232+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
auf Bestellung 13504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.43 EUR
24+0.88 EUR
100+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 470405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.9 EUR
224+1.04 EUR
321+0.67 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
9000+0.24 EUR
15000+0.17 EUR
21000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
15000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.31 EUR
9000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 162000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
15000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FTADiodes Inc./ZetexSOT-23-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 162000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
15000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 470405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.9 EUR
224+1.04 EUR
321+0.67 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
485+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 485 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Chnl UMOS
auf Bestellung 91297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.11 EUR
10+0.76 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.31 EUR
9000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FTA 7N6DIODES/ZETEXTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 350mOhm; 1,4A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXMN6A07FTA TZXMN6a07f
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FTA/7N6ZETEX09+
auf Bestellung 75018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FTA\7N6ZETEXSOT-23
auf Bestellung 75100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07ZZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07Z
Produktcode: 121258
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
308+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.45 EUR
2000+0.4 EUR
3000+0.39 EUR
5000+0.38 EUR
7000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.86 EUR
199+1.17 EUR
237+0.9 EUR
295+0.73 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07ZTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Chnl UMOS
auf Bestellung 8853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+0.93 EUR
100+0.64 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.4 EUR
2000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.4 EUR
2000+0.37 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
308+0.57 EUR
513+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 9425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.32 EUR
23+0.95 EUR
100+0.67 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A07ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6Diodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6DIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.05 EUR
131+1.78 EUR
188+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6DIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.05 EUR
131+1.78 EUR
188+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6QTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.067 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.45 EUR
139+1.68 EUR
209+1.02 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A Automotive 6-Pin SOT-26
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.52 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 80mOhm
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+1.45 EUR
100+0.99 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6QTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.067 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.45 EUR
139+1.68 EUR
209+1.02 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 1277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
15+1.43 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Chnl UMOS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA
Produktcode: 124448
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA 6A8DIODES/ZETEXN-MOSFET 60V 2.8A ZXMN6A08E6TA DIODES TZXMN6a08e6
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TAO
auf Bestellung 2924 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TAPBF
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GZETEX07+ SOT223
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.53 EUR
14+1.59 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+3.09 EUR
128+1.82 EUR
185+1.17 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 41V 60V
auf Bestellung 1003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.58 EUR
100+1.05 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.63 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.09 EUR
128+1.82 EUR
185+1.17 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 41V 60V
auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.58 EUR
100+1.05 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.69 EUR
4000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V 3.8A N-Channel MOSFET
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.08 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.18 EUR
160+1.45 EUR
244+0.88 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.49 EUR
2000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.7 EUR
2000+0.64 EUR
3000+0.62 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.49 EUR
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.08 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.18 EUR
160+1.45 EUR
244+0.88 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 6931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
14+1.51 EUR
100+1 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 2471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.01 EUR
17+1.26 EUR
100+0.82 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A08KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.36 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.12W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 1548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.12 EUR
166+1.4 EUR
235+0.92 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTCDiodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM
auf Bestellung 4078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.64 EUR
10+1.09 EUR
100+0.73 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.42 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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