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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFB17N50LPBF
Produktcode: 190279
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB17N50LPBFVishay SiliconixIRFB17N50LPBF MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB17N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.22 EUR
50+6.3 EUR
100+5.55 EUR
500+4.47 EUR
1000+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB17N50LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.39 EUR
50+7.15 EUR
100+6.54 EUR
500+5.5 EUR
1000+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB17N50LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 16A N-CH MOSFET
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.9 EUR
10+10.97 EUR
25+7.1 EUR
100+6.51 EUR
500+5.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB17N50LPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 16 А, Ptot, Вт = 220, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2760 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 10 В, Rds = 320 мОм @ 9,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB17N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB17N60KIR09+ TSOP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB17N60KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB17N60KVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 600V 17 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB17N60KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB18N50KVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB18N50KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB18N50KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB18N50KPBF
Produktcode: 22900
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB18N50KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB18N50KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.08 EUR
87+1.93 EUR
100+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB18N50KPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SIHP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB18N50KPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFB18N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.02 EUR
28+8.59 EUR
100+6 EUR
500+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB18N50KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB18N50KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.08 EUR
87+1.98 EUR
100+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB20N50KVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB20N50KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB20N50KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB20N50KPBF
Produktcode: 35981
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,21 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2870/110
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB20N50KPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2870 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 12 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 4
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB20N50KPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB20N50KPBF..VISHAYDescription: VISHAY - IRFB20N50KPBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1579 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+11.97 EUR
37+6.28 EUR
100+5.33 EUR
500+5.2 EUR
1000+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB23N15DHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB23N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB23N15DPBF
Produktcode: 161319
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB23N15DPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 23 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 10 В, Rds = 90 мОм @ 14 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB23N15DPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+1.87 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 351 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB23N15DPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 351 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB23N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+1.87 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 351 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB23N15DPBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB23N15DPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+1.87 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 351 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB23N15DPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB23N15DPBF - IRFB23N15 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 29556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
396+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 396 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB23N15DPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 23A 90mOhm 37nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB23N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB23N20DHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB23N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.37 EUR
140+1.23 EUR
200+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB23N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 24A 100mOhm 57nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB23N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB23N20DPBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB23N20DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB23N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB23N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB23N20DPBF
Produktcode: 111171
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB24N20DIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB260N
Produktcode: 32417
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB260NInternational RectifierN-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+11.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRFB260NPBF
Produktcode: 100231
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFB260NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB260NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 56 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.84 EUR
39+5.96 EUR
100+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IRFB260NPBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
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IRFB260NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB260NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB260NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 56A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB260NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 56A 40mOhm 150nC
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+2.84 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.26 EUR
2000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFB260NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB260NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB260NPBFAKMA1Infineon TechnologiesHEXFET Power MOSFET
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.82 EUR
60+2.82 EUR
100+2.45 EUR
500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IRFB260NPBFAKMA1Infineon TechnologiesHEXFET Power MOSFET
auf Bestellung 39300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.58 EUR
500+2.3 EUR
1000+2.07 EUR
10000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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IRFB260NPBFAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
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IRFB260NPBFAKMA1Infineon TechnologiesHEXFET Power MOSFET
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5 EUR
51+3.4 EUR
65+2.61 EUR
100+2.3 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRFB260NPBFAKMA1Infineon TechnologiesDescription: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.06 EUR
10+3.92 EUR
50+3 EUR
100+2.7 EUR
500+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFB260NPBFAKMA1Infineon TechnologiesHEXFET Power MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB260NPBFAKMA1Infineon TechnologiesHEXFET Power MOSFET
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.58 EUR
500+2.3 EUR
1000+2.07 EUR
10000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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IRFB3004
Produktcode: 99476
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 195 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9200/160
Montage: THT
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1+3.33 EUR
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IRFB3004Infineon Technologies
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IRFB3004GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
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IRFB3004GPBF
Produktcode: 177418
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFB3004GPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 40V 195A 1.7 mOhm 160nC
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IRFB3004GPBFInternational RectifierMOSFET N-кан. 40V 195A TO-220AB Транзистори
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IRFB3004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.22 EUR
34+4.94 EUR
100+4.03 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IRFB3004PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 195A 1.7mOhm 160nC Qg
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IRFB3004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.24 EUR
37+4.7 EUR
100+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFB3004PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 380W
Gate charge: 160nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 340A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.75mΩ
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.4 EUR
23+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRFB3004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.27 EUR
34+5.08 EUR
100+4.21 EUR
1000+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3004PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+4.57 EUR
500+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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IRFB3004PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3004PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1750 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm
auf Bestellung 462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.38 EUR
38+6.18 EUR
100+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3004PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.24 EUR
37+4.61 EUR
100+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006
Produktcode: 99477
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 195 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,1 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 8970/200
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+4.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1096 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+3.68 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3006GPBF - IRFB3006 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006GPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nCAB
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.58 EUR
10+5.53 EUR
25+3.52 EUR
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IRFB3006GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB3006GPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 375W
Gate charge: 200nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 270A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006GPBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+3.18 EUR
500+2.98 EUR
1000+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
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IRFB3006PBFInfineonMOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 102758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+3.08 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.48 EUR
10000+2.15 EUR
100000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.31 EUR
41+4.27 EUR
100+2.98 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IRFB3006PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Gate charge: 200nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 270A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.5mΩ
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.15 EUR
24+3.65 EUR
26+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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