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MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

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1+	7.28 EUR
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IPB051N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB051N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V

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1000+	2.58 EUR

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IPB051N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm

auf Bestellung 800 Stücke:

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29+	8.7 EUR
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IPB051NE8N G

MOSFET N-Ch 85V 100A D2PAK-2

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IPB051NE8NG

07+ to-263/d2-pak

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IPB051NE8NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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198+	3 EUR

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IPB051NE8NGATMA1

IPB051NE8NGATMA1

auf Bestellung 775 Stücke:

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210+	3.07 EUR
500+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 210 Stücke

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IPB051NE8NGATMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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IPB051NE8NGXT

Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB052N04N G

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 1989 Stücke:

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656+	0.99 EUR
1000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 656 Stücke

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IPB052N04N G

INF

TO-263

auf Bestellung 42000 Stücke:

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IPB052N04N G

MOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2

auf Bestellung 870 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPB052N04NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO-263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1989 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

472+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 472 Stücke

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IPB052N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V

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IPB054N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 153 Stücke:

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1+	3.52 EUR
10+	2.93 EUR
100+	2.34 EUR
250+	2.14 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.68 EUR
2000+	1.59 EUR

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IPB054N06N3G

Infineon technologies

auf Bestellung 161 Stücke:

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IPB054N06N3G

Description: IPB054N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

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IPB054N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 42565 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

292+	2.21 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.77 EUR
10000+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 292 Stücke

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IPB054N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

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IPB054N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPB054N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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IPB054N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1314 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

292+	2.21 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 292 Stücke

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IPB054N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

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IPB054N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 60 Stücke

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IPB054N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

292+	2.21 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.77 EUR
10000+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 292 Stücke

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IPB054N06N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 42 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.05 EUR
10+	3.27 EUR
100+	2.24 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.61 EUR
5000+	1.58 EUR

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IPB054N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 874 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.3 EUR
10+	3.42 EUR
100+	2.34 EUR
500+	1.92 EUR
1000+	1.76 EUR
2000+	1.7 EUR
5000+	1.5 EUR

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IPB054N08N3G

Infineon technologies

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB054N08N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 1256 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.24 EUR
10+	3.39 EUR
100+	2.32 EUR
500+	1.87 EUR
1000+	1.76 EUR
5000+	1.67 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 939 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	3.99 EUR
63+	2.74 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB054N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 939 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	3.97 EUR
63+	2.67 EUR
100+	1.8 EUR
500+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 9319 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

278+	2.32 EUR
500+	2.06 EUR
1000+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 278 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

278+	2.32 EUR
500+	2.06 EUR
1000+	1.86 EUR
10000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 278 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 23000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

278+	2.32 EUR
500+	2.06 EUR
1000+	1.86 EUR
10000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 278 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB054N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

auf Bestellung 985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.32 EUR
10+	3.44 EUR
100+	2.36 EUR
500+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPB054N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 150W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB055N03L G
Produktcode: 61412

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB055N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 413 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB055N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V

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IPB055N03LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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IPB055N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.38 EUR

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IPB055N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	1.17 EUR
2400+	1.07 EUR

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IPB055N08NF2SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 94A; 107W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 94A
Power dissipation: 107W
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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IPB055N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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405+	1.59 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.27 EUR
10000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 405 Stücke

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IPB055N08NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET > 60-80V

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IPB055N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 94 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	4.88 EUR
81+	2.88 EUR
113+	1.9 EUR
500+	1.58 EUR

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IPB055N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3200 Stücke:

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800+	1.17 EUR
2400+	1.09 EUR

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IPB055N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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66+	2.63 EUR
87+	1.92 EUR
103+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 66 Stücke

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IPB055N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 300 Stücke:

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50+	3.47 EUR
73+	2.34 EUR
92+	1.81 EUR
107+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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IPB055N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

auf Bestellung 1476 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.27 EUR
10+	2.73 EUR
50+	2.06 EUR
100+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IPB055N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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IPB055N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 94 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.88 EUR
113+	1.9 EUR
500+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPB055N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

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800+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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IPB055N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 12800 Stücke:

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800+	3.93 EUR

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IPB056N06N

MOSFET 60V TO-263

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IPB057N06N

MOSFETs N-Ch 60V 45A D2PAK-2

auf Bestellung 504 Stücke:

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1+	5.13 EUR
10+	3.28 EUR
100+	2.26 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.64 EUR
2000+	1.59 EUR
5000+	1.52 EUR

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IPB057N06N
Produktcode: 176082

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IPB057N06NATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 45A D2PAK-2

auf Bestellung 159 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.13 EUR
10+	3.28 EUR
100+	2.26 EUR
500+	1.92 EUR
1000+	1.58 EUR
2000+	1.52 EUR

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IPB057N06NATMA1

Description: INFINEON - IPB057N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm

auf Bestellung 1225 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.42 EUR
200+	1.92 EUR
500+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPB057N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

auf Bestellung 2713 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.01 EUR
10+	3.21 EUR
50+	2.45 EUR
100+	2.2 EUR
500+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.17 EUR
3000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB057N06NATMA1

Infineon

IPB057N06NATMA1 IPB057N06N MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2 Транзистори

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IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 4733 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

56+	3.11 EUR
73+	2.27 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.34 EUR
3000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 56 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB057N06NATMA1

Description: INFINEON - IPB057N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm

auf Bestellung 1225 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	5.02 EUR
79+	2.98 EUR
89+	2.42 EUR
200+	1.92 EUR
500+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.17 EUR
3000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB057N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB057N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 4733 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	3.34 EUR
74+	2.31 EUR
94+	1.77 EUR
103+	1.57 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.08 EUR
3000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 52 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB057N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	3.5 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB057N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB057N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB057N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 112µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 52A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB057N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB057N15NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB057N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB057N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 112µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 52A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05CN10NG

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05CN10NGXT

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 375 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.62 EUR
49+	3.43 EUR
50+	3.07 EUR
100+	2.9 EUR
250+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 48 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N03

TO-263

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N03L

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V

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IPB05N03LA

Trans MOSFET N-CH 25V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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to-263/d2-pak

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IPB05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)

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IPB05N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

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MOSFET N-KANAL POWER MOS

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to-263/d2-pak

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IPB05N03LAT

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

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MOSFET

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IPB05N03LAT

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

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IPB05N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3209 pF @ 15 V

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IPB05N03LB

Infineon

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