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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRL540STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRL5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5602IR04+
auf Bestellung 3183 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5602Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5602Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5602LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 24A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5602S
Produktcode: 26008
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 24 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1460/44
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
auf Bestellung: 477 St.
  • 477 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.08 EUR
10+0.98 EUR
100+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5602SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5602SIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5602SHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5602SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5602SPBF
Produktcode: 53985
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 24 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1460/44
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5602SPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 29.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5602SPBF-XTO252
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5602STRInternational RectifierIRL5602STR IRL5602SPBF TO-263 (D2PAK) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5602STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5602STRLHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5602STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5602STRLPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 29.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5602STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5602STRRHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5602STRRPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 29.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5602STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5NJ024IR
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5NJ024International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin SMD-0.5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5NJ024SCXInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin SMD-0.5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5NJ7404International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 20V 11A 3-Pin SMD-0.5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5NJ7404SCSInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 20V 11A 3-Pin SMD-0.5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5NJ7404SCVInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 20V 11A 3-Pin SMD-0.5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5NJ7404SCXInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 20V 11A 3-Pin SMD-0.5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5NJ7413International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 22A 3-Pin SMD-0.5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL5NJ7413SCVInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 22A 3-Pin SMD-0.5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60B216Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 305A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1550+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1550 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60B216InfineonMOSFET N-CH 60V 305A TO-220 Транзистори
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+15.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60B216Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60B216Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 305A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60B216Infineon TechnologiesMOSFET 60V, 195A, 1.9 mOhm 172 nC Qg, Logic Lvl
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60B216INFINEONDescription: INFINEON - IRL60B216 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 195
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 375
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60DL238Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60HS118Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.67 EUR
8000+0.62 EUR
12000+0.6 EUR
20000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60HS118INFINEONDescription: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.017 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 11.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
auf Bestellung 7430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+2.73 EUR
125+1.86 EUR
250+1.13 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60HS118Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 7601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.84 EUR
221+0.79 EUR
226+0.75 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.69 EUR
4000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60HS118Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 188000 Stücke:
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4000+0.62 EUR
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IRL60HS118Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
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IRL60HS118INFINEONDescription: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.5W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.92 EUR
173+1.34 EUR
250+1.04 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
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IRL60HS118Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
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IRL60HS118Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
auf Bestellung 20744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.67 EUR
13+1.68 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRL60HS118Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
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4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRL60HS118Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRL60HS118Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
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2+2.92 EUR
10+1.82 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.83 EUR
4000+0.67 EUR
8000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRL60HS118INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 5.8W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Power dissipation: 5.8W
Case: PQFN2X2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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IRL60HS118Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 38 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IRL60S216Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRL60S216Infineon / IRMOSFET 60V, 298A, 1.95 mOhm 170 NC Qg
auf Bestellung 3189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRL60S216Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 298A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.81 EUR
100+2.76 EUR
250+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IRL60S216ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL60S216 - IRL60S216 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+5.52 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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IRL60S216Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
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IRL60S216Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 298A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.67 EUR
100+2.56 EUR
250+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IRL60SC216Infineon TechnologiesInfineon TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRL60SC216ARMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 324A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRL60SC216ARMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 324A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRL60SC216ARMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 324A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 324A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60SC216ARMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.71 EUR
10+7.31 EUR
25+6.83 EUR
100+5.93 EUR
250+5.74 EUR
500+5.49 EUR
800+4.5 EUR
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IRL60SC216ARMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 324A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60SC216ARMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 324A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60SC216ARMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 324A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 324A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60SL216INFINEONDescription: INFINEON - IRL60SL216 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 298 A, 1950 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.06 EUR
16+14.83 EUR
18+11.94 EUR
50+10.15 EUR
100+8.84 EUR
250+8.68 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60SL216Infineon / IRMOSFET 60V, 298A, 1.95 mOhm 170 NC Qg
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.23 EUR
10+17.39 EUR
100+14.36 EUR
500+13.47 EUR
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IRL60SL216Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 298A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60SL216International RectifierDescription: IRL60SL216 - 12V-300V N-CHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
65+8.96 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60SL216Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 298A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL610AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL610Aonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL610AFAIRCHILD03+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL620Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL620Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 5V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRL620AON SemiconductorIRL620A
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
789+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 789 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL620AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
833+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 833 Stücke
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IRL620AON SemiconductorIRL620A
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
789+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 789 Stücke
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IRL620AONSEMIDescription: ONSEMI - IRL620A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1002+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 1002 Stücke
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IRL620PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRL620PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRL620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+3.22 EUR
94+2.49 EUR
127+1.69 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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IRL620PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL620PBFVISHAY
auf Bestellung 20350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL620PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL620PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL620PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.05 EUR
50+2.48 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL620PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
auf Bestellung 1155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+2.14 EUR
100+1.95 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.49 EUR
2000+1.46 EUR
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IRL620PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRL620PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.05 EUR
50+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRL620PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 5.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1822 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+3.27 EUR
100+2.24 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.67 EUR
2000+1.57 EUR
5000+1.51 EUR
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IRL620SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRL620SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRL620SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRL6
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IRL620S
Produktcode: 42010
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 5,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 55 St.
  • 55 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.94 EUR
10+0.84 EUR
100+0.76 EUR
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