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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIR5810DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
auf Bestellung 5866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
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SIR5810DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 150C MOSFET
auf Bestellung 2785 Stücke:
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SIR5810DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIR5812DP-T1-RE3VishayMOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 13A
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9000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIR5812DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
auf Bestellung 5980 Stücke:
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8+2.73 EUR
13+1.71 EUR
100+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5812DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR582DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.46 EUR
6000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR582DP-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR582DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92.5W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR582DP-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR582DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92.5W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR582DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.01 EUR
10+3.24 EUR
100+2.21 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR582DP-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 150 C 3.4 m 10V
auf Bestellung 5934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.93 EUR
10+3.17 EUR
100+2.18 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.62 EUR
3000+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR582DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Ta), 116A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.46 EUR
6000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR582DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR582DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 92.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR582DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 28.9A
auf Bestellung 7838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.94 EUR
10+3.19 EUR
100+2.18 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.63 EUR
3000+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR582DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR582DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+6.95 EUR
57+4.13 EUR
100+2.62 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR582DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Ta), 116A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.02 EUR
10+3.24 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR582DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 116A; Idm: 300A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 67nC
On-state resistance: 3.9mΩ
Power dissipation: 92.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 116A
Pulsed drain current: 300A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR584DP-T1-BE3VishayMOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A
auf Bestellung 2957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.71 EUR
10+3.01 EUR
100+2.07 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.63 EUR
3000+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR584DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
auf Bestellung 4597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.82 EUR
10+3.09 EUR
50+2.36 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR584DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR584DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 5620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.75 EUR
75+3.13 EUR
100+2.33 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.58 EUR
5000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR584DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 100A; Idm: 250A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Power dissipation: 83.3W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 250A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR584DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A
auf Bestellung 3633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.74 EUR
10+3.06 EUR
100+2.09 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
3000+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR584DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 5620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.33 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.58 EUR
5000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5850A
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR586DP-T1-BE3VishayMOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 20.7A
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.05 EUR
10+2.56 EUR
100+1.73 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.31 EUR
3000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR586DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR586DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 78.4 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.76 EUR
125+1.71 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR586DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 78.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 40 V
auf Bestellung 33720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.11 EUR
10+2.62 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR586DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 78.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 40 V
auf Bestellung 31500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.14 EUR
6000+1.07 EUR
9000+1.04 EUR
15000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR586DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR586DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 78.4 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.65 EUR
85+2.76 EUR
125+1.71 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR586DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 20.7A
auf Bestellung 16205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.05 EUR
10+2.57 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.27 EUR
3000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR588DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR588DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.5 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.59 EUR
146+1.59 EUR
162+1.32 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR588DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 17.2A
auf Bestellung 5542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.01 EUR
100+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR588DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 59.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V
auf Bestellung 8519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
11+2.03 EUR
100+1.37 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR588DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 59.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.86 EUR
6000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR588DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR588DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.5 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 59.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.59 EUR
146+1.59 EUR
162+1.32 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR606BDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.02 EUR
6000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR606BDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR606BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 38.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
auf Bestellung 29328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.67 EUR
119+1.81 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.38 EUR
5000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR606BDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR606BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 38.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
auf Bestellung 29328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.77 EUR
87+2.67 EUR
119+1.81 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.38 EUR
5000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR606BDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
auf Bestellung 8914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.58 EUR
10+2.3 EUR
100+1.57 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR606BDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR606BDP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 3887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.73 EUR
10+2.24 EUR
100+1.74 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.2 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR606DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.34 EUR
139+1.21 EUR
140+1.15 EUR
142+1.09 EUR
152+0.98 EUR
250+0.93 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR606DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR606DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.26 EUR
140+1.23 EUR
142+1.19 EUR
152+1.08 EUR
250+1.05 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR606DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 11489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+2.2 EUR
100+1.74 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR606DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V
auf Bestellung 2563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
10+2.33 EUR
100+1.81 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR608DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 3337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.08 EUR
10+2.73 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.49 EUR
3000+1.29 EUR
6000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR608DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR608DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR608DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 208 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45
Dauer-Drainstrom Id: 208
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3
Verlustleistung: 104
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR608DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR610DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
auf Bestellung 16007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
10+2.78 EUR
100+2.05 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR610DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR610DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35.4 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0319ohm
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.09 EUR
55+4.27 EUR
100+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR610DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.36 EUR
6000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR610DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 18665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.97 EUR
10+2.92 EUR
100+2.09 EUR
500+1.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR610DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR610DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35.4 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 11960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.2 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR616DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR616DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20.2 A, 0.0505 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0505ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.39 EUR
124+1.87 EUR
149+1.44 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR616DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 10214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.19 EUR
10+2.15 EUR
100+1.54 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR616DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 7.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
auf Bestellung 8845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
11+1.95 EUR
100+1.44 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR616DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR616DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20.2 A, 0.0505 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0505ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.39 EUR
124+1.87 EUR
149+1.44 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR616DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR616DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 7.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1 EUR
6000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR618DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 14.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR618DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
auf Bestellung 4378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.32 EUR
20+1.08 EUR
100+0.93 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR618DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 14.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR618DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 20467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.99 EUR
10+1.56 EUR
100+1.3 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.08 EUR
9000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR618DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR622DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR622DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR622DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51.6 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 16809 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
112+1.92 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.18 EUR
5000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR622DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 51.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 4484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR622DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 2936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+2.7 EUR
100+1.89 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.38 EUR
3000+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR622DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR622DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51.6 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 16449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
77+3.02 EUR
111+1.94 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.4 EUR
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR622DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
auf Bestellung 5871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
10+2.53 EUR
100+1.73 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR622DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 51.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 4484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR622DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 150V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 110865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.76 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.29 EUR
3000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR622DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 51.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR622DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 12.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 51.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.15 EUR
6000+1.08 EUR
9000+1.05 EUR
15000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR622DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 51.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR622DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR622DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51.6 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 49870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.17 EUR
500+1.98 EUR
1500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR622DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 51.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR622DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 51.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR622DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR622DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51.6 A, 0.0177 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0177ohm
auf Bestellung 40530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
80+2.93 EUR
100+2.2 EUR
500+1.83 EUR
1500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR622DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 12.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 51.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
auf Bestellung 122510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.13 EUR
10+2.64 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR624DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 7.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.08 EUR
11+1.96 EUR
100+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR624DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 7.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR624DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR624DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.06 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 17283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.37 EUR
147+1.46 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR624DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 17442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.14 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
3000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR624DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR624DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR624DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.06 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 17283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.12 EUR
96+2.44 EUR
143+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR624DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR624DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 52
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: ThunderFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR624DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.7A/18.6A PPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 18.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR624DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 5306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.14 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
3000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR624DP-T1-RE3VishayN-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR624DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.7A/18.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR624DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR624DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626ADP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 165A; Idm: 300A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 83nC
On-state resistance: 3.4mΩ
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 165A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR626ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 1750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.5 EUR
60+3.93 EUR
100+2.63 EUR
500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 40.4A/165A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.4A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 40.4A/165A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.4A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 30 V
auf Bestellung 2017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.49 EUR
10+3.55 EUR
100+2.44 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 60-V
auf Bestellung 11468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.38 EUR
10+3.45 EUR
100+2.4 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.83 EUR
3000+1.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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