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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.98 EUR
100+2.7 EUR
500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7730PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.57 EUR
52+4.5 EUR
100+3.37 EUR
500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.24 EUR
100+2.82 EUR
500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.38 EUR
100+2.92 EUR
500+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.45 EUR
100+3.03 EUR
500+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.81 EUR
10+5.14 EUR
50+3.99 EUR
100+3.61 EUR
500+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
auf Bestellung 2216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.69 EUR
10+3.92 EUR
100+3.56 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7730PBF
Produktcode: 168558
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7730PBFInternational RectifierN-CH 75V 195A TO-220-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+5.3 EUR
250+3.62 EUR
500+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7730PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.07 EUR
30+2.89 EUR
50+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7734Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.37 EUR
49+3.47 EUR
100+3.19 EUR
500+2.9 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 168830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.48 EUR
500+2.2 EUR
1000+1.99 EUR
10000+1.73 EUR
100000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7734PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 183A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.48 EUR
500+2.2 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7734PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 183A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7734PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 183A; 290W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 183A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 197950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.48 EUR
500+2.2 EUR
1000+1.99 EUR
10000+1.73 EUR
100000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7734PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB7734PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 183 A, 3500 µohm, TO-2220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 183A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 290mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-2220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.59 EUR
49+4.83 EUR
100+3.86 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7734PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.53 EUR
10+5.11 EUR
100+4.71 EUR
500+2 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.78 EUR
5000+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7740Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7740PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+4 EUR
100+3.67 EUR
500+3.52 EUR
1000+1.61 EUR
2000+1.3 EUR
5000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7740PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
369+1.77 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 369 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7740PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
369+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 369 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7740PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB7740PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 85 A, 0.0073 ohm, TO-2220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 143
Bauform - Transistor: TO-2220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.7
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7740PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7740PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7740PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 87A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7740PBFInfineon
auf Bestellung 106800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7746PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3049 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7746PBFInternational RectifierTO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7746PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+3.01 EUR
100+2.37 EUR
500+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7746PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
270+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 270 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7787Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7787PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7787PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7787PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7787PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.69 EUR
10+3.33 EUR
100+2.59 EUR
500+2.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7787PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7787PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB7787PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 76 A, 8400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB812PBFInfineon / IRMOSFET Gen 10.7 FredFet 500V 1.5Ohm
auf Bestellung 1081 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB812PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB812PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB812PBF - IRFB812 - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
667+1.09 EUR
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IRFB9N30AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFB9N30APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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IRFB9N60AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
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IRFB9N60A
Produktcode: 36734
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IRFB9N60AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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IRFB9N60A-PBFIRFB9N60A-PBF Транзисторы
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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IRFB9N60APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 170W
Gate charge: 49nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.72 EUR
35+2.5 EUR
50+2.17 EUR
100+2.01 EUR
250+1.83 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IRFB9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.32 EUR
60+2.8 EUR
100+2.36 EUR
500+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRFB9N60APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+8.97 EUR
53+4.45 EUR
100+3.56 EUR
500+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.32 EUR
60+2.87 EUR
100+2.45 EUR
500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRFB9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFB9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFB9N60APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.37 EUR
10+3.45 EUR
100+2.98 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.45 EUR
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IRFB9N60APBFTO-220AB Транзистори
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IRFB9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.09 EUR
50+3.45 EUR
100+3.14 EUR
250+2.82 EUR
500+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IRFB9N60APBF
Produktcode: 143119
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IRFB9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N60APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 5869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.03 EUR
10+4.61 EUR
50+3.55 EUR
100+3.21 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFB9N60APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.68 EUR
10+2.64 EUR
100+2.49 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.39 EUR
2000+2.34 EUR
5000+2.24 EUR
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IRFB9N60APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB9N60APBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB9N65AVishayN-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRFB9N65A
Produktcode: 191888
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFB9N65AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
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IRFB9N65AInternational RectifierN-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65APBFVishayTrans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB9N65APBF
Produktcode: 100724
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 В
Drain-Strom Idd, A: 8,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,95 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1417/48
Montage: THT
auf Bestellung: 28 St.
  • 28 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+3.49 EUR
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IRFB9N65APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 650V 8.5A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65APBFVishayTrans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFB9N65APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.5 A, 0.93 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.15 EUR
60+3.9 EUR
100+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65APBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 650V 8.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.26 EUR
10+4.58 EUR
25+3.88 EUR
100+3.52 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.67 EUR
5000+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA1404Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA1404Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 95A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 206A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA1404PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 95A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 206A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA1404PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 95A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 206A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA1404PPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 206A 3.7mOhm 160nC
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.79 EUR
10+7.02 EUR
100+5.74 EUR
500+4.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA1404PPBFInfineonMOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA1404PPBF
Produktcode: 186516
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA1405IR2003 TO-220
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA1405PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 101A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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IRFBA1405PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 101A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
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IRFBA1405PPBF
Produktcode: 59553
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IRFBA1405PPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 174A 5mOhm 170nC
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