Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRFB7545PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 34425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7545PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7545PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 21 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7545PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 95A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET | auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7545PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7546 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7546PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7546PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7546PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 99W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Power dissipation: 99W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1243 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7546PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7546PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7546PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 7300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 99W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm | auf Bestellung 604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7546PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB | auf Bestellung 1314 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB7546PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7546PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | auf Bestellung 803 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB7546PBF Transistor Produktcode: 196359
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFB7730 | Infineon Technologies | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7730PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 246A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 75V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 2.2mΩ | auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7730PBF | International Rectifier | N-CH 75V 195A TO-220-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7730PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 375mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm | auf Bestellung 912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 522 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7730PBF Produktcode: 168558
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V | auf Bestellung 2452 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power | auf Bestellung 2216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 798 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7734 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power | auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 197950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 183A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1352 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1352 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 168830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7734PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 183A; 290W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 183A Power dissipation: 290W Case: TO220AB On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7734PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 75V 183A TO220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7734PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7734PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 183 A, 3500 µohm, TO-2220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 183A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 290mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-2220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm | auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7740 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7740PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7740PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power | auf Bestellung 678 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB7740PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7740PBF | Infineon | auf Bestellung 106800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFB7740PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7740PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 85 A, 0.0073 ohm, TO-2220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 85 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 143 Bauform - Transistor: TO-2220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3.7 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7740PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7740PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 87A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7740PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7746PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 59A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3049 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7746PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7746PBF | Infineon / IR | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power | auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB7746PBF | International Rectifier | TO-220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7787 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7787PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7787PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 76 A, 8400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7787PBF | Infineon / IR | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | auf Bestellung 357 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB7787PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7787PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7787PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB7787PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 76A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB812PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB812PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB812PBF - IRFB812 - HEXFET POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB812PBF | Infineon / IR | MOSFET Gen 10.7 FredFet 500V 1.5Ohm | auf Bestellung 1081 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB9N30A | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB9N30APBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB9N60A Produktcode: 36734
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| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFB9N60A | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB9N60A | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB9N60A-PBF | IRFB9N60A-PBF Транзисторы | auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFB9N60APBF | TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFB9N60APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB9N60APBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 170W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm | auf Bestellung 638 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB9N60APBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.8A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 49nC | auf Bestellung 768 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB9N60APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB9N60APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB9N60APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB9N60APBF Produktcode: 143119
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFB9N60APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB9N60APBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET | auf Bestellung 1583 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB9N60APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB9N60APBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | auf Bestellung 4174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB9N60APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB9N60APBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET | auf Bestellung 605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB9N60APBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB9N60APBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB9N65A | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB9N65A Produktcode: 191888
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFB9N65A | Vishay | N-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB9N65A | International Rectifier | N-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB9N65A | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB9N65APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB9N65APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB9N65APBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 650V 8.5A N-CH MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB9N65APBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB9N65APBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFB9N65APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.5 A, 0.93 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm | auf Bestellung 294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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