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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STPSC5H12DSTMDiode 1200 V 5A Through Hole TO-220AC Діоди та діодні збірки
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC606DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+3.43 EUR
500+3.21 EUR
1000+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
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STPSC606DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC606DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
950+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 950 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC606DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 375pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC606DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
950+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 950 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC606DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 6A 600V 6nC Schottky Carbide
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STPSC606GSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 600V; 6A; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 27A
Max. forward impulse current: 110A
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC606G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 375pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC606G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 600 V Power Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC606G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC606G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 375pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6C065DYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V, 6 A SiC Power Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6G065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 6A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+2.51 EUR
100+1.92 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.38 EUR
2000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+3.84 EUR
100+2.64 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Power Schottky 6A 10nC 175c
auf Bestellung 4144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.07 EUR
10+2.14 EUR
100+1.87 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.78 EUR
2500+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065B-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC6H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 6A, 18nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.21 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065B-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC6H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 6A, 18nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.75 EUR
61+3.81 EUR
100+3.21 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065BY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 6 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 3195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.09 EUR
10+3.31 EUR
100+2.51 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.12 EUR
2500+2.05 EUR
5000+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; Ufmax: 2.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Power Schottky 6A 10nC 175c
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+2.57 EUR
100+2.32 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
50+3.37 EUR
100+2.77 EUR
500+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.05 EUR
60+2.93 EUR
100+2.62 EUR
500+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.03 EUR
60+2.86 EUR
100+2.51 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DISTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 6A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.75 EUR
50+3.38 EUR
100+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DISTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220ACIns
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 22A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerFLAT; SiC; SMD; 650V; 6A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerFLAT
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.95V
Max. load current: 25A
Leakage current: 0.25mA
Max. forward impulse current: 0.6kA
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.44 EUR
124+1.38 EUR
125+1.32 EUR
126+1.25 EUR
250+1.19 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 6 A, 650 V SiC Power Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
auf Bestellung 7811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.43 EUR
10+4.19 EUR
100+2.9 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.43 EUR
125+1.39 EUR
126+1.36 EUR
250+1.31 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Power Schottky 6A 10nC 175c
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.7 EUR
10+3.69 EUR
100+2.93 EUR
500+2.51 EUR
1000+1.86 EUR
2000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 6A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.75 EUR
10+5.08 EUR
100+3.57 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H12B-TR1STMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAKHV; SiC; SMD; 1.2kV; 6A; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: D2PAKHV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H12B-TR1STMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200V 6A Schottky 1.55V Vf 30pF 29nC
auf Bestellung 2066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.87 EUR
10+4.76 EUR
100+3.47 EUR
500+2.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6TH13TISTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC6TH13TI - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, zweifach, in Reihe, 650V, 6A, 18nC, TO-220AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6TH13TISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diod
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.1 EUR
10+3.58 EUR
100+3.28 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6TH13TISTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AB Insulated
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.7 EUR
50+5.31 EUR
100+4.55 EUR
500+4.05 EUR
1000+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.71 EUR
104+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+1.89 EUR
100+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 1004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.65 EUR
50+2.82 EUR
100+2.55 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8065DYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC8065DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 28 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.62 EUR
76+3.06 EUR
100+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8065DYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V, 8 A SiC Power schottky Diode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 325-329 Tag (e)
1+6.2 EUR
10+5.59 EUR
100+4.58 EUR
500+3.89 EUR
1000+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC806DSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC806DSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 600 V Power Schottky Silicon Diode
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 332-336 Tag (e)
1+6.03 EUR
10+5.51 EUR
100+4.94 EUR
500+4.33 EUR
1000+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC806DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC806DSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.05 EUR
89+1.92 EUR
100+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC806G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 8A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC806G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 8A D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC806G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 600V Power Schottky 8A 10 nC No Reverse
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 8A Schottky silicon carbide DPAK
auf Bestellung 7461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.58 EUR
10+4.32 EUR
100+3 EUR
500+2.48 EUR
10000+2.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
auf Bestellung 13528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+3.37 EUR
100+2.74 EUR
500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065BY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065BY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 8 A Silicon Carbide Diode
auf Bestellung 2472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.37 EUR
10+4.16 EUR
100+3.25 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.7 EUR
2500+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.6 EUR
10+4.99 EUR
100+3.5 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065BY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065CTSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065CTSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065CTSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 650 V 8A Schottky silicn carbid TO-220
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.72 EUR
10+5.28 EUR
100+4.55 EUR
500+4.05 EUR
1000+3.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DISTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
auf Bestellung 1214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DISTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 8A TO220AC INS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Packaging: Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.1 EUR
50+4.13 EUR
100+3.75 EUR
500+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 460pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
auf Bestellung 3937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.41 EUR
10+4.87 EUR
100+3.43 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky Si 650V 8A 4-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DLFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerFLAT
Kapazitive Gesamtladung: 26nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.94 EUR
500+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 460pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky Si 650V 8A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.39 EUR
55+3.09 EUR
56+2.96 EUR
100+2.4 EUR
250+2.28 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DLFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerFLAT
Kapazitive Gesamtladung: 26nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.92 EUR
40+5.89 EUR
100+3.94 EUR
500+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G-TRSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 650 V 8A Schottky silicon carbid T2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G2Y-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 23.5 nC, D2PAK HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK HV
Kapazitive Gesamtladung: 23.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.51 EUR
500+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G2Y-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G2Y-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 23.5 nC, D2PAK HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK HV
Kapazitive Gesamtladung: 23.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.32 EUR
45+5.18 EUR
100+3.51 EUR
500+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G2Y-TRSTMDiode SiC Schottky 650V 8A 3-Pin D2PAK HV Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G2Y-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+4.02 EUR
48+3.55 EUR
49+3.37 EUR
50+3.18 EUR
100+2.75 EUR
250+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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