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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFBF30STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 900V 1.7 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBF30STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBF30STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.6A; Idm: 14A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBF30STRLPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs TO263 900V 3.6A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBF30STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 1389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.9 EUR
10+4.56 EUR
100+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBF30STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBF30STRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 900V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20VishayN-MOSFET 1.4A 1000V 54W 11Ω IRFBG20 TIRFBG20
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20
Produktcode: 18614
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 1000
Idd,A: 01.04.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 500/38
JHGF: THT
auf Bestellung 16 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.98 EUR
10+0.84 EUR
100+0.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
auf Bestellung 9027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFТранзистори
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 6306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.76 EUR
50+2.91 EUR
100+2.63 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.99 EUR
2000+1.86 EUR
5000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFIRFBG20PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+1.7 EUR
88+1.6 EUR
100+1.45 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
auf Bestellung 2401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+2.36 EUR
100+1.64 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+1.71 EUR
87+1.63 EUR
88+1.56 EUR
89+1.48 EUR
100+1.32 EUR
500+1.1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 1KV 1.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.68 EUR
10+2.01 EUR
100+1.65 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.26 EUR
2000+1.12 EUR
10000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.76 EUR
50+2.91 EUR
100+2.63 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30
Produktcode: 18004
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30VishayTransistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30 (Transistor)
Produktcode: 51783
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
auf Bestellung 3610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.81 EUR
50+2.93 EUR
100+2.65 EUR
500+2.16 EUR
1000+2.01 EUR
2000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFIRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.05 EUR
53+2.75 EUR
100+2.32 EUR
250+2.04 EUR
500+1.82 EUR
750+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.89 EUR
38+1.92 EUR
50+1.63 EUR
100+1.5 EUR
250+1.36 EUR
500+1.29 EUR
750+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 6944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.3 EUR
10+2.96 EUR
100+2.5 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.78 EUR
2000+1.66 EUR
5000+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 3,1 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 980 @ 25, Qg, нКл = 80 @ 10 В, Rds = 5 Ом @ 1,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF
Produktcode: 29889
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
auf Bestellung 35 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFBG30PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 1KV, 3.1A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
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IRFBG30PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFBG30PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
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IRFBL3315Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A SUPER D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Super D2-Pak
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Supplier Device Package: Super D2-Pak
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFBL3703Infineon TechnologiesInfineon
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IRFBL3703Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: Super D2-Pak
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Super D2-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFC024BVishay / SiliconixMOSFET MOSFET N-CHANNEL 60V
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IRFC024NInfineon / IRInfineon
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IRFC024NBInfineon TechnologiesInfineon
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IRFC024NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 55V 17A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
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IRFC024NFInfineon / IRInfineon
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IRFC048NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
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IRFC048NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH
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IRFC110VishayHexfet Power Mosfet
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 Mindestbestellmenge: 16413 Stücke
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IRFC11N50ABVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 2100 Stücke
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IRFC120NBInfineon TechnologiesInfineon
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IRFC120NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 100V 9.4A DIE
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
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IRFC130BVishayHigh Voltage MOSFET
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IRFC130NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 100V 17A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
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IRFC140BVishayMOSFET N-CHANNEL 100V
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IRFC140NInfineon / IRInfineon
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IRFC140NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 100V 33A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
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IRFC20N50ABVishay / SiliconixMOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V
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IRFC22N50ABVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 232 Stücke
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IRFC230NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 200V 9.3A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 9.3A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
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IRFC240NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 200V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
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IRFC250VishayTrans MOSFET 200V Die
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 Mindestbestellmenge: 1490 Stücke
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IRFC250NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 200V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
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IRFC2604BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET
Part Status: Obsolete
Mounting Type: Surface Mount
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IRFC260BVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 886 Stücke
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IRFC260NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 200V 50A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
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IRFC264BVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 250V
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 884 Stücke
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IRFC3004EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
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IRFC3006EBInfineon / IRInfineon
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IRFC3006EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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IRFC3006EDInfineon / IRInfineon
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IRFC3107EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
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IRFC3205BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 55V 110A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 110A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
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IRFC3205ZEBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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IRFC3206EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
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IRFC3306EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V DIE ON WAFER
Packaging: Bulk
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IRFC3315BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 150V 23A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC3415BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 150V 43A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 43A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFC360BVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC3710DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 100V 57A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 57A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC3710ZEBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC37N50ABVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC3810BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 100V 170A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 170A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4010EBInfineon / IRInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4010EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V DIE ON WAFER
Packaging: Bulk
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IRFC4019BInfineon / IRInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4019EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 17A DIE
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4019EBInfineon / IRInfineon
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IRFC4020BInfineon / IRInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4020DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
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IRFC4020DInfineon TechnologiesInfineon
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IRFC4020EBInfineon / IRInfineon
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IRFC40N50LVishayVishay MOSFET N-CHANNEL 500V
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IRFC40N50LBVishay / SiliconixMOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V
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