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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMC86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
482+1.36 EUR
535+1.2 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 482 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86244onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86244On SemiconductorMOSFET N-CH 150V 2.8A POWER33 Транзистори
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86244-L701onsemiMOSFET FET 150V 134.0 MOHM MLP33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86244-L701onsemiDescription: FET 150V 134.0 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86248onsemiDescription: MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: Power33
auf Bestellung 13540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.67 EUR
10+2.81 EUR
100+2.2 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86248onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel MOSFET 600V, 3.8A, 2.5Ohm
auf Bestellung 8109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+2.75 EUR
100+2.18 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.8 EUR
3000+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86248ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 3.4A 8-Pin Power 33 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86248onsemiDescription: MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86248ON Semiconductor
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86248onsemiMOSFETs N-Channel MOSFET 600V, 3.8A, 2.5Ohm
auf Bestellung 7975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.47 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86259PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 75 V
auf Bestellung 17556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.66 EUR
10+5.05 EUR
100+3.55 EUR
500+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86259PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86259P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.107 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.07 EUR
50+5.5 EUR
100+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86259Ponsemi / FairchildMOSFETs PT5 150/25V PchMOSFET
auf Bestellung 4526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.24 EUR
10+4.13 EUR
100+3.22 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.84 EUR
3000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86259PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 75 V
auf Bestellung 16750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86259PonsemiMOSFETs PT5 150/25V PchMOSFET
auf Bestellung 2232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.83 EUR
10+5.15 EUR
100+3.69 EUR
500+3.09 EUR
1000+3.01 EUR
3000+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86259PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86259P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.107 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86259PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; Idm: -20A; 62W; Power33
Case: Power33
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -150V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -13A
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 178mΩ
Power dissipation: 62W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86260ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86260 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.034 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.76 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86260ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.22 EUR
50+3.4 EUR
51+3.21 EUR
100+2.45 EUR
250+2.24 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86260Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 75, Qg, нКл = 15, Rds = 34 мОм, Ugs(th) = 2,7 В, Р, Вт = 54, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: Power-33-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 37 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86260onsemiDescription: MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
auf Bestellung 1527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.47 EUR
10+4.22 EUR
100+2.94 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86260ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86260 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.034 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.12 EUR
58+4.03 EUR
100+2.76 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86260ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86260onsemi / FairchildMOSFETs NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 69505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+2.28 EUR
100+2.23 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.18 EUR
3000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86260ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86260onsemiDescription: MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86260ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.22 EUR
50+3.47 EUR
51+3.34 EUR
100+2.59 EUR
250+2.43 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86260onsemiMOSFETs NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 59409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.62 EUR
10+3.86 EUR
100+2.64 EUR
500+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86260ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.94 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86260ET150onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86260ET150onsemiMOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 6979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.12 EUR
10+4 EUR
100+2.76 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.2 EUR
3000+2.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86260ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86260ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.96 EUR
97+1.74 EUR
100+1.68 EUR
250+1.62 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86260ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.94 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86260ET150onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.97 EUR
10+3.87 EUR
100+2.68 EUR
500+2.17 EUR
1000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86260ET150onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 8326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+2.26 EUR
100+2.09 EUR
1000+2 EUR
3000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86260ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.96 EUR
97+1.68 EUR
100+1.58 EUR
250+1.5 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86261PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86261PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86261PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 4528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
109+1.98 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86261PonsemiMOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 5195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.13 EUR
10+3.08 EUR
100+2.18 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.69 EUR
3000+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86261PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.57 EUR
84+2.05 EUR
101+1.67 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86261PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -9A; Idm: -20A; 40W; Power33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -9A
Power dissipation: 40W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 269mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86261PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 4528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.77 EUR
80+2.93 EUR
109+1.98 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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FDMC86261PONN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDMC86261PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.63 EUR
109+1.55 EUR
111+1.46 EUR
112+1.39 EUR
250+1.31 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86261PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V
auf Bestellung 4211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.11 EUR
10+3.31 EUR
100+2.27 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86261Ponsemi / FairchildMOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 12883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+2.2 EUR
100+1.8 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.51 EUR
3000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86261PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.63 EUR
109+1.58 EUR
111+1.52 EUR
112+1.46 EUR
250+1.42 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86262PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2A; Idm: -35A; 40W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2A
Power dissipation: 40W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 307mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -35A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86262Ponsemi / FairchildMOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO
auf Bestellung 23150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1.31 EUR
100+1.01 EUR
500+0.99 EUR
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86262PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86262PON Semiconductor
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86262PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86262PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.93 EUR
6000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86262PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.307 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.241ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.307ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.08 EUR
114+1.89 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86262PonsemiMOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO
auf Bestellung 18870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+2.32 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.13 EUR
3000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86262PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86262PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86262PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86262PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.307 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.307ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.32 EUR
76+3.08 EUR
114+1.89 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86262PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 5728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
457+1.43 EUR
507+1.27 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 457 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86262PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V
auf Bestellung 8083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.31 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.33 EUR
10+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86265Ponsemi / FairchildMOSFET PT5 150V/25V Pch PowerTrench Mosfet
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+3.2 EUR
100+2.49 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.65 EUR
3000+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86265POn SemiconductorMOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86320onsemiMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.18 EUR
10+3.36 EUR
100+2.31 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.74 EUR
3000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+2.32 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86320onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
auf Bestellung 5388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.52 EUR
10+2.92 EUR
100+2.32 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FDMC86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 4813 Stücke:
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500+2.06 EUR
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Mindestbestellmenge: 281 Stücke
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FDMC86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 7921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+2.32 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86320onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMC86320onsemi / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 5377 Stücke:
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1+3.47 EUR
10+2.92 EUR
100+2.32 EUR
250+2.14 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.65 EUR
3000+1.55 EUR
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FDMC86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 7272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+2.32 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
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FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 23975 Stücke:
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179+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
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FDMC86324onsemiMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+2.18 EUR
100+1.59 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.3 EUR
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FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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3000+1.14 EUR
6000+1.06 EUR
9000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.51 EUR
132+1.27 EUR
147+1.11 EUR
500+1.05 EUR
1000+1 EUR
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+1.86 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 351 Stücke
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FDMC86324ON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 232 Stücke:
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FDMC86324onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
auf Bestellung 3543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.3 EUR
10+2.75 EUR
100+1.86 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 400 Stücke:
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351+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 351 Stücke
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FDMC86324ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; 41W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 20A
Power dissipation: 41W
Case: PQFN8
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
Produkt ist nicht verfügbar
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FDMC86324onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 7192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.55 EUR
100+1.27 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.17 EUR
3000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin Power 33 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 23975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
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FDMC86324ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+1.86 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 351 Stücke
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FDMC86324onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMC86340ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
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FDMC86340ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
auf Bestellung 3370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.88 EUR
71+3.27 EUR
100+2.57 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.37 EUR
10+3.46 EUR
100+2.38 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 48A; Idm: 200A; 54W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 48A
Power dissipation: 54W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340onsemiMOSFETs 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.3 EUR
10+3.42 EUR
100+2.37 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.76 EUR
3000+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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