Produkte > IPA
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPA60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R170CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R170CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.144 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 26W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm | auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 51500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V | auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R180C7 | Infineon Technologies | Description: 9A, 600V, 0.18OHM, N-CHANNEL MOS Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R180C7 | Infineon | auf Bestellung 11200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA60R180C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R180C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.155 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 29W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm | auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R180C7XKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 600V TO-220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R180C7XKSA1 Produktcode: 125679
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
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| IPA60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole | auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R180P7 | Infineon | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA60R180P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R180P7S | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R180P7S | Infineon | auf Bestellung 490500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA60R180P7S | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R180P7SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 53A | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R180P7SXKSA1 Produktcode: 179007
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IPA60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-312 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | auf Bestellung 5096 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA60R180P7SXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R180P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 26W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm | auf Bestellung 737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R180P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 26W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm | auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 650, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1081 @ 400, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 180 мОм @ 5,6 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 280 мкА, Р, Вт = 26, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R180P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 26W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 26W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 53A Version: ESD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 268 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R190C6 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R190C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA60R190C6 Produktcode: 170681
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA60R190C6 | Infineon | N-MOSFET 20,2A 650V 151W 0.19Ω IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6 TIPA60r190c6 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPA60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 7765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V | auf Bestellung 9032 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA60R190C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R190C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 34W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 7766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R190E6 Produktcode: 152458
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA60R190E6 | Infineon technologies | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA60R190E6 | Infineon Technologies | Description: 600V 0.19OHM N-CHANNEL MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R190E6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS E6 | auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA60R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 483 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R190E6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R190E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 34W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm | auf Bestellung 365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 483 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R190E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R190P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_PRC/PRFRM | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA60R190P6 | Infineon technologies | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA60R190P6 | Infineon | IPA60R190P6 MOSFET TO-220FP-3 ROHS Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V | auf Bestellung 1153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R190P6XKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R190P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 722 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 3354 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 3352 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 327 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R190P6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 34W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm | auf Bestellung 522 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R199CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA60R199CP | Infineon | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R199CP | Infineon technologies | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R199CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.199Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R199CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 34W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm | auf Bestellung 227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V | auf Bestellung 453 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R1K0CEXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Power Dissipation (Max): 26W (Tc) | auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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