Produkte > STG
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| STGD5NB120SZT4 | STMicroelectronics | IGBTs N-Ch 1200 Volt 5 Amp | auf Bestellung 1770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGD5NB120SZT4 | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 5A Power dissipation: 75W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 10A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped | auf Bestellung 431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD5NB120SZT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGD5NB120SZT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD6M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD6M65DF2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss | auf Bestellung 1720 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGD6M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A Supplier Device Package: DPAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 21.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 88 W | auf Bestellung 3954 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGD6M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD6M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD6M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A Supplier Device Package: DPAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 21.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 88 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGD6M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD6N60HD | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGD6NC60H-1 | STMicroelectronics | IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT | auf Bestellung 3046 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGD6NC60H-1 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 15A TO-251 Power - Max: 62.5 W Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Part Status: Active Gate Charge: 13.6 nC Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | auf Bestellung 1874 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGD6NC60HD | STMicroelectronics | IGBT Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGD6NC60HD | ST | IGBT 600V 15A 56W STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics TSTGD6nc60hdt4 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STGD6NC60HDT4 | STM | IGBT 6A 600V DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 15A DPAK Power - Max: 56 W Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Part Status: Active Gate Charge: 13.6 nC Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns Supplier Device Package: DPAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A Reverse Recovery Time (trr): 21 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 56W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 21A Mounting: SMD Gate charge: 13.6nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 1608 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD6NC60HDT4 | ST | IGBT 600V 15A 56W STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics TSTGD6nc60hdt4 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 15A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 21 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 13.6 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A Power - Max: 56 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics | IGBTs PowerMESH" IGBT | auf Bestellung 3370 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGD6NC60HT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 15A 56W DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 13.6 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A Power - Max: 56 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGD7NB120S-1 | STMicroelectronics | Description: IGBT 1200V 10A 55W IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Td (on/off) @ 25°C: 570ns/- Switching Energy: 15mJ (off) Test Condition: 960V, 7A, 1kOhm, 15V Gate Charge: 29 nC Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 55 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGD7NB120S-1 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGD7NB120ST4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 1200V 10A 55W DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 570ns/- Switching Energy: 3.2µJ (on), 15mJ (off) Test Condition: 960V, 7A, 1kOhm, 15V Gate Charge: 29 nC Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 55 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGD7NB60B | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGD7NB60H-1 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGD7NB60HT4 | STM | 07+ TO-252 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGD7NB60KT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 14A DPAK Td (on/off) @ 25°C: 15ns/50ns Supplier Device Package: DPAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A Input Type: Standard Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 70 W Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 32.7 nC Test Condition: 480V, 7A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 95µJ (on), 140µJ (off) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGD7NB60S | STMicroelectronics | IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGD7NB60SLT4 | STMicroelectronics | IGBTs IGBTs, 600V, IGBT & Power Bipolar | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGD7NB60ST4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 15A 55W DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 7A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 700ns/- Switching Energy: 3.5mJ (off) Test Condition: 480V, 7A, 1kOhm, 15V Gate Charge: 33 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 55 W | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGD7NB60ST4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 55W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGD7NB60ST4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 15A 55W DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 7A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 700ns/- Switching Energy: 3.5mJ (off) Test Condition: 480V, 7A, 1kOhm, 15V Gate Charge: 33 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 55 W | auf Bestellung 4442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGD7NB60ST4 | STMicroelectronics | IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp | auf Bestellung 2203 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGD7NB60ST4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 55W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGD7NB60ST4 | STM | 07+ TO-252 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGD7NC60H | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGD7NC60HT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGD7NC60HT4 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGD7NC60HT4 - IGBT, 25 A, 1.85 V, 70 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 25A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD7NC60HT4 | auf Bestellung 2033 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGD7NC60HT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 25A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 35 nC Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 70 W | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGD7NC60HT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD7NC60HT4 | STMicroelectronics | IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp | auf Bestellung 3046 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGD7NC60HT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD7NC60HT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD7NC60HT4 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGD7NC60HT4 - IGBT, 25 A, 1.85 V, 70 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 25A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD7NC60HT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 25A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 35 nC Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 70 W | auf Bestellung 9850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGD7NC60HT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD8NC60KDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD8NC60KDT4 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 62W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD8NC60KDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 15A 62W DPAK Power - Max: 62 W Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Gate Charge: 19 nC Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Supplier Device Package: DPAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGD8NC60KDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD8NC60KDT4 | STMicroelectronics | IGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET | auf Bestellung 2419 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGD8NC60KDT4 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 62W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD8NC60KDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 15A 62W DPAK Power - Max: 62 W Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Gate Charge: 19 nC Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Supplier Device Package: DPAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGD8NC60KT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 15A 62W DPAK Supplier Device Package: DPAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 62 W Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 19 nC Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGD8NC60KT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 15A 62W DPAK Power - Max: 62 W Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 19 nC Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Supplier Device Package: DPAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGDL6NC60DIT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 13A 50W DPAK Power - Max: 50 W Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 12 nC Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns Supplier Device Package: DPAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Reverse Recovery Time (trr): 23 ns Input Type: Standard | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGDL6NC60DIT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 13A 50W DPAK Power - Max: 50 W Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 12 nC Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns Supplier Device Package: DPAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A Reverse Recovery Time (trr): 23 ns Input Type: Standard Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGDL6NC60DT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 13A 50W DPAK Power - Max: 50 W Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 12 nC Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 46.5µJ (on), 23.5µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns Supplier Device Package: DPAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGE200N60K | STMicroelectronics | Description: IGBT MODULE 600V 150A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGE200NB60 | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGE200NB60S | STMicroelectronics | Description: IGBT MOD 600V 200A 600W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 600 W Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.56 nF @ 25 V | auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGE200NB60S | STMicroelectronics | Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGE200NB60S | STM | IGBT N-channel 600V 150A, ISOTOP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGE200NB60S | STMicroelectronics | Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube | auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGE200NB60S | STMicroelectronics | IGBT Modules N-Ch 600 Volt 150Amp | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGE200NB60S | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGE200NB60S - IGBT-Modul, Einfach, 200 A, 1.6 V, 600 W, 150 °C, ISOTOP tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: ISOTOP Dauerkollektorstrom: 200A Dauerkollektorstrom: 200A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGE200NB60S | STMicroelectronics | Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube | auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGE200NB60S | STMicroelectronics | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP; 600W Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 400A Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Case: ISOTOP Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 600W | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGE200NB60S | STMicroelectronics | Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGE200NB60S Produktcode: 53843
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| STGE200NB60S | STMicroelectronics | Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGE50NB60HD | STMicroelectronics | Description: IGBT MOD 600V 100A 300W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 300 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.5 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGE50NB60HD | ST | 99/05+ | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGE50NC60VD | STMicroelectronics | Description: IGBT MODULE 600V 90A 260W ISOTOP Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.55 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA Power - Max: 260 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: ISOTOP NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGE50NC60VD | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGE50NC60WD | STMicroelectronics | IGBT Transistors N-Ch 600volt 50 Amp | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGE50NC60WD | STM | IGBT UFAST N-CH 100A 600V ISOTOP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGE50NC60WD | STMicroelectronics | Description: IGBT MOD 600V 100A 260W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 260 W Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.7 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGF10H60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGF10H60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGF10H60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 107 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220FP IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 57 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 30 W | auf Bestellung 1760 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGF10H60DF | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd | auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGF10H60DF | STM | IGBT 600V 20A 30W TO220FP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGF10H60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGF10M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 96 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220FP IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 30 W | auf Bestellung 1411 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGF10M65DF2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGF10M65DF2 | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 30W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 10A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: THT Gate charge: 28nC Kind of package: tube | auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGF10M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGF10NB60S | auf Bestellung 4200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF10NB60SD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGF10NB60SD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 90300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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