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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGD5NB120SZT4STMicroelectronicsIGBTs N-Ch 1200 Volt 5 Amp
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+2.81 EUR
100+1.87 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.39 EUR
2500+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD5NB120SZT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.09 EUR
41+2.07 EUR
49+1.75 EUR
54+1.58 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD5NB120SZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD5NB120SZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+1.86 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.8 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns
Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 21.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 88 W
auf Bestellung 3954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.17 EUR
11+2 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+0.99 EUR
198+0.84 EUR
224+0.73 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns
Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 21.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 88 W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6N60HD
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60H-1STMicroelectronicsIGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
auf Bestellung 3046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
10+1.55 EUR
100+1.39 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.99 EUR
3000+0.94 EUR
6000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60H-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A TO-251
Power - Max: 62.5 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Gate Charge: 13.6 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 1874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.28 EUR
75+1.48 EUR
150+1.32 EUR
525+1.11 EUR
1050+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60HDSTMicroelectronicsIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60HDSTIGBT 600V 15A 56W   STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics TSTGD6nc60hdt4
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60HDT4STMIGBT 6A 600V DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A DPAK
Power - Max: 56 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Gate Charge: 13.6 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
12+1.84 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 1608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.65 EUR
70+1.23 EUR
80+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60HDT4STIGBT 600V 15A 56W   STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics TSTGD6nc60hdt4
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsIGBTs PowerMESH" IGBT
auf Bestellung 3370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+1.86 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60HT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 56W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NB120S-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 10A 55W IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 570ns/-
Switching Energy: 15mJ (off)
Test Condition: 960V, 7A, 1kOhm, 15V
Gate Charge: 29 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 55 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NB120S-1
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NB120ST4STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 10A 55W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 570ns/-
Switching Energy: 3.2µJ (on), 15mJ (off)
Test Condition: 960V, 7A, 1kOhm, 15V
Gate Charge: 29 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 55 W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NB60B
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NB60H-1
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NB60HT4STM07+ TO-252
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NB60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/50ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 70 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 32.7 nC
Test Condition: 480V, 7A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 95µJ (on), 140µJ (off)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NB60SSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NB60SLT4STMicroelectronicsIGBTs IGBTs, 600V, IGBT & Power Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NB60ST4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 55W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/-
Switching Energy: 3.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 1kOhm, 15V
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 55 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NB60ST4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 55W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NB60ST4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 55W DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/-
Switching Energy: 3.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 1kOhm, 15V
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 55 W
auf Bestellung 4442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.13 EUR
10+3.32 EUR
100+2.28 EUR
500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NB60ST4STMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
auf Bestellung 2203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.15 EUR
10+3.33 EUR
100+2.31 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.78 EUR
2500+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NB60ST4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 55W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NB60ST4STM07+ TO-252
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NC60H
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NC60HT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD7NC60HT4 - IGBT, 25 A, 1.85 V, 70 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.7 EUR
61+3.86 EUR
100+2.81 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NC60HT4
auf Bestellung 2033 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns
Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 70 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2 EUR
5000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.13 EUR
83+2.07 EUR
85+1.99 EUR
100+1.92 EUR
250+1.86 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
auf Bestellung 3046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.95 EUR
10+3.86 EUR
100+2.83 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.03 EUR
2500+1.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NC60HT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD7NC60HT4 - IGBT, 25 A, 1.85 V, 70 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns
Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 70 W
auf Bestellung 9850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.41 EUR
10+4.18 EUR
100+2.9 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.13 EUR
83+2.02 EUR
85+1.92 EUR
100+1.81 EUR
250+1.71 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD8NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.81 EUR
10000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD8NC60KDT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 62W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.07 EUR
97+2.42 EUR
144+1.5 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD8NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 62W DPAK
Power - Max: 62 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD8NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.81 EUR
10000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD8NC60KDT4STMicroelectronicsIGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
auf Bestellung 2419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.22 EUR
10+2.05 EUR
100+1.38 EUR
500+1.08 EUR
1000+1 EUR
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD8NC60KDT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 62W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.42 EUR
144+1.5 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD8NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 62W DPAK
Power - Max: 62 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD8NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 62W DPAK
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 62 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD8NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 62W DPAK
Power - Max: 62 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGDL6NC60DIT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 13A 50W DPAK
Power - Max: 50 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Input Type: Standard
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGDL6NC60DIT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 13A 50W DPAK
Power - Max: 50 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Input Type: Standard
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGDL6NC60DT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 13A 50W DPAK
Power - Max: 50 W
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 46.5µJ (on), 23.5µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE200N60KSTMicroelectronicsDescription: IGBT MODULE 600V 150A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE200NB60
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE200NB60SSTMicroelectronicsDescription: IGBT MOD 600V 200A 600W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.56 nF @ 25 V
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.47 EUR
10+39.06 EUR
100+31.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE200NB60SSTMicroelectronicsTrans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE200NB60SSTMIGBT N-channel 600V 150A, ISOTOP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE200NB60SSTMicroelectronicsTrans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+47.91 EUR
5+46.14 EUR
10+35.15 EUR
25+33.31 EUR
50+30.27 EUR
100+29.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE200NB60SSTMicroelectronicsIGBT Modules N-Ch 600 Volt 150Amp
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.79 EUR
10+35 EUR
100+33.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE200NB60SSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGE200NB60S - IGBT-Modul, Einfach, 200 A, 1.6 V, 600 W, 150 °C, ISOTOP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Dauerkollektorstrom: 200A
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE200NB60SSTMicroelectronicsTrans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+47.5 EUR
5+44.76 EUR
10+33.57 EUR
25+31.29 EUR
50+27.72 EUR
100+26.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE200NB60SSTMicroelectronicsCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP; 600W
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Case: ISOTOP
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 600W
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+31.55 EUR
5+28.94 EUR
10+27.57 EUR
20+27.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE200NB60SSTMicroelectronicsTrans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE200NB60S
Produktcode: 53843
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE200NB60SSTMicroelectronicsTrans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+37.29 EUR
10+35.64 EUR
50+34.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE50NB60HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT MOD 600V 100A 300W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 300 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.5 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE50NB60HDST99/05+
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE50NC60VDSTMicroelectronicsDescription: IGBT MODULE 600V 90A 260W ISOTOP
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.55 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Power - Max: 260 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOTOP
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE50NC60VD
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE50NC60WDSTMicroelectronicsIGBT Transistors N-Ch 600volt 50 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE50NC60WDSTMIGBT UFAST N-CH 100A 600V ISOTOP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE50NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT MOD 600V 100A 260W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 260 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.7 nF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STGF10H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF10H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.57 EUR
140+1.2 EUR
147+1.11 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF10H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220FP
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns
Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 1760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
50+1.83 EUR
100+1.64 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STGF10H60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+1.75 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
2000+1.09 EUR
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STGF10H60DFSTMIGBT 600V 20A 30W TO220FP Транзистори
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STGF10H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.24 EUR
147+1.17 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
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STGF10M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220FP
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns
Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 1411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.39 EUR
50+1.62 EUR
100+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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STGF10M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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STGF10M65DF2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.86 EUR
50+1.71 EUR
62+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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STGF10M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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STGF10NB60S
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STGF10NB60SDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 23A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.11 EUR
2000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STGF10NB60SDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 23A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 90300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.68 EUR
120+1.4 EUR
126+1.29 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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