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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
ZXMN7A11GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN7A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 3.8 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.44 EUR
164+1.42 EUR
236+0.9 EUR
296+0.73 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11GZETEX07+ SOT223
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN7A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 3.8 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.44 EUR
164+1.42 EUR
236+0.9 EUR
296+0.73 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11GQTADiodes Inc./ZetexN-Channel 70 V 2.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11GQTADiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&R 1K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11GQTADiodes ZetexMOSFET BVDSS, 61V to 100V SOT223 1K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11GTADiodes IncorporatedMOSFET 70V N-Channel 3.8A MOSFET
auf Bestellung 5620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.63 EUR
10+1.45 EUR
100+0.99 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.64 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.71 EUR
2000+0.62 EUR
3000+0.6 EUR
5000+0.58 EUR
7000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.44 EUR
138+1.21 EUR
140+1.15 EUR
183+0.86 EUR
250+0.81 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.26 EUR
140+1.23 EUR
183+0.92 EUR
250+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
auf Bestellung 7186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
14+1.52 EUR
100+0.95 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11KZETEX07+ DPAK
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 50134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.64 EUR
13+1.67 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN7A11KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 6.1 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.93 EUR
137+1.7 EUR
208+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11KTC
Produktcode: 185461
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11KTCZETEX09+
auf Bestellung 5018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.7 EUR
5000+0.64 EUR
7500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.96 EUR
192+0.88 EUR
194+0.83 EUR
222+0.7 EUR
250+0.67 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11KTCDiodes IncorporatedMOSFET 70V N-Channel 6.1A MOSFET
auf Bestellung 4959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.68 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN7A11KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 6.1 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
137+1.7 EUR
208+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+0.9 EUR
194+0.89 EUR
222+0.76 EUR
250+0.74 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMNA01F
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMNA14F
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMNS3BM832ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMNS3BM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMNS3BM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMNS3BM832TA
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMNS3BM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP1017E6TA
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 65501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.49 EUR
14+1.57 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 806mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 3799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.05 EUR
133+1.75 EUR
202+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.64 EUR
6000+0.6 EUR
9000+0.57 EUR
15000+0.55 EUR
21000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FQTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 2033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.06 EUR
104+0.82 EUR
132+0.64 EUR
143+0.6 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FQTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V P-Ch Enh FET 20Vgs -0.5A ID 625mW
auf Bestellung 55380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FQTA
Produktcode: 194601
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 806mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 806mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 3799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.05 EUR
133+1.75 EUR
202+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FTADiodesMOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 5014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.94 EUR
207+1.13 EUR
318+0.68 EUR
500+0.54 EUR
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.5A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+1.12 EUR
130+0.65 EUR
173+0.49 EUR
192+0.44 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
1500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FTADiodes IncorporatedMOSFETs P-Ch 100 Volt 0.7A
auf Bestellung 18918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.82 EUR
10+1.13 EUR
100+0.73 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FTADIODES/ZETEXP-MOSFET 0.7A 100V 625mW 1Ω ZXMP10A13FTA Diodes TZXMP10A13F
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 5014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.94 EUR
207+1.13 EUR
318+0.68 EUR
500+0.54 EUR
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FTA-50Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23 (Type DN)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FTA-50Diodes Zetex100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FTCDiodes IncorporatedMOSFETs P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 372 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 372 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A13FTCDIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A16ZETEXTO-252
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A16KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 717 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
auf Bestellung 41123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.73 EUR
13+1.74 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A16KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A16KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A16KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 717 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.71 EUR
5000+0.67 EUR
7500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A16KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.83 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A16KTCDiodes IncorporatedMOSFETs P-Chan 100V MOSFET (UMOS)
auf Bestellung 3735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.59 EUR
100+1.09 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A16KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17E6ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 145964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
14+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17E6QTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS61V-100V
auf Bestellung 4320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.49 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
3000+0.6 EUR
6000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17E6QTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.82 EUR
141+1.65 EUR
212+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.62 EUR
6000+0.57 EUR
9000+0.56 EUR
15000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17E6QTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
141+1.65 EUR
212+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17E6TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.3A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2061 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.58 EUR
73+1.18 EUR
102+0.84 EUR
118+0.73 EUR
250+0.61 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
auf Bestellung 24007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.09 EUR
17+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.51 EUR
6000+0.48 EUR
9000+0.45 EUR
15000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 100V P-Chanl UMOS
auf Bestellung 43603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.74 EUR
100+1.15 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
auf Bestellung 767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
134+1.74 EUR
162+1.32 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17GZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17GQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17GQTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
auf Bestellung 2867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+1.76 EUR
100+1.34 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.92 EUR
2000+0.86 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP10A17GQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+3 EUR
124+1.88 EUR
178+1.21 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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