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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMC86340ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 4012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+2.39 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340onsemi / FairchildMOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
auf Bestellung 9243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+2.93 EUR
100+2.51 EUR
250+2.4 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.78 EUR
3000+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
auf Bestellung 3370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.88 EUR
71+3.27 EUR
100+2.57 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ET80onsemi / FairchildMOSFET FET 80V 6.5 MOHM PQFN33
auf Bestellung 5026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.26 EUR
10+5.32 EUR
25+5.24 EUR
100+4.41 EUR
500+4.05 EUR
1000+3.47 EUR
3000+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ET80ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86340ET80 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ET80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+3.5 EUR
500+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ET80onsemiMOSFETs 80V N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET
auf Bestellung 3237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.95 EUR
10+4.96 EUR
100+3.92 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+3.5 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ET80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.88 EUR
10+5.87 EUR
100+4.15 EUR
500+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8651onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 15 V
auf Bestellung 6340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.56 EUR
100+1.74 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8651ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 15A 8-Pin Power 33 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8651onsemiMOSFETs 30V N-Channel Power Trench
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4 EUR
10+2.57 EUR
100+1.74 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.26 EUR
3000+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8651onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.05 EUR
6000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8651ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel Power Trench
auf Bestellung 5300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8651ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 41W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 41W
Case: PQFN8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Technology: PowerTrench®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520DConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 30 V
auf Bestellung 14875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.56 EUR
10+4.96 EUR
100+3.49 EUR
500+2.86 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+3 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86520DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0063 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 28826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.7 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520DCON Semiconductor
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520DConsemiMOSFETs 60V N-Chan DualCool PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 9596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.81 EUR
10+5.13 EUR
100+3.62 EUR
500+3.03 EUR
3000+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520DConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 30 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+3 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86520DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0063 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 28826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.15 EUR
43+5.52 EUR
100+3.7 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520DCON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V N-Chan DualCool PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+3 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.58 EUR
10000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520DConsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Chan DualCool PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 10096 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.75 EUR
10+4.61 EUR
100+3.25 EUR
500+2.89 EUR
3000+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 40W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13.5A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86520L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 6500 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.94 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520Lonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Chnl Pwr Trench MOSFET
auf Bestellung 3890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+3.96 EUR
100+3.19 EUR
250+3.09 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.2 EUR
3000+2.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13.5A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 30 V
auf Bestellung 6635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.68 EUR
10+3.44 EUR
100+2.51 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86520LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86520L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 6500 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.45 EUR
52+4.5 EUR
100+2.94 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86570LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/56A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6705 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86570LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86570LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86570L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 3100 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.7 EUR
40+5.87 EUR
100+4.24 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86570LON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V N Chan Shielded Gate Power Trench
auf Bestellung 9578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86570Lonsemi / FairchildMOSFETs 60V N Chan Shielded Gate Power Trench
auf Bestellung 10398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.71 EUR
10+3.88 EUR
25+3.81 EUR
100+3 EUR
250+2.87 EUR
500+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86570LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/56A POWER33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6705 pF @ 30 V
auf Bestellung 4308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.31 EUR
10+4.61 EUR
100+3.58 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86570LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86570LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86570L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 3100 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.24 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86570LonsemiMOSFETs 60V N Chan Shielded Gate Power Trench
auf Bestellung 3620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.58 EUR
10+4.99 EUR
100+3.5 EUR
500+2.92 EUR
3000+2.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86570LET60onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/87A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86570LET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin Power QFN EP T/R
auf Bestellung 10246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.78 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86570LET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin Power QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86570LET60onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/87A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.18 EUR
10+4.21 EUR
100+3.06 EUR
500+2.61 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86570LET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin Power QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86570LET60onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 5997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.31 EUR
10+4.63 EUR
100+3.25 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8676ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 2063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+1.93 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8676ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 1974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+1.93 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8676ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8676 - FDMC8676, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8676Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/18A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
398+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 398 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8676
Produktcode: 100756
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8676ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+1.93 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.54 EUR
10000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8678S
Produktcode: 100757
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8678SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8678S - FDMC8678S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
479+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 479 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8678SonsemiDescription: 15A, 30V, 0.0052OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
398+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 398 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8854onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8854ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8854 - MOSFET, N, SMD, MLP
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8854ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Ch Power Trench MOSFET
auf Bestellung 3504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8854onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8854Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 10 V
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
447+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 447 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8854FAI09+
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8878ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.5 A, 0.014 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 93544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8878onsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 25534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.81 EUR
10+2.53 EUR
100+1.96 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.3 EUR
3000+1.2 EUR
6000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 41 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8878onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+1.46 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8878On SemiconductorMOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 317611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+1.46 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.17 EUR
10000+1.02 EUR
100000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8878onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.71 EUR
10+2.37 EUR
100+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+1.46 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8878ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16.5A; 31W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16.5A
Power dissipation: 31W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8878_F126onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8882onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.7 EUR
6000+0.64 EUR
9000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8882ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8882ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8882 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0124 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.73 EUR
154+1.51 EUR
210+1.02 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8882ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
auf Bestellung 2101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+0.99 EUR
194+0.87 EUR
196+0.83 EUR
219+0.71 EUR
250+0.67 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8882ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8882 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0124 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+2.73 EUR
154+1.51 EUR
210+1.02 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8882onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 30235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
19+1.15 EUR
100+0.93 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8882onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel Power Trench 174 MOSFET
auf Bestellung 9360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.49 EUR
100+1.06 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.81 EUR
3000+0.73 EUR
6000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8882ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
auf Bestellung 2101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+0.9 EUR
196+0.88 EUR
219+0.76 EUR
250+0.74 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8884On SemiconductorMOSFET N-CH 30V 9A POWER33 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 14382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
871+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
10000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 871 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8884Fairchild SemiconductorDescription: 9A, 30V, 0.019OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V
auf Bestellung 330019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
626+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 626 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8884onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel Power Trench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 23886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
871+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
10000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 871 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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