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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTH450P2IXYSMOSFET PolarP2 Power MOSFET
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.96 EUR
10+10.36 EUR
30+10.06 EUR
120+8.23 EUR
270+7.98 EUR
510+7.2 EUR
1020+6.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH450P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.88 EUR
30+9.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH460P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH460P2IXYSMOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH460P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 48A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48N15IXYSMOSFETs 48 Amps 150V 0.032 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48N20IXYSMOSFETs 48 Amps 200V 0.050 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 48A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 48A TO247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48N65X2IXYSMOSFETs TO247 650V 48A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.86 EUR
10+14.36 EUR
120+13.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+15.28 EUR
7+12.9 EUR
10+11.66 EUR
30+9.96 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.08 EUR
30+9.88 EUR
120+8.63 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH48N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 48 A, 0.065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 48
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 660
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 25 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.75 EUR
30+14.32 EUR
120+12.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48P20PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+18.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48P20PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH48P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 48 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 462W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.72 EUR
12+20.77 EUR
13+17.16 EUR
50+16.66 EUR
100+16.15 EUR
250+15.83 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.4 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
auf Bestellung 2813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.21 EUR
30+17.24 EUR
120+14.85 EUR
510+13.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48P20PIXYSMOSFETs -48.0 Amps -200V 0.085 Rds
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.08 EUR
10+17.33 EUR
120+15.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48P20PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+15.95 EUR
7+13.27 EUR
10+11.67 EUR
30+11.28 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48P20PMOSFET P-CH 200V 48A TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48P20PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+22.4 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48P20P Transistor
Produktcode: 202095
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH4N100LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 290W; TO247-3; 1.1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1.1µs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH4N150IXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 4A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH4N150IXYSMOSFETs High Voltage Power MOSFET
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.82 EUR
10+17.01 EUR
120+12.73 EUR
510+12.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH4N150IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO247-3; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 280W
Case: TO247-3
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH4N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH500N04T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 500A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH500N04T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 500A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH500N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 500A TO247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH500N04T2IXYSMOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 40V 500A
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.07 EUR
10+26.7 EUR
30+25.19 EUR
60+24.42 EUR
120+22.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH50N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH50N20
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH50N20IXYSMOSFETs 50 Amps 200V 0.045 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH50N20Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH50N25TIXYSMOSFETs Trench Gate Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH50N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH50N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 50A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH50N30TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH50N30L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 540W; TO247-3; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 50A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 430ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH50N30L2Littelfuse Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH50P085IXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXTH50P085IXYSMOSFET -50 Amps - 500 V 0.055 W Rds
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IXTH50P10LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTH50P10LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTH50P10LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTH50P10LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTH50P10Ixys CorporationTrans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTH50P10IXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.32 EUR
30+15.97 EUR
120+13.7 EUR
510+12.38 EUR
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IXTH50P10LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+13.34 EUR
25+12.58 EUR
50+11.84 EUR
100+11.19 EUR
250+10.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IXTH50P10IXYSMOSFETs -50 Amps -100V 0.055 Rds
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.39 EUR
10+13.04 EUR
120+12.73 EUR
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IXTH50P10LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH50P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.84 EUR
12+20.74 EUR
13+17.01 EUR
50+16.11 EUR
100+15.21 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IXTH50P10LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXTH50P10Ixys CorporationTrans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTH52N65XIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 52A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXTH52N65XIXYSMOSFETs 650V/9A Power MOSFET
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IXTH52P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTH52P10PIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 52A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.78 EUR
30+9.88 EUR
120+8.37 EUR
510+7.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTH52P10PIXYSMOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.5 EUR
10+14.49 EUR
120+10.61 EUR
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IXTH54N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 54A TO-247
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXTH54N30TIXYSMOSFET 54 Amps 300V 72 Rds
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IXTH56N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 56A TO-247
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXTH5N100AIXYSMOSFETs 5 Amps 1000V 2 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH5N100AIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 5A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N10IXYSMOSFETs 60 Amps 100 V 0.033 W Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N15IXYSMOSFETs 60 Amps 150V 0.033 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXTH60N20L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 330ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N20L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.88 EUR
30+22.57 EUR
120+20.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N20L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N20L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.44 EUR
10+27.61 EUR
120+27.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N20X4IXYSMOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.93 EUR
10+13.89 EUR
120+12.23 EUR
510+12.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N20X4IXYSDescription: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N25IXYSMOSFET 60 Amps 250V 0.046 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 60A TO247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N30TIXYSMOSFET 60 Amps 300V 60 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH62N25TIXYSMOSFETs 62 Amps 250V 50 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH62N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 62A TO247
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH62N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH62N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 62A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 25 V
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.04 EUR
30+16.47 EUR
120+14.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH62N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH62N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 780W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.19 EUR
11+21.96 EUR
13+17.24 EUR
50+14.2 EUR
100+13.22 EUR
250+12.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH62N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 62A; 780W; TO247-3; 445ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 445ns
Gate charge: 0.1µC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH62N65X2IXYSMOSFETs TO247 650V 62A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.14 EUR
10+16.53 EUR
120+15.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N10L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH64N10L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 64 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.56 EUR
15+16.34 EUR
16+13.39 EUR
50+12.69 EUR
100+11.97 EUR
250+11.73 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N10L2IXYSMOSFETs TO247 100V 64A N-CH LINEAR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N10L2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.66 EUR
30+11.04 EUR
120+10.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTH64N65XIXYSMOSFETs 650V/64A Power MOSFET
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.09 EUR
10+25.19 EUR
120+20.99 EUR
510+18.71 EUR
1020+17.47 EUR
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IXTH64N65XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 64A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 450ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTH64N65XIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 64A TO247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXTH67N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 67A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 33.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXTH67N10IXYSTO252
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IXTH67N10IXYSMOSFETs 67 Amps 100V 0.025 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXTH68P20TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
auf Bestellung 228 Stücke:
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1+37.87 EUR
30+28.69 EUR
60+28.52 EUR
120+26.85 EUR
270+24.06 EUR
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