Produkte > DMN

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMN2300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
629+0.29 EUR
1011+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 629 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.24 A, 0.175 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
211+1.19 EUR
342+0.68 EUR
443+0.49 EUR
585+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
15000+0.24 EUR
21000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1314000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.24 A, 0.175 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
211+1.19 EUR
342+0.68 EUR
443+0.49 EUR
585+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23,3K
auf Bestellung 11387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.48 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
628+0.35 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 628 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.78A 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.78A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67.62 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 468mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.17 EUR
50000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.78A 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A
auf Bestellung 27780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB4-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.96A; 0.5W; X1-DFN1006-3; ESD
Case: X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 0.96A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
auf Bestellung 5274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.46 EUR
249+0.35 EUR
363+0.24 EUR
429+0.2 EUR
616+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
5000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 290000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
auf Bestellung 670000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.12 EUR
20000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
50000+0.095 EUR
70000+0.092 EUR
100000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 9687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1894+0.093 EUR
3000+0.088 EUR
6000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 1894 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 9687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1894+0.093 EUR
3000+0.089 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 1894 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.92 EUR
451+0.51 EUR
710+0.3 EUR
1205+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
auf Bestellung 687817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
52+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 290000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.92 EUR
451+0.51 EUR
710+0.3 EUR
1205+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB4-7BDiodesMOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1593+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1593 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.21A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67.62 pF @ 25 V
auf Bestellung 2408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
36+0.6 EUR
100+0.37 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.21 A, 0.2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.99 EUR
327+0.71 EUR
642+0.33 EUR
834+0.26 EUR
1205+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1593+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1593 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.21A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67.62 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFD-7DiodesMOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFD-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3,3K
auf Bestellung 2931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.54 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.21 A, 0.2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.99 EUR
327+0.71 EUR
642+0.33 EUR
834+0.26 EUR
1205+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 630000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
965+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 965 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 154706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
30+0.71 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS
auf Bestellung 5740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.7 EUR
100+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+1.31 EUR
252+0.93 EUR
506+0.43 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 177000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 177000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
15000+0.21 EUR
21000+0.2 EUR
30000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 177000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+1.31 EUR
252+0.93 EUR
506+0.43 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 177000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135.2pF @ 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 530mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
15000+0.21 EUR
21000+0.2 EUR
30000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4Q-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1310-6 T&R 3K
auf Bestellung 2158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
auf Bestellung 8553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.06 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
auf Bestellung 4741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+0.25 EUR
20+0.17 EUR
100+0.086 EUR
1000+0.077 EUR
3000+0.057 EUR
9000+0.048 EUR
24000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3094 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1038+0.23 EUR
2337+0.092 EUR
2445+0.088 EUR
2565+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3094 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1038+0.23 EUR
2337+0.092 EUR
2445+0.088 EUR
2565+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
auf Bestellung 8553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
105+0.2 EUR
234+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.088 EUR
20000+0.081 EUR
30000+0.076 EUR
50000+0.071 EUR
70000+0.069 EUR
100000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.5 EUR
11+0.31 EUR
100+0.2 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.096 EUR
10000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin X2-DFN
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UFD-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN1212-3 T&R 3K
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.48 EUR
100+0.38 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.9 A, 0.15 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+1.21 EUR
394+0.6 EUR
614+0.35 EUR
715+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UFD-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 198000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.9 A, 0.15 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+1.21 EUR
394+0.6 EUR
614+0.35 EUR
715+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1212-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 198000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
21000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
75000+0.094 EUR
150000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UT-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Nächste Seite >> ]