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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMN2230UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.081ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+1.14 EUR
296+0.79 EUR
463+0.46 EUR
614+0.35 EUR
1500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-7DiodesDMN2230UQ-7 MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 366000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW
auf Bestellung 14489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+0.57 EUR
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
184+1.36 EUR
301+0.77 EUR
470+0.45 EUR
625+0.35 EUR
1500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2250UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs N-CH MOSFET 20V
auf Bestellung 16670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.4 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
2500+0.2 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2250UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
auf Bestellung 17770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
52+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2250UFB-7BDiodesMOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2250UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2250UFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.35A 3-Pin X1-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN22M5UCA10-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V X4-DSN3221-10
Supplier Device Package: X4-DSN3221-10
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Power - Max: 960mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN22M5UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3926 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN22M5UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN22M5UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 27A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3926 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 104000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.69 EUR
6000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN22M5UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 2K
auf Bestellung 17675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+1.21 EUR
100+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN22M5UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 27A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3926 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 105167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
13+1.63 EUR
25+1.37 EUR
50+1.21 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.24 A, 0.175 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
211+1.19 EUR
342+0.68 EUR
443+0.49 EUR
585+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23,3K
auf Bestellung 11387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.48 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
628+0.33 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 628 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
auf Bestellung 129000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
629+0.27 EUR
1011+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 629 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.24 A, 0.175 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
211+1.19 EUR
342+0.68 EUR
443+0.49 EUR
585+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1314000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
auf Bestellung 131084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.32 EUR
26+0.82 EUR
31+0.68 EUR
50+0.6 EUR
100+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.78A 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.78A 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67.62 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 468mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.17 EUR
50000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.78A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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DMN2300UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
auf Bestellung 110768 Stücke:
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10000+0.13 EUR
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DMN2300UFB4-7BDiodesMOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN Транзистори
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DMN2300UFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.92 EUR
451+0.51 EUR
710+0.3 EUR
1205+0.18 EUR
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DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
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DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 290000 Stücke:
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DMN2300UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A
auf Bestellung 27780 Stücke:
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6+0.67 EUR
10+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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10000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 290000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
auf Bestellung 115922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
46+0.46 EUR
55+0.38 EUR
63+0.33 EUR
100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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DMN2300UFB4-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.96A; 0.5W; X1-DFN1006-3; ESD
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 0.96A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: X1-DFN1006-3
auf Bestellung 4269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+0.52 EUR
269+0.32 EUR
382+0.23 EUR
439+0.19 EUR
582+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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DMN2300UFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.92 EUR
451+0.51 EUR
710+0.3 EUR
1205+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 9687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1894+0.09 EUR
3000+0.086 EUR
6000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 1894 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 9687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1894+0.09 EUR
3000+0.088 EUR
6000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 1894 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 630000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.21A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67.62 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.21 A, 0.2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.99 EUR
327+0.71 EUR
642+0.33 EUR
834+0.26 EUR
1205+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1593+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1593 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1593+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1593 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFD-7DiodesMOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFD-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3,3K
auf Bestellung 2931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.54 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.21A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67.62 pF @ 25 V
auf Bestellung 2408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
36+0.6 EUR
100+0.37 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.21 A, 0.2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.99 EUR
327+0.71 EUR
642+0.33 EUR
834+0.26 EUR
1205+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 23700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.3 EUR
26+0.81 EUR
32+0.68 EUR
50+0.6 EUR
100+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 177000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+1.31 EUR
252+0.93 EUR
506+0.43 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 177000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
965+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 965 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.19A; Idm: 6A; 1.39W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: X2-DFN1310-6
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.39W
Gate charge: 3.2nC
Drain current: 1.19A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS
auf Bestellung 1928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.32 EUR
10+0.6 EUR
100+0.52 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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DMN2300UFL4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMN2300UFL4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135.2pF @ 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 530mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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