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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFL4310TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBF
Produktcode: 53875
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 1,6 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,20 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/25
Montage: SMD
auf Bestellung: 26 St.
  • 26 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.82 EUR
10+0.73 EUR
100+0.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 8562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.03 EUR
17+1.27 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 2204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
185+1.25 EUR
273+0.79 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.39 EUR
5000+0.35 EUR
7500+0.33 EUR
17500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.48 EUR
179+0.94 EUR
254+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.39 EUR
5000+0.35 EUR
7500+0.33 EUR
12500+0.31 EUR
17500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInternational Rectifier100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 packa, pbf Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.48 EUR
7500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.98 EUR
254+0.68 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 2504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+2.12 EUR
186+1.25 EUR
285+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.49 EUR
5000+0.44 EUR
7500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.49 EUR
5000+0.43 EUR
7500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInfineon100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 packa, pbf Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315InfineonTransistor N-MOSFET; 150V; 30V; 185mOhm; 2,6A; 2,8W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRFL4315; IRFL4315TR; IRFL4315; IRFL4315TR TIRFL4315
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315International RectifierTransistor N-MOSFET; 150V; 30V; 185mOhm; 2,6A; 2,8W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRFL4315; IRFL4315TR; IRFL4315; IRFL4315TR TIRFL4315
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2560 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315PBFInternational Rectifier150V , 2.6A Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 packa Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315PBFInfineon TechnologiesMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 12nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315PbF(Transistor)
Produktcode: 76177
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223-4
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
Drain-Strom Idd, A: 2,6 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 185 мОм
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFL4315TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.6 A, 0.185 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
183+1.27 EUR
267+0.81 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.48 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 2.6A 185mOhm 12nC
auf Bestellung 8988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.63 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.49 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFL4315TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.6 A, 0.185 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 2141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+2.62 EUR
183+1.27 EUR
253+0.84 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.49 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
auf Bestellung 4161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
15+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.8W; SOT223
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.8W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.48 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4710IR07+ SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL52N15DIR07+ SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL59N10DIR07+ SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL630IR07+ SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL630BIR07+ SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL7406PBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014IRSOT-223
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFL9014
Produktcode: 123235
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SILITransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Id, A: 1,8 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 270/12
Montage: SMD
auf Bestellung: 63 St.
  • 63 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.69 EUR
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IRFL9014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
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IRFL9014
Produktcode: 46633
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1+0.88 EUR
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IRFL9014PBFVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
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IRFL9014PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,8 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 пФ, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 1.1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
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IRFL9014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFL9014PBF (Transistor)
Produktcode: 31798
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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IRFL9014PBF..VISHAYDescription: VISHAY - IRFL9014PBF.. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 1.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: To Be Advised
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IRFL9014TRVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
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IRFL9014TR
Produktcode: 201622
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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IRFL9014TRVishayTranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL9014; IRFL9014TR; IRFL9014-GURT; IRFL9014TR-BE3; IRFL9014TR TIRFL9014
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFL9014TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRFL9014TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 62mOhm; 8A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFL9014; IRFL9014TR; IRFL9014TR-BE3; IRFL9014TR UMW TIRFL9014 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRVishayTranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL9014; IRFL9014TR; IRFL9014-GURT; IRFL9014TR-BE3; IRFL9014TR TIRFL9014
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFL9014TR-CNCHIPNOBOTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 99mOhm; 10A; 31,3W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFL9014; IRFL9014TR; IRFL9014TR-BE3; IRFL9014TR-CN CHIPNOBO TIRFL9014 CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFL9014TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.62 EUR
130+1.8 EUR
175+1.23 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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IRFL9014TRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 0.5Ω
auf Bestellung 6802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.77 EUR
71+1.2 EUR
100+0.93 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.57 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 37908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.68 EUR
10+3.68 EUR
100+2.53 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFL9014TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 1.1 Amp
auf Bestellung 7355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+2.2 EUR
100+1.52 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.11 EUR
2500+0.83 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 1,1 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 2902 Од.
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBF
Produktcode: 31799
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 1,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
1+0.96 EUR
10+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.73 EUR
5000+1.62 EUR
7500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT223 P-CH 60V 1.8A
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.84 EUR
10+2.26 EUR
100+1.63 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.08 EUR
2500+0.82 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 2603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.68 EUR
10+3.68 EUR
100+2.53 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFL9014TRPBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 1.8A, SOT-223
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.31 EUR
100+2.18 EUR
250+2.05 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBF-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110IRSOT-223
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110PBFP-Channel 100V 1.1A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110PBF
Produktcode: 99844
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-223-3
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Id, A: 0,69 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 200/8,7
Montage: SMD
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.4 EUR
10+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110PBFVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFL9110TRPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,1 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25, Qg, нКл = 8,7 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110PBFIRFL9110PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 5102 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRSiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 1,1A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL9110 TIRFL9110
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFL9110TRVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.05 EUR
197+0.86 EUR
199+0.81 EUR
230+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.62 EUR
7500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.73 EUR
129+1.33 EUR
250+1.17 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBFSOT223 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 7487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.48 EUR
153+1.52 EUR
177+1.21 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.75 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -8.8A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 8.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.69A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
auf Bestellung 1023 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+1.48 EUR
78+1.09 EUR
105+0.81 EUR
119+0.71 EUR
250+0.62 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 100V 1.1 Amp
auf Bestellung 46629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.51 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.7 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+0.88 EUR
199+0.87 EUR
230+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 15240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.38 EUR
10+3.47 EUR
50+2.65 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.75 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
irfl9110trpbf
Produktcode: 22352
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8542 39 90 00
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IRFL9110TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 7487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.48 EUR
153+1.52 EUR
177+1.21 EUR
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