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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFL9110TRPBF-BE3MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.72 EUR
100+1.84 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.24 EUR
5000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBF-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Pulsed drain current: -8.8A
Drain current: -0.69A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT223 100V 1.1A P-CH MOSFET
auf Bestellung 40501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.22 EUR
10+1.43 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.63 EUR
2500+0.59 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9540IR07+ SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9N60AIR07+ SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFLELANDPBFIOR2007
auf Bestellung 1813 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFLL014
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFLL110TRIR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFLOBOIOR2007
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFLZDD03AltechRF Modules Wireless PB receiver
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+372.24 EUR
10+354.73 EUR
25+343.68 EUR
50+323 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM014
auf Bestellung 14130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM014TFTO-223
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM054Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM054International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM054SCXInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM064International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM064IR0515
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM110
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM110AFAIRCHILDSOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM110ATF
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM110ATFonsemi / FairchildMOSFET 100V Single
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM120AFAIRCHILD07+ SOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM120AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM120ATFONSEMIDescription: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM120ATFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM120ATFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM120ATFonsemi / FairchildMOSFETs 100V Single
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.53 EUR
10+1.12 EUR
100+0.74 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM120ATFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.96 EUR
217+0.67 EUR
500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM120ATFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.3A; Idm: 18A; 2.4W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 0.2Ω
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 2.4W
Pulsed drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM120ATFInternational Rectifier/InfineonСдвоенный N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=2.3A@t=25C, 1.84A@t=70C, Rds... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM120ATFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM120ATFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.28 EUR
152+0.93 EUR
217+0.63 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM120ATFONSEMIDescription: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM120ATFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.41 EUR
8000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM120ATF
Produktcode: 129782
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM120ATFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM120ATFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM120ATF-NL
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM140International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM140IR0149+
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM150International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+241.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM150International RectifierTrans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+241.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM210A
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM210BFAIRCHILD07+ SOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM210BTFONSEMIDescription: ONSEMI - IRFM210BTF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM210BTFFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 390mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
auf Bestellung 7025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
699+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 699 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM210BTF_FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 770MA SOT223-4
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 390mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM210BTF_FP001onsemi / FairchildMOSFET 200V Single
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM214/IRFM224
auf Bestellung 4640 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM214BFAIRCHILD07+ SOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM214BF
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM220BFAIRCHILD07+ SOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM220BTFONSEMIDescription: ONSEMI - IRFM220BTF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 49910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM220BTFFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 570mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 49910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
649+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 649 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM220BTF_FP001onsemi / FairchildMOSFET 200V Single
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM220BTF_FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 570mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
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IRFM240International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
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IRFM250International RectifierTrans MOSFET N-CH 200V 27.4A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
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IRFM250IR1996
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IRFM250International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 200V 27.4A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
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IRFM250International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 200V 27.4A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
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IRFM260TT ElectronicsMOSFETs
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IRFM260International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
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IRFM260SCVInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
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IRFM260SCVInfineon / IRMOSFET
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IRFM260SCXInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
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IRFM260SCXInfineon / IRMOSFET
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IRFM350IRTO-55
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IRFM350International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 400V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
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IRFM360International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
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IRFM360Infineon / IRMOSFETs
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IRFM360-JQR-BSemelab (TT electronics)MOSFET - POWER
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IRFM360SCVInfineon / IRMOSFET
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IRFM360SCVInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
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IRFM400IOR0449+ TO-3
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IRFM440International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
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IRFM450International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
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IRFM450Infineon / IRMOSFET
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IRFM450PBFInfineon / IRMOSFET
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IRFM450SCXInfineon TechnologiesInfineon
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IRFM460Semelab (TT electronics)Power MOSFET Thru Hole
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IRFM460Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 19A TO254AA
Packaging: Bag
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-254AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
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IRFM460SCVInfineon TechnologiesMOSFET
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IRFM460SCVInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
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IRFM7250IR94+
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IRFM9140International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
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IRFM9140International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
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IRFM9240International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
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10+266.58 EUR
25+252.72 EUR
50+240.5 EUR
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IRFM9240International RectifierTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
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1+278.5 EUR
10+272.5 EUR
25+262.44 EUR
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IRFMG40Infineon / IRMOSFET
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IRFMG40AInfineon TechnologiesMOSFETs
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IRFMG40CDVInfineon Technologies
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IRFMG40SCVInfineon / IRMOSFET
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IRFMG40SCXInfineon / IRMOSFET
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IRFMG50International RectifierTrans MOSFET N-CH 1KV 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
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