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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMP22M2UPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.22 EUR
10+4.05 EUR
100+2.81 EUR
500+2.28 EUR
1000+2.18 EUR
2500+2.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP22M2UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 77500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305UDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305U-7DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 4.2A 60mΩ 1.4W DMP2305U-7 Diodes TDMP2305u
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 4895 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 727 pF @ 20 V
auf Bestellung 53880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
49+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305U-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
auf Bestellung 108611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.48 EUR
100+0.24 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2305U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 25515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
387+0.64 EUR
629+0.37 EUR
926+0.23 EUR
991+0.21 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 387 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.2A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305U-7DiodesТранзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -4,2А, 1,4Вт, SOT23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305U-7
Produktcode: 164480
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 727 pF @ 20 V
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
15000+0.12 EUR
21000+0.11 EUR
30000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2305U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 22665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
387+0.64 EUR
629+0.37 EUR
926+0.23 EUR
991+0.21 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 387 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305U-7DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 4.2A 60mΩ 1.4W DMP2305U-7 Diodes TDMP2305u
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305U-7-CNCHIPNOBOTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DMP2305U-7 Diodes; DMP2305U-7-CN CHIPNOBO TDMP2305u CNB
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 727 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 727 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.32 EUR
10+0.75 EUR
100+0.56 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -10A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 113mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.23A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-CH MOSFET
auf Bestellung 2977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.06 EUR
10+0.67 EUR
100+0.39 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2305UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.23 A, 0.045 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 3970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+1.26 EUR
314+0.74 EUR
532+0.4 EUR
646+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.98A; Idm: -16A; 1.64W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.98A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.64W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 113mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 727 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 19645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.18 EUR
29+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.23A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2305UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.23 A, 0.045 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 3970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+1.26 EUR
314+0.74 EUR
532+0.4 EUR
646+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 727 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
15000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2305UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.23A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2540UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 4A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2540UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 40mOhm -25V -5.2A
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2541UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-WLB1515-9 T&R 3K
auf Bestellung 1399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.18 EUR
10+1.02 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2541UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 3.9A U-WLB1515-9
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2541UCP9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DSN1515
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DSN1515-9 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-XFBGA, DSBGA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP25H18DLFDE-13Diodes IncorporatedMOSFET 250V P-Ch Enh FET 40Vgss 81pF 2.8nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP25H18DLFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 250V 260MA 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP25H18DLFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 250V 260MA 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81 pF @ 25 V
auf Bestellung 150271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.31 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP25H18DLFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 250V 260MA 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81 pF @ 25 V
auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP25H18DLFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP25H18DLFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 10 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.67 EUR
130+1.65 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP25H18DLFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs 250V P-Ch Enh FET 40Vgss 81pF 2.8nC
auf Bestellung 2046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.31 EUR
100+1.55 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP25H18DLFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 250V 0.26A 6-Pin UDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP25H18DLFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP25H18DLFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 10 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.52 EUR
87+2.67 EUR
130+1.65 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP26M1UFGDiodesMOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP26M1UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -56A; Idm: -110A; 3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -56A
Pulsed drain current: -110A
Power dissipation: 3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP26M1UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333-8 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP26M1UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 71A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP26M1UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5392 pF @ 10 V
auf Bestellung 61860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.26 EUR
15+1.42 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP26M1UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5392 pF @ 10 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.58 EUR
4000+0.55 EUR
6000+0.52 EUR
10000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP26M1UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP26M1UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 90 A, 5000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2.76W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.76W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.43 EUR
117+1.99 EUR
166+1.3 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP26M7UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP26M7UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP26M7UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.23 EUR
15+1.42 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP26M7UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
133+1.75 EUR
201+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP26M7UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.58 EUR
4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP26M7UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.43 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP26M7UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+3 EUR
133+1.75 EUR
201+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP27M1UPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP282820A-121MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 125UH 13.5A 16.7 MOHM
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 0.787" W (27.50mm x 20.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 16.7mOhm
Current - Saturation (Isat): 6.4A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 125 µH
Current Rating (Amps): 13.5 A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+43.26 EUR
10+35.33 EUR
20+27.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP282820A-161MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 165UH 11.7A 22.3 MOHM
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 0.787" W (27.50mm x 20.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 22.3mOhm
Current - Saturation (Isat): 5.6A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 165 µH
Current Rating (Amps): 11.7 A
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+43.26 EUR
10+35.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP282820A-221MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 220UH 10A 31 MOHM TH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 0.787" W (27.50mm x 20.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 31mOhm
Current - Saturation (Isat): 4.8A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 220 µH
Current Rating (Amps): 10 A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+43.26 EUR
10+35.33 EUR
20+27.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP282820A-330MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 33UH 26A 4.5 MOHM TH
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 0.787" W (27.50mm x 20.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 4.5mOhm
Current - Saturation (Isat): 12.4A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 33 µH
Current Rating (Amps): 26 A
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+43.95 EUR
10+35.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP282820A-331MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 330UH 7.7A 51.6 MOHM
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 0.787" W (27.50mm x 20.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 51.6mOhm
Current - Saturation (Isat): 3.9A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 330 µH
Current Rating (Amps): 7.7 A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+43.26 EUR
10+35.33 EUR
20+27.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP282820A-500MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 50UH 21A 6.8 MOHM TH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 0.787" W (27.50mm x 20.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 6.8mOhm
Current - Saturation (Isat): 10.2A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 50 µH
Current Rating (Amps): 21 A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+43.26 EUR
10+35.33 EUR
20+27.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP282820A-900MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 90UH 15.5A 12.5 MOHM
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 0.787" W (27.50mm x 20.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 12.5mOhm
Current - Saturation (Isat): 7.6A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 90 µH
Current Rating (Amps): 15.5 A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+43.26 EUR
10+35.33 EUR
20+27.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP282829A-111MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 115UH 16.5A 11.9 MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 1.122" W (27.50mm x 28.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 11.9mOhm
Current - Saturation (Isat): 7.6A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 115 µH
Current Rating (Amps): 16.5 A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+49.56 EUR
10+39.65 EUR
20+31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP282829A-131MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 135UH 15A 14 MOHM TH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 1.122" W (27.50mm x 28.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 14mOhm
Current - Saturation (Isat): 7.1A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 135 µH
Current Rating (Amps): 15 A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+49.56 EUR
10+39.65 EUR
20+31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP282829A-211MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 210UH 12A 21.6 MOHM TH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 1.122" W (27.50mm x 28.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 21.6mOhm
Current - Saturation (Isat): 5.7A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 210 µH
Current Rating (Amps): 12 A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+49.56 EUR
10+39.65 EUR
20+31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP282829A-341MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 0.34MH 10A 36.6 MOHM
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 1.122" W (27.50mm x 28.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 36.6mOhm
Current - Saturation (Isat): 4.4A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 0.34 mH
Current Rating (Amps): 10 A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+49.56 EUR
10+39.65 EUR
20+31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP282829A-701MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 700UH 6A 86 MOHM TH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 1.122" W (27.50mm x 28.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 86mOhm
Current - Saturation (Isat): 3.1A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 700 µH
Current Rating (Amps): 6 A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+49.56 EUR
10+39.65 EUR
20+31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.63A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 370mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R 3K
auf Bestellung 3087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.63A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 370mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 219000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
15000+0.1 EUR
21000+0.098 EUR
30000+0.094 EUR
75000+0.084 EUR
150000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.63A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 370mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 220929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 370mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UDWQ-7Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode Mosfet
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.075 EUR
20000+0.068 EUR
30000+0.064 EUR
50000+0.061 EUR
70000+0.058 EUR
100000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-3 T&R 10K
auf Bestellung 6553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
10+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
10000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 16 V
auf Bestellung 108507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
76+0.27 EUR
122+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.099 EUR
5000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UFBQ-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-3 T&R 10K
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2900UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.57 EUR
354+0.65 EUR
486+0.44 EUR
596+0.36 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 3K
auf Bestellung 2822 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+0.5 EUR
100+0.39 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2900UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.57 EUR
354+0.65 EUR
486+0.44 EUR
596+0.36 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UV-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -680mA; Idm: -2.5A; 800mW
Drain current: -680mA
Gate charge: 0.7nC
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 13 inch reel; tape
On-state resistance: 25Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.5A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -680mA; Idm: -2.5A; 800mW
Drain current: -680mA
Gate charge: 0.7nC
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 25Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UVQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UVQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
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DMP2900UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323
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DMP2900UW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K
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DMP2900UWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 10K
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