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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPD2012-760Inventus PowerDesktop AC Adapters The factory is currently not accepting orders for this product.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD2012-760Inventus PowerDescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 19W
Part Status: Active
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Region Utilized: North America
Input Connector: IEC 320-C6
Current - Output (Max): 1.6A
Efficiency: Level VI
Form: Desktop (Class I)
Approval Agency: CB, CE, cTUVus
Input Type: Cord (Sold Separately)
Applications: ITE (Commercial)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Cord Length: 48" (1.22m)
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Polarization: Positive Center
Voltage - Output: 12V
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Packaging: Box
Power (Watts): 19 W
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.95 EUR
5+27.54 EUR
20+25.62 EUR
40+24.72 EUR
60+24.19 EUR
100+23.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD2012-760SInventus PowerDescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 19W
Packaging: Box
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Voltage - Output: 12V
Polarization: Positive Center
Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Cord Length: 48" (1.22m)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, cTUVus
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 1.6A
Input Connector: IEC 320-C6
Region Utilized: North America
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 19 W
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD2024-760Inventus PowerDescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 19W
Power (Watts): 19 W
Part Status: Active
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Region Utilized: North America
Input Connector: IEC 320-C6
Current - Output (Max): 800mA
Efficiency: Level VI
Form: Desktop (Class I)
Approval Agency: CB, CE, cTUVus
Input Type: Cord (Sold Separately)
Applications: ITE (Commercial)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Cord Length: 48" (1.22m)
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Polarization: Positive Center
Voltage - Output: 24V
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Packaging: Box
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.21 EUR
5+29.62 EUR
20+27.55 EUR
40+26.57 EUR
60+26.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD2024-760Inventus PowerPlug-In Adapter Single-OUT 24V 0.8A 20W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD2024-760SInventus PowerDescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 19W
Power (Watts): 19 W
Part Status: Active
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Region Utilized: North America
Input Connector: IEC 320-C6
Current - Output (Max): 800mA
Efficiency: Level VI
Form: Desktop (Class I)
Approval Agency: CE, cTUVus
Input Type: Cord (Sold Separately)
Applications: ITE (Commercial)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Cord Length: 48" (1.22m)
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Polarization: Positive Center
Voltage - Output: 24V
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Packaging: Box
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD20N03Linfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD20N03LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD20N03LInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD20N03L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD20N03LGINF07+;
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD20N03LP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD20N06infineon04+
auf Bestellung 35270 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD2131-25OSRAM Opto SemiconductorsAlphanumericDisplay Matrix Panel 1DIGIT 35LED Yellow Automotive 24-Pin CDIP
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+178 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD2131-27OSRAM Opto SemiconductorsAlphanumericDisplay Matrix Panel 1DIGIT 35LED Yellow Automotive 24-Pin CDIP
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+171.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD220N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 30A DPAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 22350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD220N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
auf Bestellung 1817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.52 EUR
50+1.13 EUR
100+1 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD220N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD220N06L3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.73 EUR
10+1.68 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD220N06L3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD220N06L3GBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD220N06L3GBTMA1InfineonMOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD220N06L3GBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD22N08S2L-50Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 22A DPAK-2 OptiMOS
auf Bestellung 4804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+2.14 EUR
100+1.56 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.21 EUR
2500+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.27 EUR
5000+1.08 EUR
7500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD22N08S2L50ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD22N08S2L50ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 27 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.52 EUR
90+2.59 EUR
128+1.68 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
auf Bestellung 5308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.11 EUR
10+2.62 EUR
50+1.99 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.27 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.29 EUR
5000+1.12 EUR
7500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
395+1.63 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 395 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.7 EUR
68+2.48 EUR
107+1.5 EUR
500+1.26 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD22N08S2L50ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD22N08S2L50ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 27 A, 0.0385 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0385ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
114+2.05 EUR
135+1.59 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.27 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.72 EUR
67+2.55 EUR
106+1.57 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD230N06LGinfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD230N06LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD230N06NGinfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD230N06NGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD2434481074TE ConnectivityDescription: TE Connectivity IPD2434481074
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+65.5 EUR
27+62.86 EUR
51+60.34 EUR
201+57.95 EUR
402+55.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD250N06N3 GCT-ND
Produktcode: 81287
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD250N06N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25CN10N GInfineon
auf Bestellung 204500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25CN10NGinfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.52 EUR
99+1.68 EUR
141+1.14 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 14031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+2 EUR
100+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
568+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 568 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.53 EUR
98+1.73 EUR
140+1.19 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25CN10NGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD25CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 2005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.15 EUR
96+2.44 EUR
143+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.73 EUR
5000+0.69 EUR
7500+0.67 EUR
12500+0.63 EUR
17500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
568+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 568 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.73 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.73 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
auf Bestellung 1268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
11+1.99 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 177500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25CN10NGBUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25CN10NGBUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25CNE8N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25CNE8NGinfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25DP06LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25DP06LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 2377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.49 EUR
100+1.18 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.76 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25DP06LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25DP06LMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD25DP06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.187 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.187ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.27 EUR
157+1.49 EUR
209+1.02 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25DP06NMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.38 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.55 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25DP06NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25DP06NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
15+1.45 EUR
50+1.08 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S2-40INFINEON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S2-40Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 29A DPAK-2 OptiMOS
auf Bestellung 2546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S2-40ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPD25N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S240ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S240ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 29A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
12+1.86 EUR
50+1.38 EUR
100+1.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S240ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 1933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.37 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.9 EUR
2500+0.76 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S240ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S240ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 29A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L-30ATMA2Infineon TechnologiesDescription: IPD25N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 36407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
859+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
10000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 859 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.67 EUR
7500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD25N06S4L30ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
auf Bestellung 22836 Stücke:
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2+2.49 EUR
10+1.17 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPD25N06S4L30ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 17A; Idm: 92A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
141+1.65 EUR
203+1.06 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 160304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
859+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
10000+0.6 EUR
100000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 859 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.58 EUR
300+0.56 EUR
305+0.52 EUR
310+0.5 EUR
315+0.46 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.57 EUR
305+0.56 EUR
310+0.54 EUR
315+0.51 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+2.7 EUR
141+1.65 EUR
203+1.06 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
859+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 859 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.53 EUR
14+1.59 EUR
50+1.18 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2InfineonMOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2
Produktcode: 209229
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
308+0.56 EUR
318+0.54 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD26N06S2L-35Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 30A DPAK-2 OptiMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD26N06S2L35ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 621 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD26N06S2L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.05 EUR
190+0.88 EUR
196+0.82 EUR
235+0.65 EUR
253+0.58 EUR
272+0.52 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD26N06S2L35ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD26N06S2L35ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 4630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+1.39 EUR
100+1.12 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD26N06S2L35ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 621 pF @ 25 V
auf Bestellung 1042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.89 EUR
50+1.42 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD26N06S2L35ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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