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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
PMPB20ENZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20ENZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
auf Bestellung 2109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.06 EUR
27+0.65 EUR
50+0.47 EUR
100+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20ENZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20ENZNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 30V 7.2A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20LNAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB20LNAX - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6410 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20SNAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB20SNAX - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6410 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20SNAXNexperia USA Inc.Description: PMPB20SNA - 40V, N-CHANNEL TRENC
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.27W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5323+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20UN,115NexperiaMOSFET PMPB20UN/SOT1220/REEL7
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20UN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-DFN2020MD (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XNEAXNexperiaMOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XNEAXNexperiaMOSFETs PMPB20XNEA/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.77 EUR
10+0.52 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.22 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 92500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3364+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XNEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XNEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 4.5V
auf Bestellung 97002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1007+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1007 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XNEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB20XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.016 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 4502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3364+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XNEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XNEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB20XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.016 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XNEAZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
auf Bestellung 6423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1007+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1007 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XNEAZNXPDescription: NXP - PMPB20XNEAZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3501 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XNEAZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XNEAZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XNEAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB20XNEAZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3501 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XNEAZNexperiaMOSFETs PMPB20XNEA/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 5754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.77 EUR
10+0.52 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XNEAZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XPE,115NexperiaMOSFETs 20 V, single P-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 5505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.68 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V
auf Bestellung 6214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.09 EUR
27+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XPE,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB20XPE,115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 689000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2744 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XPE,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XPEAXNexperiaP-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB20XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.2 A, 0.019 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XPEAXNexperiaP-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XPEAXNexperiaMOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XPEAXNexperiaMOSFETs SOT1220 P-CH 20V 7.2A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB20XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.2 A, 0.019 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XPEZNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XPEZNexperiaMOSFETs SOT1220 P-CH 20V 7.2A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XPEZNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB20XPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V
auf Bestellung 17363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.16 EUR
25+0.72 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB215ENEA,115Rochester Electronics, LLCDescription: PMPB215ENEA - 80V, SINGLE N-CHAN
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4808 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB215ENEA/F,115Rochester Electronics, LLCDescription: 80V, SINGLE N CHANNEL TRENCH MOS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB215ENEA/FXNexperiaMOSFET PMPB215ENEA/SOT1220/SOT1220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB215ENEA/FXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.3 EUR
22+0.8 EUR
50+0.58 EUR
100+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB215ENEA/FXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB215ENEAHPNexperia USA Inc.Description: PMPB215ENEA/SOT1220/SOT1220
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9609 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.79 EUR
34+0.52 EUR
100+0.35 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.23 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB215ENEAHPNexperiaMOSFETs 80 V, single N-channel Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB215ENEAHPNexperia USA Inc.Description: PMPB215ENEA/SOT1220/SOT1220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB215ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 1.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB215ENEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB215ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 1.9 A, 0.175 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB215ENEAXNexperiaMOSFETs 80 V, single N-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 4293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.76 EUR
10+0.61 EUR
100+0.32 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB215ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 1.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB215ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.76 EUR
30+0.6 EUR
100+0.32 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB215ENEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB215ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 1.9 A, 0.175 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB215ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 1.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB215ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB23XNE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB23XNE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB23XNE,115NexperiaMOSFETs SOT1220 N CHAN 20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB23XNEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB23XNEAXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 20V 7A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB23XNEZNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 20V 7A
auf Bestellung 4507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.09 EUR
10+0.53 EUR
100+0.43 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB23XNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 129000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3741+0.15 EUR
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PMPB23XNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7A 6-Pin DFN-MD EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB23XNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 10 V
auf Bestellung 5862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.09 EUR
27+0.67 EUR
50+0.49 EUR
100+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB23XNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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3741+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3741 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB23XNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 5900 Stücke:
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844+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 844 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB23XNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB24EPNexperiaNexperia
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB24EPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 6.4A 6-Pin DFN-MD EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB24EPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1069 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB24EPXNexperiaMOSFET PMPB24EP/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 5816 Stücke:
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4+0.89 EUR
10+0.73 EUR
100+0.5 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.26 EUR
9000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB24EPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1069 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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PMPB25ENEA,115NexperiaPMPB25ENEA,115
auf Bestellung 33000 Stücke:
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2507+0.22 EUR
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PMPB25ENEA115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB25ENEA115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 33000 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 2465 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB25ENEAXNexperiaMOSFET MOSFET SOT1220
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PMPB25ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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PMPB25ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
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2771+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2771 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB25ENEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET DFN2020MD-6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB25ENEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB25ENEX - MISCELLANEOUS MOSFETS
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auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB25ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB25ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB25ENEXNexperiaMOSFET PMPB25ENE/SOT1220/SOT1220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB25ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2771+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2771 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB25ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
763+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 763 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB25ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB25ENEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.37 EUR
21+0.85 EUR
50+0.62 EUR
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB25ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB27EP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 5140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
688+0.23 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 688 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB27EP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 22511693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3162+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB27EP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 167718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3162+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB27EP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 6.1A DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB27EP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB27EP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 4076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3162+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB27EP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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