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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSS159NH6906XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS159NH6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 27445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.25 EUR
178+1.31 EUR
272+0.79 EUR
1000+0.52 EUR
22500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS159NH6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1204+0.55 EUR
10000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS159NH6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 40080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
682+0.25 EUR
692+0.24 EUR
702+0.23 EUR
713+0.21 EUR
724+0.2 EUR
735+0.19 EUR
746+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 682 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS159NH6906XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
auf Bestellung 1318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.26 EUR
100+0.84 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.52 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS159NH6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 53436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1204+0.55 EUR
10000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS159NL6327InfineonТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS159NL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS159NL6906Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
FET Feature: Depletion Mode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS159NL6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS159NL6906HTSA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS159NL6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS16PHI/MOT
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Bss160HBEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 160mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.160MXP; 179020.0,16; 0034.1508 Fuse: fast-acting; 160mA Bss160
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 686 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169 E6327Infineon TechnologiesArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169 E6906Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
FET Feature: Depletion Mode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169 E6906Infineon TechnologiesArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169 H6327
Produktcode: 142538
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169 H6327Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 68 @ 25, Qg, нКл = 2.8 @ 7 В, Rds = 6 Ом @ 170 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,8 В @ 50 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
auf Bestellung 72057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.8 EUR
10+1.24 EUR
100+0.79 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169 H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
299+0.58 EUR
312+0.55 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.46 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 299 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169 H6906Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
auf Bestellung 42786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.42 EUR
10+1.24 EUR
100+0.84 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.54 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169 L6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169 L6906Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 68 @ 25, Qg, нКл = 2,8 @ 7 В, Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,8 В @ 50 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 30 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169 L6906Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6327HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS169 E6327; BSS169 E6906; BSS169H6327XTSA1; BSS169H6906XTSA1; BSS169H6327 HXY MOSFET TBSS169 HXY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6327InfineonТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6327XTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
auf Bestellung 63024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.8 EUR
10+1.24 EUR
100+0.79 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
auf Bestellung 1323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.96 EUR
10+1.36 EUR
100+0.86 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
auf Bestellung 52316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+1.3 EUR
327+0.71 EUR
466+0.46 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6327XTSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 Транзистори
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
30+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
auf Bestellung 52316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+1.3 EUR
327+0.71 EUR
466+0.46 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
269+0.64 EUR
422+0.4 EUR
558+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 269 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.17A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Power dissipation: 0.36W
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.79 EUR
165+0.51 EUR
233+0.37 EUR
271+0.31 EUR
329+0.26 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6906XTSA1Infineon
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 69918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1147+0.57 EUR
10000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6906XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 360mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.17A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.9Ω
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.8nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6906XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 45000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 43881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS169IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.83 EUR
486+0.48 EUR
770+0.27 EUR
1038+0.2 EUR
1165+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
465+0.37 EUR
569+0.3 EUR
741+0.23 EUR
778+0.2 EUR
997+0.15 EUR
1425+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 465 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
auf Bestellung 4734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
49+0.43 EUR
102+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169IXTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 7450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS169IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.9ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
276+0.9 EUR
432+0.54 EUR
814+0.26 EUR
878+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 276 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169IXUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169IXUSA1Infineon Technologies SMALL SIGNAL MOSFETS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169L6327ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSS169L6327 - BSS169 60V-600V N-CHANNEL DEPLETION MOD
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169L6327
auf Bestellung 5080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169L6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 190mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169L6327HTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169L6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169L6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS17PHILIPS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS18PHI/MOT
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS19PHI/MOT
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192NexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192 T/RNXP SemiconductorsMOSFETs TAPE-7 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.33 EUR
2000+0.29 EUR
3000+0.27 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
575+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 575 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192,115NexperiaMOSFETs SOT89 200V 200A
auf Bestellung 8235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.89 EUR
100+0.6 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+1.52 EUR
221+1.06 EUR
259+0.83 EUR
314+0.68 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
575+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 575 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.33 EUR
2000+0.29 EUR
3000+0.27 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
20+1.07 EUR
50+0.79 EUR
100+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
auf Bestellung 12159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.38 EUR
158+1.48 EUR
183+1.18 EUR
217+0.99 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.44 EUR
3000+0.36 EUR
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BSS192,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BSS192,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS192,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS192,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BSS192,135NexperiaMOSFETs SOT89 240V 200A
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BSS192.115
Produktcode: 169689
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BSS192P
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BSS192P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -250V -190mA SOT-89-3
auf Bestellung 1858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.44 EUR
10+0.88 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
5000+0.31 EUR
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BSS192PE6327ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSS192PE6327 - BSS192 - SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS192PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS192PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
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BSS192PH6327FTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.31 EUR
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BSS192PH6327FTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
auf Bestellung 8789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
20+1.07 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
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BSS192PH6327FTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -250V -190mA SOT-89-3
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+0.74 EUR
100+0.54 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.29 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSS192PH6327FTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Case: PG-SOT89
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -190mA
Power dissipation: 1W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+0.94 EUR
132+0.64 EUR
222+0.38 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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BSS192PH6327FTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.68 EUR
255+0.92 EUR
350+0.61 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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BSS192PH6327FTSA1
Produktcode: 173677
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BSS192PH6327FTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
184+0.99 EUR
245+0.7 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
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BSS192PH6327FTSA1InfineonBSS192PH6327FTSA1 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89 Оптрони та твердотільні реле
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BSS192PH6327FTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.32 EUR
2000+0.27 EUR
5000+0.24 EUR
7000+0.2 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS192PH6327FTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS192PH6327FTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.48 EUR
2000+0.44 EUR
3000+0.42 EUR
5000+0.39 EUR
7000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS192PH6327FTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.68 EUR
255+0.92 EUR
350+0.61 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192PH6327FTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.32 EUR
2000+0.27 EUR
3000+0.26 EUR
5000+0.23 EUR
7000+0.18 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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