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Description: MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 2897500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.9 EUR
5000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMP3011SFK-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2523-6 T&R 10K

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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

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DMP3011SFK-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2523-6 T&R 3K

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP3011SFVW-13

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8

auf Bestellung 977 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.26 EUR
19+	1.11 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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DMP3011SFVW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K

auf Bestellung 2444 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.62 EUR
10+	1.11 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.54 EUR
3000+	0.43 EUR
6000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3011SFVW-13

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3011SFVW-7

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.51 EUR
4000+	0.46 EUR
6000+	0.45 EUR
10000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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DMP3011SFVW-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K

auf Bestellung 1847 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.34 EUR
10+	0.99 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.49 EUR
2000+	0.45 EUR
4000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3011SFVW-7

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN

auf Bestellung 11898 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.96 EUR
18+	1.23 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

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DMP3011SFVWQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K

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Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3011SFVWQ-13

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3011SFVWQ-13

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3011SFVWQ-7

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 37311 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.78 EUR
12+	1.75 EUR
25+	1.48 EUR
50+	1.3 EUR
100+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3011SFVWQ-7

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.75 EUR
6000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3011SFVWQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.8 EUR
10+	1.2 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.61 EUR
2000+	0.56 EUR
4000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3011SPDW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3011SPSW-13

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3011SPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3011SSS-13

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.63 EUR
5000+	0.58 EUR
7500+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3011SSS-13

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3011SSS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T and R 2.5K

auf Bestellung 2028 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.01 EUR
10+	1.55 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR
2500+	0.63 EUR
5000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3011SSS-13

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3011SSS-13

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 13435 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.12 EUR
14+	1.55 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3012LPS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 13.2A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.29W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6807 pF @ 15 V

auf Bestellung 890 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.43 EUR
14+	1.52 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3012LPS-13

MOSFETs 30V P-Ch Enh Mode 30Vgss 6807pF 139nC

auf Bestellung 1338 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.74 EUR
10+	1.5 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.74 EUR
2500+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3012LPS-13

Description: DIODES INC. - DMP3012LPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.2 A, 7500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.29W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3012LPS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 13.2A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6807 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.29W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3012LPS-13

Description: DIODES INC. - DMP3012LPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.2 A, 7500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.29W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 70 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3012SPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3013SFK-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3013SFK-13

Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 19.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

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DMP3013SFK-7

High Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP3013SFK-7

Description: MOSFET P-CH 30V DFN2523-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Supplier Device Package: U-DFN2523-6

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP3013SFK-7

Description: MOSFET P-CH 30V DFN2523-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Supplier Device Package: U-DFN2523-6

auf Bestellung 5488 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.88 EUR
18+	1.17 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

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DMP3013SFK-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

auf Bestellung 1485 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.77 EUR
10+	1.18 EUR
25+	1.17 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.55 EUR
3000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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DMP3013SFV

MOSFET

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DMP3013SFV-13

Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2205 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

133+	1.88 EUR
207+	1.12 EUR
316+	0.68 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 133 Stücke

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DMP3013SFV-13

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 29461 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.52 EUR
22+	0.98 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

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DMP3013SFV-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

auf Bestellung 14998 Stücke:

Lieferzeit 290-294 Tag (e)

2+	1.78 EUR
10+	1.29 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.57 EUR
3000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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DMP3013SFV-13

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP3013SFV-13

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.36 EUR
6000+	0.33 EUR
9000+	0.32 EUR
15000+	0.31 EUR
21000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP3013SFV-13

auf Bestellung 2205 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

133+	1.88 EUR
207+	1.12 EUR
316+	0.68 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 133 Stücke

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DMP3013SFV-13

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP3013SFV-7

Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 9500 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 4064 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

132+	1.9 EUR
213+	1.09 EUR
292+	0.74 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 132 Stücke

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DMP3013SFV-7

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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DMP3013SFV-7

DIODES INCORPORATED

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 0.94W; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 0.94W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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DMP3013SFV-7

Diodes

DMP3013SFV-7 DMP3013SFV MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333 Транзистори

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DMP3013SFV-7

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3013SFV-7

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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DMP3013SFV-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

auf Bestellung 36563 Stücke:

Lieferzeit 290-294 Tag (e)

2+	1.69 EUR
10+	1.04 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.49 EUR
2000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3013SFV-7

auf Bestellung 4064 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

132+	1.9 EUR
213+	1.09 EUR
292+	0.74 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 132 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3013SFV-7

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3013SFV-7 Transistor
Produktcode: 214611

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3014SFDE-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K

auf Bestellung 15213 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.51 EUR
10+	0.93 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.42 EUR
2500+	0.38 EUR
5000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3015LSS

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3015LSS-13

Description: DIODES INC. - DMP3015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm

auf Bestellung 2397 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	4 EUR
118+	1.98 EUR
177+	1.21 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 63 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3015LSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3015LSS-13

Description: DIODES INC. - DMP3015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm

auf Bestellung 2397 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4 EUR
118+	1.98 EUR
177+	1.21 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3015LSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V

auf Bestellung 16099 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.76 EUR
12+	1.75 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3015LSS-13

MOSFETs P-Channel 2.5W

auf Bestellung 1028 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.75 EUR
10+	1.73 EUR
100+	1.15 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.9 EUR
2500+	0.73 EUR
5000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3015LSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.74 EUR
5000+	0.69 EUR
7500+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3015LSSQ-13

Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 172500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.92 EUR
5000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3015LSSQ-13

MOSFETs Single -30V P-Ch Enh FET -20Vgss

auf Bestellung 2265 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.28 EUR
10+	2.09 EUR
100+	1.39 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1 EUR
2500+	0.88 EUR
5000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3015LSSQ-13

Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 174983 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.31 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3017SFG

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3017SFG-13

Trans MOSFET P-CH 30V 11.5A 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

562+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 562 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3017SFG-13

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3017SFG-13

MOSFET FET BVDSS 25V 30V P-Ch 0.94W 2246pF

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3017SFG-13

Trans MOSFET P-CH 30V 11.5A 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

373+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 373 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3017SFG-7

Description: MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3017SFG-7

Description: MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3017SFG-7

MOSFET FET BVDSS 25V 30V P-Ch 0.94W 2246pF

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DMP3017SFGQ-13

MOSFET 30V P-Ch Enh FET 30Vgss -80A Idm

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DMP3017SFGQ-13

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A

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DMP3017SFGQ-7

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A POWERDI333

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DMP3017SFGQ-7

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A POWERDI333

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DMP3017SFGQ-7

MOSFET 30V P-Ch Enh FET 30Vgss -80A Idm

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DMP3017SFK-13

MOSFET 30V P-Ch Enh FET 25Mgs 2207pF 21.6nC

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DMP3017SFK-13

Description: MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4414 pF @ 15 V

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DMP3017SFK-7

MOSFET 30V P-Ch Enh FET 25Mgs 2207pF 21.6nC

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DMP3017SFK-7

Description: MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4414 pF @ 15 V

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DMP3017SFK-7

Trans MOSFET P-CH 30V 10.4A 6-Pin UDFN EP T/R

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DMP3017SFK-7

Trans MOSFET P-CH 30V 10.4A 6-Pin UDFN EP T/R

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DMP3017SFK-7

Description: MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4414 pF @ 15 V

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DMP3017SFV-13

Description: MOSFET P-CH 30V 40A POWERDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

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DMP3017SFV-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

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DMP3017SFV-7

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DMP3017SFV-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

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DMP3018SFK-13

Description: MOSFET P-CH 30V 10.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4414 pF @ 15 V

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DMP3018SFK-13

MOSFETs P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss

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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

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DMP3018SFK-13

Trans MOSFET P-CH 30V 10.2A 6-Pin UDFN EP T/R

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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

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DMP3018SFK-7

Trans MOSFET P-CH 30V 10.2A 6-Pin UDFN EP T/R

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP3018SFK-7

Description: MOSFET P-CH 30V 10.2A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4414 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP3018SFK-7

MOSFETs P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss

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2+	1.89 EUR
10+	1.44 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.71 EUR
3000+	0.65 EUR
6000+	0.64 EUR

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DMP3018SFK-7

Trans MOSFET P-CH 30V 10.2A 6-Pin UDFN EP T/R

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP3018SFK-7

auf Bestellung 2038 Stücke:

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9+	2.48 EUR
14+	1.57 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.74 EUR

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DMP3018SFV

MOSFETs

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DMP3018SFV-13

Description: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V

auf Bestellung 39033 Stücke:

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14+	1.52 EUR
23+	0.94 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.42 EUR

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DMP3018SFV-13

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP3018SFV-13