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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMP3010LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
auf Bestellung 42500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.63 EUR
5000+0.58 EUR
7500+0.56 EUR
12500+0.52 EUR
17500+0.51 EUR
25000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.4 EUR
154+1.51 EUR
223+0.96 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
auf Bestellung 42615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
14+1.51 EUR
100+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 9544 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.63 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.4 EUR
154+1.51 EUR
223+0.96 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3010LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 3755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.32 EUR
91+2.57 EUR
145+1.48 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.71 EUR
5000+0.7 EUR
7500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgs
auf Bestellung 3528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.31 EUR
10+2 EUR
100+1.39 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.04 EUR
2500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3010LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 3755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
145+1.48 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 17A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 100372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
13+1.65 EUR
100+1.11 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LPSDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 14.5A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 74750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.17 EUR
11+2 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 14.5A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.86 EUR
5000+0.8 EUR
7500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET P-CH -30V VBR 1KV 2.18W PD Min RDS
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 36A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs FET BVDSS 25V-30V P-Ch 36A 7.5Vgs 6324
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.7 EUR
100+1.17 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.26W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
auf Bestellung 1338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.25 EUR
92+2.53 EUR
148+1.45 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2897500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
10+2.09 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 36A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.26W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
auf Bestellung 1338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.53 EUR
148+1.45 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2897500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.9 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 36A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SFK-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2523-6 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SFK-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2523-6 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8 T&R 3K
auf Bestellung 2199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
19+1.11 EUR
100+0.86 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.51 EUR
4000+0.46 EUR
6000+0.45 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
auf Bestellung 1847 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.34 EUR
10+0.99 EUR
100+0.68 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.45 EUR
4000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
auf Bestellung 11898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 37311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.75 EUR
25+1.48 EUR
50+1.3 EUR
100+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.75 EUR
6000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.8 EUR
10+1.2 EUR
100+0.83 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.56 EUR
4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SPDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.63 EUR
5000+0.58 EUR
7500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SSS-13Diodes Zetex30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T and R 2.5K
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.63 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
14+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3011SSS-13Diodes Zetex30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3012LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 13.2A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.29W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6807 pF @ 15 V
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.52 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3012LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Ch Enh Mode 30Vgss 6807pF 139nC
auf Bestellung 1338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.5 EUR
100+1.04 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3012LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 13.2A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6807 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.29W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3012LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3012LPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.2 A, 7500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.29W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3012LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3012LPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.2 A, 7500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.29W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3012SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFK-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFK-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.5A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 19.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFK-7Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V DFN2523-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V DFN2523-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
auf Bestellung 5488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.17 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFK-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.77 EUR
10+1.18 EUR
25+1.17 EUR
100+0.79 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFVDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 29461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
22+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.88 EUR
207+1.12 EUR
316+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 14998 Stücke:
Lieferzeit 318-322 Tag (e)
2+2.05 EUR
10+1.26 EUR
100+0.87 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.32 EUR
15000+0.31 EUR
21000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.88 EUR
207+1.12 EUR
316+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 9500 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.9 EUR
213+1.09 EUR
292+0.74 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFV-7DiodesDMP3013SFV-7 DMP3013SFV MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 0.94W; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 0.94W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 38008 Stücke:
Lieferzeit 318-322 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.17 EUR
100+0.8 EUR
500+0.73 EUR
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 9500 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.9 EUR
213+1.09 EUR
292+0.74 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3013SFV-7 Transistor
Produktcode: 214611
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3014SFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
auf Bestellung 15384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.52 EUR
100+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3014SFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
auf Bestellung 2421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+0.98 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3015LSSDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3015LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+4 EUR
118+1.98 EUR
177+1.21 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3015LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Channel 2.5W
auf Bestellung 1028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.73 EUR
100+1.15 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.9 EUR
2500+0.73 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3015LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V
auf Bestellung 16099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
12+1.75 EUR
100+1.17 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3015LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4 EUR
118+1.98 EUR
177+1.21 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3015LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3015LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.74 EUR
5000+0.69 EUR
7500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3015LSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 174983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
10+2.11 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3015LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs Single -30V P-Ch Enh FET -20Vgss
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.09 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
2500+0.88 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3015LSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 172500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.92 EUR
5000+0.84 EUR
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DMP3017SFGDiodes IncorporatedMOSFETs
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DMP3017SFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 11.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMP3017SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
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DMP3017SFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 11.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMP3017SFG-13Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 25V 30V P-Ch 0.94W 2246pF
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DMP3017SFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFET 30V P-Ch Enh FET 30Vgss -80A Idm
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DMP3017SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 11.5A
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DMP3017SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 11.5A POWERDI333
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