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Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4843 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH10H4M5LPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH10H4M5LPSWQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.34 EUR
10+	3.45 EUR
100+	2.39 EUR
500+	1.95 EUR
2500+	1.8 EUR

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DMTH10H4M5LPSWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4843 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 107A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.24 EUR
10+	3.4 EUR
100+	2.34 EUR
500+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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DMTH10H4M5LPSWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 107A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4843 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH10H4M6SPS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

auf Bestellung 7602 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.07 EUR
10+	3.01 EUR
100+	2.18 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.71 EUR
2500+	1.62 EUR

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DMTH10H4M6SPS-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4327 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH10H4M6SPS-13

Description: DIODES INC. - DMTH10H4M6SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3000 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2441 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.19 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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DMTH10H4M6SPS-13

Description: DIODES INC. - DMTH10H4M6SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3000 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm

auf Bestellung 2431 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	6.93 EUR
53+	4.39 EUR
100+	3.08 EUR
500+	2.36 EUR
1000+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 37 Stücke

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DMTH10H4M6SPS-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4327 pF @ 50 V

auf Bestellung 2470 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.37 EUR
10+	2.8 EUR
100+	2.24 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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DMTH12H007SK3-13

Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3142 pF @ 60 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH12H007SK3-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&R 2.5K

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH12H007SPS-13

Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1432 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.81 EUR
500+	2.7 EUR
1000+	2.51 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH12H007SPS-13

Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm

auf Bestellung 1432 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	6.12 EUR
64+	3.67 EUR
103+	2.09 EUR
500+	1.75 EUR
1000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH15H017LPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH15H017LPSW-13

Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V

auf Bestellung 3468 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.41 EUR
10+	2.83 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH15H017LPSW-13

Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH15H017LPSWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH15H017LPSWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 185 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.09 EUR
10+	3.28 EUR
100+	2.25 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH15H017LPSWQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

auf Bestellung 2452 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.47 EUR
10+	2.92 EUR
100+	2.32 EUR
250+	2.14 EUR
500+	1.93 EUR
1000+	1.75 EUR
2500+	1.52 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH15H017SPS-13

Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2344 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH15H017SPS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

auf Bestellung 2443 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.96 EUR
10+	3.2 EUR
100+	2.18 EUR
500+	1.86 EUR
1000+	1.63 EUR
2500+	1.46 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH15H017SPS-13

Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2344 pF @ 75 V

auf Bestellung 1169 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.67 EUR
10+	2.18 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.44 EUR
1000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH15H017SPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH15H017SPSWQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

auf Bestellung 2368 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.11 EUR
10+	3.31 EUR
100+	2.37 EUR
500+	1.98 EUR
1000+	1.71 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH15H053SPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH3002LK3-13

Description: DIODES INC. - DMTH3002LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1950 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm

auf Bestellung 2088 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	5.52 EUR
70+	3.32 EUR
102+	2.11 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH3002LK3-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH3002LK3-13

Description: DIODES INC. - DMTH3002LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1950 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm

auf Bestellung 2088 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.32 EUR
102+	2.11 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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DMTH3002LK3-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH3002LPS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.43 EUR
11+	1.95 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

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DMTH3002LPS-13

Description: DIODES INC. - DMTH3002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1250 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm

auf Bestellung 2530 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

60+	4.18 EUR
93+	2.51 EUR
150+	1.43 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 60 Stücke

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DMTH3002LPS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.98 EUR
5000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH3002LPS-13

Description: DIODES INC. - DMTH3002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1250 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm

auf Bestellung 2530 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.51 EUR
150+	1.43 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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DMTH3002LPS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

auf Bestellung 2421 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.18 EUR
10+	1.75 EUR
100+	1.23 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	1.01 EUR
2500+	0.88 EUR
5000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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DMTH3004LFG-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

Produkt ist nicht verfügbar

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DMTH3004LFG-13

Description: MOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMTH3004LFG-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

auf Bestellung 1430 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.29 EUR
10+	0.79 EUR
100+	0.51 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.35 EUR
2000+	0.27 EUR
4000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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DMTH3004LFG-7

Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH3004LFGQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH3004LFGQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH3004LFGQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH3004LFGQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH3004LK3-13

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/75A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH3004LK3-13

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/75A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH3004LK3-13

MOSFETs 30V N-Ch Enh FET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH3004LK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/75A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH3004LK3Q-13

MOSFET MOSFET BVDSS:

auf Bestellung 1742 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.95 EUR
10+	1.75 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.89 EUR
2500+	0.83 EUR
10000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH3004LK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/75A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V

auf Bestellung 2471 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.9 EUR
14+	1.56 EUR
100+	1.21 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH3004LPS-13

MOSFET 30V 175c N-Ch FET 20Vgss 3.8mOhm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH3004LPSQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS:

auf Bestellung 2465 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.51 EUR
10+	2.05 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.11 EUR
2500+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH31M7LPSQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH31M7LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1300 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm

auf Bestellung 2450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.52 EUR
500+	1.92 EUR
1000+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH31M7LPSQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH31M7LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1300 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm

auf Bestellung 2450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	9.04 EUR
49+	4.81 EUR
100+	2.52 EUR
500+	1.92 EUR
1000+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH32M5LPS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH32M5LPS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH32M5LPSQ-13

Description: MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 105000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH32M5LPSQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm

auf Bestellung 2377 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.27 EUR
115+	1.87 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH32M5LPSQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 170A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH32M5LPSQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 170A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH32M5LPSQ-13

Description: MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 107371 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.37 EUR
11+	1.92 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH32M5LPSQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm

auf Bestellung 2377 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	5.45 EUR
71+	3.27 EUR
115+	1.87 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH32M5LPSQ-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 350A; 3.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 3.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH32M5LPSQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

auf Bestellung 2495 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.12 EUR
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DMTH32M5LPSQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 170A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

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2500+	0.79 EUR

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DMTH3M70LPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH4001SPS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH4001SPS-13

Description: MOSFET 31V~40V POWERDI5060-8

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH4001SPSQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH4001STLW-13

DMTH4001STLW-13

auf Bestellung 1500 Stücke:

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1500+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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DMTH4001STLW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI1012-8 T&R 1.5K

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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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DMTH4001STLW-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13185 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1500 Stücke:

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1500+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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DMTH4001STLWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI101
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13185 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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DMTH4001STLWQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI1012-8 T&R 1.5K

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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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DMTH4002SCTB-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 6W; TO263AB
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263AB
On-state resistance: 3mΩ
Power dissipation: 6W
Gate charge: 77.5nC
Polarisation: unipolar

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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DMTH4002SCTB-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO263 T&R 0.8K

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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DMTH4002SCTB-13

Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTB-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 0.00222 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00222ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 744 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.25 EUR
500+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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DMTH4002SCTB-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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DMTH4002SCTB-13

auf Bestellung 744 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	3.88 EUR
87+	2.67 EUR
100+	2.25 EUR
500+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 65 Stücke

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DMTH4002SCTB-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO263 T&R

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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DMTH4002SCTBQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 0.00222 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00222ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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DMTH4002SCTBQ-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 3200 Stücke:

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800+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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DMTH4002SCTBQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO263 T&R
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 166.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.73 EUR
1600+	1.59 EUR
2400+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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DMTH4002SCTBQ-13

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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DMTH4002SCTBQ-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 6W; TO263AB
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263AB
On-state resistance: 3mΩ
Power dissipation: 6W
Gate charge: 77.5nC
Polarisation: unipolar

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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DMTH4002SCTBQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO263 T&R 0.8K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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DMTH4004LK3-13

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-4L

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH4004LK3-13

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH4004LK3-13

MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A

auf Bestellung 2381 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.56 EUR
10+	2.28 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.11 EUR
2500+	1 EUR
5000+	0.98 EUR

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DMTH4004LK3-13

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH4004LK3Q-13

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH4004LK3Q-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4004LK3Q-13

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4004LK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 25 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.92 EUR
10+	2.59 EUR
100+	2.02 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

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DMTH4004LK3Q-13

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4004LK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4004LPS-13

Trans MOSFET N-CH 40V 26A 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4004LPS-13

Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4508 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 138W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 6892 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.39 EUR
12+	1.89 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4004LPS-13

Trans MOSFET N-CH 40V 26A 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4004LPS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V

auf Bestellung 2370 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.34 EUR
10+	1.86 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1.08 EUR
2500+	0.93 EUR
5000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4004LPS-13