Produkte > SI1
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| SI1443EDH-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1443EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.043 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 35520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1443EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V | auf Bestellung 37573 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1443EDH-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1443EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.054 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm | auf Bestellung 29360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1443EDH-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 12V Vgs SC70-6 | auf Bestellung 9816 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1450DH | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1450DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1450DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1450DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1450DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1467DH | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1467DH-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 3A/2.7A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V | auf Bestellung 2810 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1467DH-T1-BE3 | Vishay | MOSFETs SOT363 P-CH 20V 3A | auf Bestellung 59542 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1467DH-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 3A/2.7A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1467DH-T1-BE3 | Vishay | SI1467DH-T1-BE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1467DH-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC70-6 | auf Bestellung 65950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1467DH-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1467DH-T1-E3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.7A; Idm: -8A Mounting: SMD Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 2.78W Gate charge: 13.5nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: -2.7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: SC70-6; SOT363 On-state resistance: 0.15Ω | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1467DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 5095 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1467DH-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6 | auf Bestellung 101828 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1467DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1467DH-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.7A; Idm: -8A Mounting: SMD Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 2.78W Gate charge: 13.5nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: -2.7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: SC70-6; SOT363 On-state resistance: 0.15Ω | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1467DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V | auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2850 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1467DH-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6 | auf Bestellung 5034 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1467DH-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 2760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1467DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V | auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1467DH-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1469DH | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1469DH-T1-BE3 | Vishay | SI1469DH-T1-BE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1469DH-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1469DH-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1469DH-T1-BE3 | Vishay | MOSFETs SOT363 P-CH 20V 2.7A | auf Bestellung 39107 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1469DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 11118 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1469DH-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6 | auf Bestellung 4887 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1469DH-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1469DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1469DH-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6 | auf Bestellung 5748 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1469DH-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1469DH-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1469DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V | auf Bestellung 14210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1469DH-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6 | auf Bestellung 8509 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1469DH-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1469DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1469DH-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1470DH | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1470DH-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1470DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1470DH-T1-E3 Produktcode: 104180
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| 8542399000 8542 39 90 00 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1470DH-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1470DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1470DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Packaging: Tape & Reel (TR) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1470DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1471DH | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1471DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1471DH-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 2.8A 6-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 3016 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1471DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6 | auf Bestellung 2339 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1471DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6 | auf Bestellung 2339 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1471DH-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 2.7A 2.78W 100 mohms @ 10V | auf Bestellung 3888 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1471DH-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -30V -2.7A 2.78W | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1471DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI14723CBHU | auf Bestellung 598 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1472DH | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1472DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1473DH | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1473DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1473DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1473DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1473DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6 | auf Bestellung 1081 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1473DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6 | auf Bestellung 1081 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1473DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1480BDH-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 80 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 1.8 mohm a. 10V 1.7 mohm a. 7.5V | auf Bestellung 2866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1480BDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), 2.38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 212mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1480BDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), 2.38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 212mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1480DH-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V | auf Bestellung 2957 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1480DH-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs SOT363 100V 2.6A N-CH MOSFET | auf Bestellung 79975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1480DH-T1-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 6-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1480DH-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1480DH-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1480DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) | auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1480DH-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1480DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm | auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1480DH-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SC70-6 | auf Bestellung 5448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1480DH-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1480DH-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1480DH-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1480DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1488DH | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1488DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1488DH-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1488DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1488DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1488DH-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 6-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1489EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1489EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363 | auf Bestellung 2792 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1489EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363 | auf Bestellung 2792 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1489EDH-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -8V -2A 2.8W | auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1499DH | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1499DH-T1-BE3 | Vishay | MOSFETs SC70 P CHAN 1.2V | auf Bestellung 30812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1499DH-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A/1.6A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 2.78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 4 V | auf Bestellung 2798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1499DH-T1-BE3 | Vishay | SI1499DH-T1-BE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1499DH-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A/1.6A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 2.78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 4 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1499DH-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 8.0V 1.6A 2.78W 78 mohms @ 4.5V | auf Bestellung 8533 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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