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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIHG105N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.28 EUR
10+6.83 EUR
50+5.36 EUR
100+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG105N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.45 EUR
31+7.7 EUR
100+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG110N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG110N65SF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.19 EUR
10+4.25 EUR
100+3.86 EUR
500+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG110N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.4 EUR
10+6.22 EUR
50+4.86 EUR
100+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG11N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG11N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO247 800V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.95 EUR
10+3 EUR
100+2.7 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.26 EUR
2500+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG11N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.75 EUR
47+4.99 EUR
100+3.08 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG11N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG11N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.83 EUR
10+4.45 EUR
50+3.43 EUR
100+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG11N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG11N80AE-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 78W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 42nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG11N80AEF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG11N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.483 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.483ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.25 EUR
36+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG11N80AEF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 800V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG11N80AEF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.17 EUR
10+6.35 EUR
100+4.41 EUR
500+3.26 EUR
5000+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG11N80E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG11N80E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 88nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG11N80E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.03 EUR
10+8.75 EUR
100+7.38 EUR
500+3.63 EUR
2500+3.59 EUR
5000+3.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG11N80E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG120N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.64 EUR
10+5.65 EUR
100+5.16 EUR
500+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG120N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.21 EUR
10+8.19 EUR
50+6.47 EUR
100+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG120N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG120N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG120N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Pulsed drain current: 66A
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG125N60EFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG125N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG125N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO247AC
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Gate charge: 47nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG125N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.109 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 179W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.109ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG125N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG125N60EF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO247 600V 25A N-CH MOSFET
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.87 EUR
10+5.2 EUR
100+4.75 EUR
500+4.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG125N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.3 EUR
10+7.56 EUR
50+5.95 EUR
100+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG125N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG125N65E-GE3VishayMOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.4 EUR
10+8.46 EUR
100+7.79 EUR
500+7.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG125N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.58 EUR
10+12.03 EUR
50+9.65 EUR
100+8.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG135N65S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG14N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1144 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG14N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG14N50D-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.49 EUR
10+4.61 EUR
25+4.57 EUR
100+3.72 EUR
250+3.68 EUR
500+3.22 EUR
1000+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG14N50D-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG14N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.65 EUR
41+5.76 EUR
100+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG14N50D-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1144 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG14N50D-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; Idm: 38A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 38A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG150N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10 EUR
10+6.64 EUR
50+5.21 EUR
100+4.75 EUR
500+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG150N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.92 EUR
10+4.66 EUR
100+4.25 EUR
500+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG150N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG150N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.34 EUR
31+7.68 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHG155N60EFVishay / SiliconixMOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode TO-247AC, 157 mohm a. 10V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 375-379 Tag (e)
1+8.1 EUR
10+7.28 EUR
100+5.99 EUR
500+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG155N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG155N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 149mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.69 EUR
10+7.12 EUR
50+5.59 EUR
100+5.09 EUR
500+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG155N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+4.87 EUR
100+4.45 EUR
500+3.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
On-state resistance: 0.28Ω
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Gate charge: 78nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.6A
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.71 EUR
10+5.07 EUR
100+3.76 EUR
500+3.15 EUR
1000+3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO247 800V 13A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.94 EUR
10+4.53 EUR
100+3.38 EUR
500+2.83 EUR
5000+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N80AE-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 156W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 53nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N80AEF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N80AEF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG15N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.35 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.62 EUR
69+3.37 EUR
100+2.95 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N80AEF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 156W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 54nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N80AEF-GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 100 V
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.88 EUR
25+4.46 EUR
50+4.01 EUR
100+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N80AEF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N80AEF-GE3VishayMOSFETs TO247 800V 13A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG16N50C-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG16N50C-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG16N50C-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.66 EUR
10+6.43 EUR
100+5.2 EUR
500+4.53 EUR
1000+3.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG16N50C-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG17N60D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG17N60D-E3Vishay / SiliconixMOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG17N60D-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG17N60D-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.56 EUR
10+5.52 EUR
25+5.22 EUR
100+4.47 EUR
250+4.21 EUR
500+3.69 EUR
1000+3.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG17N60D-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 48A; 277.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 277.8W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG17N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.07 EUR
25+4.57 EUR
50+4.12 EUR
100+3.74 EUR
500+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG17N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.29 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 1241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.72 EUR
46+5.11 EUR
100+3.86 EUR
500+3.51 EUR
1000+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG17N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG17N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO247 800V 15A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.04 EUR
10+3.62 EUR
100+3.26 EUR
500+2.96 EUR
1000+2.76 EUR
2500+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG17N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG17N80AE-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 62nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG17N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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SIHG17N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG17N80AEF-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.73 EUR
10+5.75 EUR
50+4.47 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG17N80AEF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG17N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.305 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.32 EUR
35+6.66 EUR
100+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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SIHG17N80AEF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO247 800V 15A N-CH MOSFET
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SIHG17N80AEF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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SIHG17N80AEF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 305mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 63nC
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SIHG17N80E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
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SIHG17N80E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG17N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 208
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 208
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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SIHG17N80E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.76 EUR
10+7.71 EUR
100+5.66 EUR
500+5.05 EUR
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SIHG17N80E-GE3VishayE Series Power MOSFET
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SIHG17N80E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 122nC
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SIHG180N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 156W
Case: TO247AC
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
Gate-source voltage: ±30V
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SIHG180N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG180N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.03 EUR
25+5.16 EUR
50+4.66 EUR
100+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SIHG180N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.07 EUR
10+4.62 EUR
100+3.81 EUR
500+3.13 EUR
1000+3.09 EUR
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SIHG180N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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SIHG180N60E-GE3-XVishayMOSFET
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SIHG186N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.63 EUR
10+3.94 EUR
500+3.03 EUR
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SIHG186N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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SIHG186N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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SIHG186N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.04 EUR
25+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SIHG186N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH