Produkte > DMN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMN2991UFB4Q-7B | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-3 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2991UFO-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2991UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: X2-DFN0604 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 8575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2991UFO-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0604-3 T&R 10K | auf Bestellung 6976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2991UFO-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2991UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: X2-DFN0604 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 8575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2991UFZ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 550MA 3DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Supplier Device Package: X2-DFN0606-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 530mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 5845 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2991UFZ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 550MA 3DFN Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 530mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Supplier Device Package: X2-DFN0606-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2991UFZQ-7B | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0606-3 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2991UT-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2991UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 430mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: SOT-523 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 9570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2991UT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2991UT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2991UT-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2991UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 9570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2991UT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523 T&R 3K | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2991UTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 3K | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2992UFA-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN0806-3 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2992UFA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSTFET N-CH 20V 520MA X2DFN0806 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 410mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 410 pC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.6 pF @ 16 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2992UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K | auf Bestellung 15375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2992UFB4-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.6 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 8380000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2992UFB4-7B | Diodes Zetex | 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2992UFB4-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006- Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.6 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 8382964 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2992UFB4Q-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.6 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 240000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2992UFB4Q-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K | auf Bestellung 1885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2992UFB4Q-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.6 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 244912 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2992UFZ-7B | Diodes Zetex | 20V N-Channel Enhancement Mode Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2992UFZ-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0606-3 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN29M9UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 8 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN29M9UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 8 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN29M9UFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN29M9UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11 A, 0.0104 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN29M9UFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN29M9UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11 A, 0.0104 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3003LCA8-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A X2-TSN6025 Package / Case: 8-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: X2-TSN6025-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3722pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.4W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3003LCA8-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V X2-TSN6025-8 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3005LK3 | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3005LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch FET VDSS 30V VGSS 20V PD 1.68W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3005LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4342 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.9 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.68W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3006SCA6-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3006SCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 800mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X4-DSN3519 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 800mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2859 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3006SCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN3519-6 T&R 3K | auf Bestellung 2115 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3006SCA6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN3519 | auf Bestellung 468000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3006SCA6-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3006SCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 800mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X4-DSN3519 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 800mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2859 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3007LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2.5W 16A 30V | auf Bestellung 2958 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3007LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3007LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64.2nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3007LSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3007LSSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3007LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm | auf Bestellung 2195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3007LSSQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64.2nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3007LSSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3007LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm | auf Bestellung 2195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3007LSSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3007LSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 482 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3007LSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 4237 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3008SCP10-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 14.6A 10-Pin X4-DSN T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3008SCP10-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415 Packaging: Tape & Reel (TR) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1476 pF @ 15 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3008SCP10-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3008SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A | auf Bestellung 2134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3008SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3690 pF @ 10 V | auf Bestellung 270000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3008SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3690 pF @ 10 V | auf Bestellung 4290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3008SFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3008SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.0039 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3008SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3690 pF @ 10 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3008SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A | auf Bestellung 3875 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3008SFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3008SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.0039 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3008SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3008SFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3690 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3008SFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3690 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 13.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 62A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 258000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3008SFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.0039 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3008SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 1170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3008SFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.0039 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3009LFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3009LFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3009LFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 3821 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3009LFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V | auf Bestellung 26042 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3009LFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3009LFVQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3009LFVQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm | auf Bestellung 2949 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3009LFVQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3009LFVQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3009LFVQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3009LFVQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm | auf Bestellung 2949 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3009LFVQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8 T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3009LFVQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3009LFVW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3009LFVW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3009LFVW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V | auf Bestellung 5280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3009LFVW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 3302 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3009LFVW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3009LFVWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3009LFVWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3009LFVWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3009LFVWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3009LFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm | auf Bestellung 2129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3009LFVWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8 T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3009LFVWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3009LFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm | auf Bestellung 2129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3009SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3009SFG-13 | Diodes Zetex | 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3009SFG-13 | Diodes Zetex | 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3009SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3009SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3009SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson | auf Bestellung 2394 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3009SFG-7 | Diodes Zetex | 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3009SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V | auf Bestellung 2927 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3009SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3009SFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3009SFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3009SFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3009SFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 34000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3009SFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3009SFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 34695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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