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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDD7N25LZTMON-SemiconductorN-MOSFET 6.2A 250V 550mOhm FDD7N25LZTM TFDD7n25lztm
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N25LZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N25LZTM
Produktcode: 194274
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N25LZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N25LZTMONSEMIDescription: ONSEMI - FDD7N25LZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6.2 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+2.57 EUR
128+1.82 EUR
191+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N25LZTMonsemiMOSFETs 250V N-Channel MOSFET, UniFET
auf Bestellung 15282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.5 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N25LZTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 8182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
14+1.5 EUR
100+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N25LZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N25LZTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.63 EUR
5000+0.58 EUR
7500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N60NZonsemi UF2 600V 1.25OHM DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N60NZTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N60NZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.3 EUR
136+1.26 EUR
149+1.13 EUR
250+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N60NZTMonsemi / FairchildMOSFET N-Channel 600V 5.5A
auf Bestellung 12403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.87 EUR
10+2.39 EUR
100+2.01 EUR
250+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N60NZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N60NZTMONSEMIDescription: ONSEMI - FDD7N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 1.05 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 769 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N60NZTMONS/FAIFDD7N60NZTM FDD7N60NZ MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N60NZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.39 EUR
135+1.25 EUR
136+1.19 EUR
149+1.05 EUR
250+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8424HONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 35W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8424HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8424HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 40V 9A/6.5A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8424HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8424HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 40V 9A/6.5A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8424HONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 35W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8424HonsemiMOSFETs 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8424H (Dual N & P-Channel)
Produktcode: 165079
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8424H-F085AON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual N&PCH PwrTrench +/- 40V,20A
auf Bestellung 2185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8424H-F085AonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8424H-F085AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 40V 9A/6.5A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8424H_F085onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8424H_F085AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8426HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 12A/10A DPAK
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444onsemiMOSFETs LOW VOLTAGE
auf Bestellung 3117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.25 EUR
2500+1.17 EUR
5000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444ONN
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
180+3 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 153W; DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 153W
Drain current: 50A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 89nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444
Produktcode: 163329
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
auf Bestellung 5238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.45 EUR
10+2.32 EUR
100+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444-F085onsemi / FairchildMOSFET LOW VOLTAGE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444-F085PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444-F085PON SemiconductorMOSFET 40V,50A,5.2 OHM, NCH DPAK,PwrTRENCHmosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444-F085PonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 153W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8444. - MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.004OHM, 145A, TO-252-3
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 145
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 153
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444LONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8444L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 113000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
297+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 297 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 125148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.11 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.5 EUR
10000+2.18 EUR
100000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 156175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
168+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.11 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.11 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.11 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.5 EUR
10000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.11 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.5 EUR
10000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 165739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.11 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.5 EUR
10000+2.18 EUR
100000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444L-F085onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8444L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.48 EUR
500+2.2 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+1.07 EUR
188+0.89 EUR
190+0.86 EUR
204+0.76 EUR
250+0.73 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 16.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 79W
Drain current: 70A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
auf Bestellung 1271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+1.26 EUR
82+1.05 EUR
84+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445
Produktcode: 116381
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8445 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 15.2 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.33 EUR
151+1.54 EUR
179+1.2 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 37498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+1.45 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
10000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445onsemi / FairchildMOSFETs LOW VOLTAGE
auf Bestellung 7623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.21 EUR
100+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
18+1.23 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8445 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 15.2 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.33 EUR
151+1.54 EUR
179+1.2 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+0.93 EUR
190+0.9 EUR
204+0.82 EUR
250+0.8 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445ON-SemiconductorN-Channel 40V 70A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount TO-252AA FDD8445 ON Semiconductor TFDD8445
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET LOW VOLTAGE
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445-F085PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445-F085PON SemiconductorMOSFET 40V,35A,9.0 OHM, NCH DPAK,PwrTRENCHmosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445-F085PonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
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FDD8445-F085PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
357+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 357 Stücke
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FDD8447LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.46 EUR
155+1.11 EUR
209+0.81 EUR
500+0.64 EUR
676+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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FDD8447LONS/FAIТранзистори
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FDD8447LonsemiMOSFETs 40V N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 10113 Stücke:
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2+2.64 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDD8447LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.57 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD8447LONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 13395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.65 EUR
157+1.49 EUR
201+1.07 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDD8447LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD8447LON-SemiconductorN-Channel 40V 15.2A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-) FDD8447L ON Semiconductor TFDD8447L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FDD8447LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.76 EUR
230+0.75 EUR
260+0.64 EUR
266+0.62 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
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FDD8447LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.57 EUR
69+1.24 EUR
79+1.08 EUR
111+0.77 EUR
127+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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FDD8447LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.46 EUR
156+1.07 EUR
210+0.77 EUR
500+0.61 EUR
676+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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FDD8447L
Produktcode: 100848
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FairchildTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 В
Drain-Strom Idd, A: 50 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1970/52
Montage: SMD
auf Bestellung: 96 St.
  • 96 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.25 EUR
10+1.13 EUR
100+1.01 EUR
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FDD8447LONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 13395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+2.65 EUR
157+1.49 EUR
201+1.07 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V
auf Bestellung 7368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
15+1.49 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.92 EUR
228+0.74 EUR
230+0.7 EUR
260+0.6 EUR
266+0.56 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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FDD8447L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
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