Produkte > GD2
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GD25WQ64ENIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 104 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (3x4) Write Cycle Time - Word, Page: 120µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 12 ns Memory Organization: 8M x 8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25WQ64EQEGR | GigaDevice | NOR Flash | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25WQ64EQIGR | GigaDevice | NOR Flash | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD25WQ64ESIG | GigaDevice | NOR Flash | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25WQ64ESIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 104 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 120µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 12 ns Memory Organization: 8M x 8 | auf Bestellung 2723 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD25WQ64ESIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 104 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 120µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 12 ns Memory Organization: 8M x 8 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD25WQ64ESIGR | GigaDevice | NOR Flash | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25WQ64ESIGY | GigaDevice | NOR Flash | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25WQ64ESJGR | GigaDevice | NOR Flash | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25WQ64ETIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: 64MBIT, 1.65V-3.6V, SOP8 150MIL, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 104 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 120µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 12 ns Memory Organization: 8M x 8 | auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD25WQ64ETIGR | GigaDevice | NOR Flash | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25WQ64ETIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: 64MBIT, 1.65V-3.6V, SOP8 150MIL, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 104 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 120µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 12 ns Memory Organization: 8M x 8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25WQ64ETIGY | GigaDevice | NOR Flash | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4320 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25WQ64EWIGR | GigaDevice | NOR Flash | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25WQ64EWIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 104 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (5x6) Write Cycle Time - Word, Page: 120µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 12 ns Memory Organization: 8M x 8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25WQ80EEIGR | GigaDevice | NOR Flash | auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD25WQ80ESIGR | GigaDevice | NOR Flash | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25WQ80ETIGR | GigaDevice | NOR Flash | auf Bestellung 477 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD25WQ80ETIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 104 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 120µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 12 ns Memory Organization: 1M x 8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25WQ80ETIGR Produktcode: 201492
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| IC > IC Speicher | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| GD25X512MEB2RY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: IC FLASH Packaging: Tray Memory Format: FLASH Technology: FLASH - NOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25X512MEB2RY | GigaDevice | NOR Flash | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25X512MEBARY | GigaDevice | NOR Flash | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25X512MEBARY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: IC FLSH 512MBIT SPI/OCTL 24TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 24-TBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8) Memory Interface: SPI - Octal I/O Memory Organization: 64M x 8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25X512MEBIRY | GigaDevice | NOR Flash | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25X512MEBIRY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: IC FLSH 512MBIT SPI/OCTL 24TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 24-TBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8) Memory Interface: SPI - Octal I/O Memory Organization: 64M x 8 | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD25X512MEF2RR | GigaDevice | NOR Flash | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25X512MEF2RR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: IC FLASH 512MBIT SPI/OCTAL 16SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 16-SOP Memory Interface: SPI - Octal I/O Memory Organization: 64M x 8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25X512MEFARR | GigaDevice | NOR Flash | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25X512MEFARR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: IC FLASH 512MBIT SPI/OCTAL 16SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 16-SOP Memory Interface: SPI - Octal I/O Memory Organization: 64M x 8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25X512MEFIRR | GigaDevice | NOR Flash | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD25X512MEFIRR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: IC FLASH 512MBIT SPI/OCTAL 16SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 16-SOP Memory Interface: SPI - Octal I/O Memory Organization: 64M x 8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD26-MT | Laird Connectivity | Antennas Grid,Moto | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD26-MT | TE Connectivity Laird | Description: RF ANT 4.1GHZ GRID Packaging: Bulk Mounting Type: Bracket Mount Frequency Range: 2.4GHz ~ 5.85GHz Applications: WiMax™, WLAN Gain: 18dBi, 24dBi Number of Bands: 1 Antenna Type: Parabolic Grid Height (Max): 24.000" (609.60mm) Frequency Group: Wide Band Frequency (Center/Band): 4.1GHz RF Family/Standard: WiFi Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD26-TR | Laird Technologies IAS | Description: ANT GRID 18/24DBI 24" TRANGO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD26-TR | Laird | Antennas ANT,GRID,5GHZ,26DBI | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD26V_2A7AV3-00001 | Vicor | Modular Power Supplies GD26.7AV30V0ALL R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD277F | CASIO | auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| GD28V_2A7AF-001 | Vicor | Modular Power Supplies GD28.7AF28.7AF l Ro | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD29-MT | Laird | Antennas Grid,Moto | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD29-MT | Laird Technologies IAS | Description: ANT GRID 22/27DBI 24" CANOPY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD29-TR | Laird | Antennas ANT, GRID, 5GHZ, 29D BI, | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD29-TR | Laird Technologies IAS | Description: ANT GRID 22/27DBI 24" TRANGO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 650 V 108A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube | auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube | auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS | auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC) Diode Configuration: 2 Independent Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube | auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V | auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227 | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227 | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X10MPS12D | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode | auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X10MPS12D | GeneSiC Semiconductor | 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X10MPS12D | GeneSiC Semiconductor | 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X150MPS06N | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD SIC 650V 150A SOT-227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X150MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 150Ax2; SOT227B; screw Mechanical mounting: screw Max. forward impulse current: 0.84kA Max. forward voltage: 1.8V Type of semiconductor module: diode Technology: SiC Features of semiconductor devices: MPS Max. off-state voltage: 650V Electrical mounting: screw Load current: 150A x2 Max. load current: 440A Kind of package: tube Semiconductor structure: double independent Case: SOT227B Reverse recovery time: 10ns | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD2X150MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Diode Array 2 Independent 650 V 150A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD2X150MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 300A SOT-227 SiC Schottky MPS | auf Bestellung 376 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X150MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 650V 300A 4-Pin SOT-227 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS | auf Bestellung 1948 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor | 1200V 40A SiC Schottky MPS Diode | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor | 1200V 40A SiC Schottky MPS Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V | auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor | 1200V 40A SiC Schottky MPS Diode | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD2X25MPS17N | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD SIC 1700V 50A SOT-227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1700V 50A SOT-227 SiC Schottky MPS | auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X30MPS06D | GENESIC | Description: GENESIC - GD2X30MPS06D - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 88 A, 46 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 46nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 88A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS | auf Bestellung 1380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 545 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | auf Bestellung 544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC) Diode Configuration: 2 Independent Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GENESIC | Description: GENESIC - GD2X30MPS06N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 650 V, 84 A, 46 nC, SOT-227 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-227 Kapazitive Gesamtladung: 46nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 84A SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 564 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3 Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 569 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS | auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS | auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X30MPS12N | GENESIC | Description: GENESIC - GD2X30MPS12N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 104 A, 97 nC, SOT-227 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-227 Kapazitive Gesamtladung: 97nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | auf Bestellung 432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X30MPS12N | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD SIC 1200V 52A SOT-227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 52A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V | auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
